HBM 確實包含與英偉達等公司的定製和協同設計元素，但程度並不非常深入。真正的定製主要侷限於封裝和基礎裸片上。根據 JEDEC 規範，堆疊在頂部的多層 $Roundhill Memory ETF(DRAM.US) DRAM 裸片仍然是完全標準化的，這意味着它們對所有客户來説本質上都是一樣的。

例如，當三星的 HBM3E 未能通過英偉達的認證，其市場份額從約 60% 驟降至 20% 時，該公司並沒有廢棄這些產能。相反，它將這部分產能重新定向，供應給谷歌的 TPU 和 AMD。從物理層面看，提供給英偉達的 HBM3E 芯片與提供給 AMD 和谷歌的芯片是相同的，這表明產能仍然可以在客户之間相對容易地進行部分轉移。

展望 HBM4 及未來版本，定製化預計會增加。這包括直接在基礎裸片上集成定製邏輯或緩存。在更先進的設計中，HBM4E 內存控制器和定製裸片間接口甚至可以內置到邏輯基礎裸片中。根據 SemiAnalysis 的分析，OpenAI、英偉達和 AMD 等公司正在開發自己的定製 HBM 解決方案，但這些努力主要集中在基礎裸片上，而頂部的 DRAM 層則保持標準化。

由於需要在封裝方面進行緊密合作，客户通常需要簽署長期協議。然而，由於核心 DRAM 組件是標準的，且產能保持一定的靈活性和可轉移性，整體定製化壁壘只是中等。因此，HBM 被認為只是部分定製，在此背景下大約算作半個點。

@Bridge Buzz SG