長鑫科技掛牌上市在即，長江存儲還會遠嗎？

摘要：2028 年週期供需拐點將至，上市融資擴產分秒必爭

ID ：朝陽資本論

作者：鼓風

6 月份的存儲，二級市場買方強勢，疊加業績預期，“超級週期” 名副其實。

就在剛不久，美光科技財報又加了一把火。2026 財年第三財季營收 414.6 億美元，同比暴增 346%；毛利率達 84.9%。

面對本輪存儲超級景氣週期，國產存儲雙雄，長鑫科技、長江存儲正抓緊機會 “上車”。

客觀看，留給長鑫和長存搶佔通用存儲市場的黃金時間窗口，只有 1-2 年。

畢竟，高盛、摩根士丹利等國際投行研判高度一致：本輪存儲景氣週期將貫穿 2026-2027 年，2028 年是供需拐點。

賽道內的龍頭企業判斷與投行如出一轍。

據韓媒透露，三星內部已預判，這輪由 AI 算力需求驅動的內存超週期，將在 2028 年前後走向終結。

美光也明確表態，存儲芯片供應緊張將持續至 2027 財年之後，預計 2028 年才會逐步改善。

此外，海外巨頭已在提前佈局通用存儲市場的迴歸。

據韓媒消息，SK 海力士近期已放緩 HBM4 擴產步伐，明確要將更多產能與研發資源傾斜至通用型 DRAM 市場。

可以説，一旦 HBM 供需緩和，海外巨頭隨時可能集體回頭重搶通用存儲市場，快速擠壓國產廠商的生存空間。

屆時，如果國產存儲雙雄尚未在產能規模、技術代際、客户黏性上建成足夠深的護城河，通用存儲市場價格戰將重新開打。

而價格戰，恰恰是長鑫 2023 年虧損 163 億、2024 年虧損 71 億的導火索。

市場會用真金白銀買 2026 年業績暴漲的長鑫，不會買 2024 年虧損的長鑫。

週期反轉拐點，才是真正的定價錨。

這也是長鑫科技火速過會拿批文、165 天完成註冊的根本原因；也是長江存儲 5 月進入輔導、6 月完成武漢新芯股權重整、掃清一切上市障礙的直接動力。

當下，是長鑫和長存上市融資擴產搶佔通用存儲市場的最佳窗口，可能也是唯一窗口。錯過這 1-2 年，再等下一個這樣 AI 爆發週期，不知猴年馬月了。

超級週期不會等人，海外巨頭不會輕易讓出通用存儲市場，爭分奪秒，分秒必爭。

存儲賽道太火了

2026 年，全球半導體資本市場最熱主線，非存儲賽道莫屬。

從美股到韓股，從科創板到創業板，板塊全線走出史詩級行情：三巨頭三星、SK 海力士、美光三大龍頭集體站穩萬億美元市值。

A 股 “存儲模組三傑”——德明利、佰維存儲、江波龍年內股價全線大漲，尤其德明利表現活躍，從 230 元漲到 800 元，讓投資者側目。

（A 股存儲龍頭德明利近 3 個月的股價走勢，從 230 元一路飆漲破 800 元，年內累計最大漲幅超 250%）

資金持續扎堆的背後，產業邏輯已經重構，存儲芯片不再是跟隨消費電子波動的週期元器件，而是 AI 算力時代的核心戰略資產、數字石油。

過去，中國在 DRAM 和 NAND 兩大核心存儲賽道沒有底氣，全球存儲市場的遊戲規則由美韓巨頭單方面書寫，中國既無規模、也無技術話語權。

在這輪存儲景氣週期，國產龍頭規模擴張迅速，市場研究機構 Counterpoint 報告顯示，長鑫科技已在 DRAM 賽道拿下全球約 8% 的份額，長江存儲在 NAND 賽道佔據全球 13% 的市場。

現在可以説，中國存儲產業從 “旁觀者” 轉變為深度參與全球產業分工與標準制定的 “共建者”，不僅能開始自主定義技術路線，還能用成熟產能直接參與市場價格博弈，更以核心 IDM 平台牽引整條國產供應鏈協同升級，在全球存儲產業格局中逐漸擁有發言權。

這也是長鑫科技能夠以 165 天（從受理到註冊生效）創下大型硬科技 IPO 審核效率紀錄的根本原因，存儲超級景氣週期不等人，此時此刻不融資不擴產，更待何時？

四十年的追趕與十年的攻堅

這一輪國產存儲龍頭能快速搶佔通用存儲市場份額，首先要歸功於海外三巨頭。

為什麼這麼説？

因為三星、SK 海力士、美光為追逐 HBM 超高毛利，將 70% 以上新增先進晶圓產能傾斜 HBM，大幅縮減 DDR4、普通 DDR5、消費級 NAND 投片量，形成 “高端擠壓低端” 的產能斷層。

這給了長鑫科技、長江存儲擴張中低端通用存儲市場的機會。

長鑫科技一躍成為中國第一、全球第四的 DRAM 廠商，2026 年一季度營收 508 億元，同比增長 719%，歸母淨利潤 247.62 億元，全球市佔率升至 7.7%。長江存儲一季度營收突破 200 億元，同比增長約 100%，全球 NAND 市佔率從 8% 躍升至 13%。

