$Roundhill Memory ETF(DRAM.US)的價格主要受 AI 需求推動而大幅上漲，第一季度合約價格幾乎翻倍，預計第二季度還將進一步顯著上漲。近期零售/現貨市場的月度漲幅有所放緩，但整體價格水平仍處於高位，預計供應緊張將持續到 2026 年底。

核心原因是 AI 超級週期：

對 HBM（高帶寬內存，一種高端 DRAM）以及用於 AI 服務器和數據中心的高容量/高密度傳統 DDR5 的爆炸性需求。

主要生產商（三星、SK 海力士、美光）正在重新分配晶圓產能，並優先生產高利潤的服務器/AI 產品（包括 HBM 和高容量 RDIMM），而非用於 PC、智能手機和工業應用的標準 DRAM。

預計到 2026 年，HBM 將佔 DRAM 晶圓總產量的約 25%，需求同比增長約 70%。這實際上擠佔了日常 DRAM 的供應。

供應商庫存低、分配控制以及長交貨期（通常 30-40 周以上）加劇了短缺。

超大規模企業（雲/AI 巨頭）通過多年協議鎖定供應並接受更高價格，這波壓力傳導到了其他買家。

@Bridge Buzz SG