📢 最新消息: $英特爾(INTC.US) 英特爾宣佈 18A-P 工藝進入風險生產，並公佈新的芯片進展
👉 關鍵亮點:➤ 英特爾 18A-P 已進入風險生產階段，符合此前公佈的時間表。➤ 與英特爾 18A 相比，英特爾 18A-P 可提供高達 9%的性能提升或18%的功耗降低。➤ 新的Power Boost晶體管選項增加了驅動電流和頻率。➤ 熱阻改善了20-40%，增強了芯片散熱和效率。➤ 通過材料和幾何優化，通孔電阻降低了10-30%。➤ 英特爾 18A-P 與現有的英特爾 18A 設計保持完全的設計規則兼容。➤ 背面供電實現了11%的面積縮減和10 倍的電壓降降低。➤ 該技術可實現高達6%的頻率增益或超過 15%的動態功耗降低。➤ 英特爾展示了CFET技術，支持超越 GAA 晶體管的邏輯縮放。➤ 研究展示了GaN-Si集成和釕互連技術，用於未來的芯片進步。本文版權歸屬原作者/機構所有。
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