唯一全產業鏈 SiC IDM 二次闖關港股，基本半導體的硬科技中場戰

2025 年的港股科技市場，從 AI 服務器到機器人，資本依舊重視未來敍事，但現金流和量產能力等硬核經營指標的評估也在進一步加重；同時，在全球供應鏈重構、全球科技競爭加速的背景下，又持續看到硬科技企業密集衝刺港股 18C，其中有人押賽道，有人押產能，有人押技術壁壘。

12 月 4 日，基本半導體第二次向港交所遞交招股書（18C 章），成為今年少見的再度衝刺的第三代半導體企業。

與消費電子、光伏設備不同，碳化硅（SiC）功率器件不是一個高頻熱點，而更像一個 “慢熱但長坡厚雪” 的產業。過去 3 年，中國新能源車、光伏儲能、工控變頻大規模進入高壓高功率階段，使 SiC 器件從 “選項” 變成 “必選項”。但對企業而言，這條賽道也意味着更長的研發週期、更重的資本開支、更高的良率門檻。

基本半導體正處於這樣一個典型的 “硬科技臨界位”：收入增長、虧損收窄、毛利承壓、技術壁壘提升、IDM 模式成型，但距離真正商業化規模盈利仍需時間。

處在爬坡區，而非成熟區

成立於 2016 年的深圳基本半導體公司，是國內第三代半導體功率器件領先企業，也是中國唯一一家以自主能力覆蓋從碳化硅芯片設計、晶圓生產到模塊封裝，並進一步延伸至柵極驅動設計與測試整個價值鏈的 IDM（垂直整合製造）企業，且所有環節均已實現量產。

這一 “全棧式” 佈局，構成了其招股書中最為核心的敍事亮點。

IDM 模式意味着公司將設計、製造、封裝等多個環節內部化，其優勢在於能夠實現研發與製造的高效協同，加速產品迭代，並更好地保障供應鏈安全與產品一致性。

十年間，按 2024 年收入計，這家公司已做到了全球及中國碳化硅功率模塊市場的第七與第六（來自弗若斯特沙利文報告數據）。

從基本面看，基本半導體收入增長強勁，但毛利轉負反彈，整體仍處於 “增收未增利” 的爬坡區，而非成熟區。

按招股書披露，收入從 2022 年近 1.2 億元人民幣增長至 2024 年的 3.0 億元，年複合增長率近 60%。2025 年上半年收入達 1.04 億元，同比增長 52.7%，增長勢頭不減，甚至實現再加速。這種增速表現其實優於大多數國內 SiC 初創企業。

增長主要得益於功率模塊持續放量以及在新能源車廠高覆蓋。然而，毛利率波動顯著，2024 年同比已經提升至-9.7%，但 2025 年上半年又降至-28.8%。

毛利率 “再度下探” 的原因並非需求問題，而是典型的 IDM 拓產邏輯。新建產線爬坡期良率偏低、模塊工藝迭代導致單位成本階段性提升、客户驗證週期長，使產能利用率在短期內難跟上收入節奏。

事實上，如果對比同業，這一切實屬擴張期的正常現象。士蘭微在碳化硅業務初期毛利一度低於-10%、斯達半導在早期同樣經歷較長的毛利爬坡期、賽晶科技在車規模塊驗證期間曾出現個位數毛利波動，因此，基本半導體的虧損擴大並不是 “經營惡化”，而是處於 “產線成熟度不足 × 客户認證週期拉長” 的典型爬坡區域。

今年上半年其淨虧損同比再度擴張至 1.77 億元。換句話説，毛利的短期下滑，是長週期硬科技的結構性代價。

研發重注過半，虧得起才有未來？

相比這些，基本半導體採取國內少見的 “硬核型打法”，也值得肯定。

雖然體量小，但其年度研發比重長期保持在 30% 區間，在全行業對比，這一強度極為罕見。

更關鍵的是投入研發成效好。截至 6 月 30 日，其已擁有專利 171 項、提交申請 118 項、擁有集成電路版圖設計 39 項；在業務上，IDM 模式已完全落地，形成從晶圓製造、模塊封裝到柵極驅動設計的全鏈條自有量產能力。

IDM 的好處是器件參數與模塊結構的協同優化、更高的長期毛利天花板、更穩的客户交付能力、更強的客户黏性和車規定點優勢。儘管短期的結果可能是高昂的資本開支、高壓的折舊攤銷、緩慢的良率爬坡、緊張的現金流等。

