由於持續短缺，摩根士丹利對 2026 年的內存前景極其樂觀。

2026 年的供應增長對緩解嚴重的供應短缺作用甚微：三星和 SK 海力士 2026 年第一季度的 DRAM 位出貨量均持平或僅略有增長（個位數低位）。三星的 NAND 閃存出貨量在此前較低基數的基礎上增長了 5%，而海力士則出現負增長。

我們預計今年價格還會進一步上漲。三星並未發佈價格指引，但我們認為這可能意味着 2026 年第二季度 DRAM/NAND 閃存的平均售價將環比增長近 50%。即使假設部分價格上漲最終並未轉化為公司實際售價，50% 的漲幅也應該算是一個較低的預期。

生產商的資產負債表上庫存極低：那些無法獲得所需供應的客户無力建立庫存，而對於最重要的客户來説也是如此，他們為了提前 30 天獲得供應，甚至支付高於現行合同價格的費用，從而獲得了所有新增供應。

我們預計，到 2026 年底，DRAM 晶圓開工量同比增長僅為 7%，這主要得益於三星和海力士晶圓廠的產能增長，而上海 CXMT、海力士 M15X 和三星 P4L 等工廠短期內無法彌補這一缺口。美光位於博伊西和與 Powerchip 合作的晶圓廠的產能提升要到 2027 年才能實現。

未來 12 個月內，人工智能的年化收入總額預計將達到 2000 億美元，但供應卻無法跟上這一增長速度：這主要來自：

英偉達預計從現在到 2026 年底，每個季度的收入將增加 300 億美元；

AMD 的數據中心業務預計將翻一番，達到每季度 100 億美元。

博通公司的半導體業務預計將翻一番，達到每季度約 250 億美元；

Marvell 和 Intel 合併後，新增收入達 10 億美元。

中國內存風險極低：CXMT 和 YMTC 的擴張都受到以​​下因素的限制：

供應短缺——中國存儲器廠商的庫存也像其他國家一樣嚴重短缺，而且技術水平遠落後於主流，尤其是在 DRAM 方面（主要供應 4.8GHz DRAM，而主流為 5.6GHz）；

中國持續面臨限制因素使其無法購買美國資本設備，這對市場份額（按收入計）僅為個位數的公司來説是一個重大挑戰。