$Roundhill Memory ETF(DRAM.US) 已成為 2026 年波動最劇烈、最引人注目的主題 ETF 之一，它追蹤全球內存/半導體公司，重倉 DRAM/HBM 廠商，如美光、三星和 SK 海力士。其價格走勢與 AI 驅動的內存市場繁榮以及芯片定價/盈利的任何變化密切相關。

自成立以來大幅上漲，峯值時幾乎翻了三倍，但也經歷了劇烈的回調。例如，在 6 月 5 日，由於美光等內存股業績指引引發擔憂，該 ETF 單日下跌約 15%，但隨後強勁反彈（例如，6 月 25 日上漲 9.95%）。

六月初的拋售（跌幅超過 15%）是由業績指引不及預期和內存股疲軟引發的，抹去了短期漲幅。更廣泛的芯片板塊情緒，如美光財報，繼續推動其價格波動。近期的反彈反映了市場對 AI 的持續樂觀情緒。

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