可以説，基本半導體的虧損更像是 “提前壓成本、壓產能、壓工藝換未來” 的選擇。資本市場可能會擔憂短期盈利路徑，但在第三代半導體賽道，這種研發強度和產線佈局反而是必要條件。

當然，雖然收入結構顯示基本半導體 “從 0 到 1” 已完成，但 “從 1 到 10” 仍需時間。按 2024 年收入結構 SiC 功率模塊仍是核心，佔 48%、柵極驅動佔近四成，SiC 分立器件佔比進一步縮減。

估值參考上，基本半導體與同業公司共享同一賽道邏輯，但也各有側重差異。

可比上市公司，中士蘭微作為 IDM 企業，產品覆蓋廣、工藝成熟、盈利穩定；斯達半導是 IGBT/SiC 模塊龍頭，模塊業務毛利高、車規滲透深；賽晶科技則偏設備和部分功率半導體業務。

基本半導體的差異在於 IDM 深度更徹底、車規模塊佈局更集中，儘管收入規模較小但增速更快；毛利波動更大，但技術壁壘更高。換言之，基本半導體的上市邏輯不是利潤，而是產業位置。

資本市場需要摸清的問題是它是否能在未來兩年成為 “中國前三的車規級 SiC 模塊主力供應商”？如果答案是肯定的，其長期估值邏輯將顯著不同。

行業分水嶺前夜，二度遞表拿門票

行業正加速國產替代，碳化硅步入 “第二拐點”，競爭並非零和遊戲，而是進入規模化分水嶺。贏家將來自穩定量產能力，而非單點技術

據 Frost & Sullivan 統計，中國 SiC 功率模塊市場 2020–2024 年複合增長率達 32.9%，2025–2029 年預計將達 36.6%。增長動力來自新能源汽車電驅從 IGBT 轉向 SiC MOSFET、800V 平台滲透、光伏儲能及工業變頻能效提升、數據中心對高效率需求加強等。

這意味着 SiC 並不是短週期行業，而是中長期持續放量的結構性產業。尤其在新能源車領域，2024–2029 年中國車規 SiC 滲透率預計將從個位數升至 30%–50%，是一個巨大的確定性趨勢。

競爭層面，國內 SiC 功率模塊市場集中度高，“進入前六” 本身就是一種壁壘。除模塊外，基本半導體在 SiC 器件市場佔有率 2.8%，排名第八；柵極驅動市佔率 1.7%，排名第九，優勢並不強勢，但意味着極大的進步空間，而技術變遷帶來了這個機遇。

車規級 SiC 模塊的供應鏈壁壘高，驗證週期長達 18–36 個月，模塊結構複雜、良率提升難，IDM 模式難以被簡單複製。一旦進入頭部車企供應鏈，即便不是第一梯隊，企業競爭壁壘也非常穩固。

目前，基本半導體已獲 10 餘家主機廠定點、50 多款車型 design-in，包括比亞迪、理想等車企供應鏈。這是一個明確信號，公司正從技術突破向產品交付階段轉變。

不過，由於行業矛盾已從 “缺產能” 轉向 “缺優質產能”，IDM 價值日益凸顯。包括斯達半導、士蘭微等都在紛紛擴產，車企也開始扶持本土模塊供應商。隨着新產能持續爬坡釋放，未來三年，行業頭部玩家將加速分化，有 IDTM、能穩定交付、能進入車規體系的企業，會以更高毛利、更高訂單黏性獲得增長；相比之下，單純代工或低端產能未能出盡的企業，則更可能捲入價格競爭。

基本半導體目前處於這條分水嶺之前，其未來走勢取決於產能成熟度、良率提升速度、車規模塊放量節奏。

如此也就能理解基本半導體 12 月二次遞表的邏輯：並非 “急需融資”，更可能是以下因素的疊加。

首先，IDM 產線進入量產驗證期，需要資本開支支撐良率提升；其次，車規客户定點進入落地週期，供應鏈地位需要被資本市場確認；此外，在硬科技冷靜期上市，反而能獲得更合理的估值預期

基本半導體不是那種 “講故事型” 的 AI 上市公司，也不是短期就能出現盈利拐點的輕資產企業。其上市本身更像 “進入長期競爭格局的門票”，而非 “兑現利潤的終點”。

基本半導體正在穿越 “硬科技中場期”。