$英特爾(INTC.US)intel 宣稱下一代存儲技術，代替 HBM。創新點是用銅材料在芯片外圍 Z 角封裝堆疊，使用 intel 的 EMIB 封裝技術。銅的散熱性更好，相對 HBM 打孔凸出電阻更小，所以理論上可以比現在 HBM 堆的更多，功耗更小。