1970 年英特爾全球第一款量產 DRAM 動態內存，1988 年英特爾實現 NOR Flash 商用量產（NAND 閃存 1987 年東芝發明）。

1992 年：三星量產 64Mb DRAM，正式躋身全球高端 DRAM 第一梯隊，完成對日系存儲彎道超車。

1999 年：海力士收購 LG 半導體，補齊高端 DRAM 工藝，跨入全球 TOP3；2013 年全球首發 HBM1 量產（行業最早 HBM 商用）；

2016 年長江存儲（3D NAND 閃存）、2016 年長鑫存儲（DRAM 內存）成立，用遺留的奇夢達技術全力發展，10 年時間，這是又準備彎道超車了嗎？🤣🤣🤣