$美光科技(MU.US)$閃迪(SNDK.US)$西部數據(WDC.US)

在 2026 年 2 月 11 日的 Wolfe Research 汽車、汽車科技與半導體會議上，美光高管的演講徹底打消了市場對 HBM 競爭與行業週期的疑慮。以下是本次演講的核心要點：

一、HBM：需求全滿，超級週期拉長至 2028 年

1. 訂單與產能：全線飽和，無庫存壓力

美光明確表示，2026 年 HBM 產能已被客户訂單全數鎖定，當前處於「有多少產能就能賣多少」的狀態，供不應求格局至少延續至 2028 年。這直接回應了市場對三星 HBM4 量產擠壓份額的擔憂，美光作為核心供應商，份額與定價權並未受到實質威脅。

2. 技術與產品：HBM4 進展順利，客户驗證積極

針對下一代 HBM4 技術，美光透露研發進度符合預期，已與英偉達等頭部 AI 客户開展聯合驗證，量產節點與競品差距極小。同時，當前主力 HBM3E 產品在性能、功耗上仍具領先優勢，完全支撐英偉達 H200、B200 等主力 GPU 的需求。

3. 市場空間：TAM 三年翻三倍，AI 驅動爆發

美光上調 HBM 市場規模預期，預計 2028 年 HBM 總體可觸及市場（TAM）將達到 1000 億美元，較 2025 年的 350 億美元實現三年翻三倍。這一增長主要由 AI 數據中心、邊緣計算等場景驅動，存儲作為 AI 算力的「瓶頸環節」，需求增速將持續跑在行業平均水平之上。

二、存儲行業：價格持續上漲，供需緊缺結構化

1. DRAM/NAND 價格：環比大幅提升，短缺覆蓋全終端

美光指出，當前 DRAM 和 NAND 閃存價格已進入持續上漲通道，不僅 AI 服務器端需求旺盛，消費電子、汽車電子等傳統終端的存儲短缺也在加劇。

2. 供應約束：產能擴張緩慢，短缺至少持續至 2028 年

與德銀此前觀點一致，美光強調新的 DRAM 晶圓廠至少需要兩年時間才能投產，現有工廠擴張能力有限，無法快速緩解需求壓力。供應緊缺不再是短期週期性現象，而是由 AI 需求爆發帶來的「結構性短缺」，行業盈利週期將被顯著拉長。

三、盈利與資本開支：2026 年 EPS 預期上調，全力押注 AI 存儲

1. 盈利展望：EPS 有望突破 50 美元，估值處於低位

結合大摩同日將美光目標價上調至 450 美元的預測，美光 2026 財年每股收益（EPS）有望達到 52.53 美元。當前股價對應的 2026 年市盈率僅約 11 倍，處於行業週期低位。

2. 資本開支：200 億美元全力擴產，聚焦 AI 核心產品

美光確認 2026 財年資本開支（capex）為 200 億美元，全部用於擴張 HBM 和 1-gamma DRAM 等 AI 相關產能。愛達荷、紐約的新晶圓廠建設進度符合甚至提前計劃，為長期供應能力提供支撐，同時避免了盲目擴產導致的週期性風險。

總結：守得雲開見月明，AI 存儲週期剛剛開始