當然，打鐵也要自身硬。

當下國產存儲雙雄的 DRAM、NAND 產品成熟度達標，通用存儲顆粒性能、良率、成本全面對標海外中端產品，已經具備承接全球通用訂單的硬實力。

從無到有再到規模這一步，國家用了四十年，國產存儲雙雄用了十年。

回望歷史，中國存儲產業的追夢之旅始於 1975 年，北京大學實驗室裏誕生的第一塊 1024 位 MOS DRAM，曾讓中國存儲站在了世界起跑線上。

然而此後數十年，產業化的漫長征程卻在技術封鎖與資本鴻溝面前一再延宕。

真正的轉折發生在 2016 年。

那一年，長鑫科技與合肥政府達成協議，全力攻堅技術壁壘極高的 DRAM 製造。

彼時，三星、SK 海力士、美光三家巨頭已壟斷全球 90% 以上份額，技術、資金、專利三重壁壘將中國拒之門外。

幾乎同一時間，長江存儲在武漢成立，下定決心繞過海外廠商的 2D NAND 專利封鎖，直接切入 3D NAND 賽道。

為什麼 DRAM 和 NAND 兩大存儲賽道，會交由兩家不同的公司分頭攻堅？

這其實是國家層面的戰略佈局。

2016 年之前，存儲芯片是中國產業鏈中 “卡脖子” 最深的環節之一，形勢緊迫，中國不可能先攻一條再攻另一條，必須雙線並進、同時突圍。

技術層面，DRAM 和 NAND 雖然同屬存儲芯片，但技術原理和製造工藝截然不同。

DRAM 的核心在於製程微縮，依賴光刻精度，比拼的是線寬極限；NAND 的核心在於 3D 堆疊層數，依賴薄膜沉積和刻蝕工藝，比拼的是垂直高度。

兩者的技術路線、人才結構、設備需求交集有限。在當時的條件下，一家公司同時攻克兩條路線，人力、資金和管理精力都無法承載。將兩條賽道分拆給不同團隊，各自集中資源專注突破，是理性的戰略選擇。

正是基於上述客觀情況，2016 年三大存儲器項目同步啓動：長江存儲主攻 NAND Flash；合肥國資與兆易創新聯手設立長鑫，自主研發 DRAM；福建晉華原計劃通過與聯華電子合作切入 DRAM，後因法律糾紛而發展停滯。

多線並進，各有側重，形成了覆蓋兩大核心賽道的完整拼圖。

從區域產業佈局來看，兩座城市分頭卡位存儲產業最關鍵的兩條賽道並非偶然。

武漢光谷集聚 300 餘家集成電路企業，涵蓋芯片設計、製造、封裝、測試全鏈條，其中就包括長江存儲這一產業龍頭，天然的產業集羣效應讓長江存儲在上游設備驗證、材料配套、人才供給等方面均享有地利之便，為 3D NAND 的快速迭代提供了堅實的產業腹地。

合肥則依託長鑫科技的龍頭帶動效應，集聚 400 餘家集成電路企業，以長鑫為核心，DRAM 產業鏈上下游的設計公司、設備廠商、材料供應商圍繞其構建了完整的生態圈，讓長鑫在製程追趕過程中能夠實現 “就近配套、快速響應”。

十年之後，這場戰略佈局的價值已全面兑現，尤其隨着 2025 年存儲超級週期開啓，投入終迎回報。

長鑫與長存成長為各自賽道的領軍者，在龍頭的帶動下，國產存儲設備、材料、封測整條產業鏈協同爆發，中國第一次打通了從晶圓到模組的存儲全鏈路。

抓緊上市融資擴產，助力 DRAM 賽道突破

存儲是重資產標準化賽道，規模直接決定單位成本，韓國三星和海力士之所能崛起到壟斷全球，背靠韓國政府的扶持以及財閥資本的現金流託底。

長鑫、長江存儲也類似，和韓國政府持續扶持邏輯一致，國內大基金、地方國資是長鑫、長存核心股東，合肥、武漢地方政府提供土地、配套資金、税收優惠，在行業下行週期提供現金流託底，允許企業階段性虧損換產能擴張。

2024 年行業底部，兩家企業沒有縮減資本開支，反而持續推進新廠區建設，完美復刻韓國 “別人減產我擴產” 的週期打法。

當下海外巨頭收縮通用存儲產能，正是國產廠商逆週期放量、搶佔份額的黃金窗口期。

也因此，對長鑫科技與長江存儲而言，此刻唯一的戰略命題是：趕緊上市，速度融資，立刻擴產，承接這一波時代紅利。

所以就有了資本市場的神速表現。

作為中國大陸唯一具備 DRAM 全流程 IDM 量產能力的企業，長鑫科技創下大型硬科技 IPO 審核效率紀錄。

募資 295 億元，規模位列科創板歷史第二，資金重點投向晶圓產線升級、DDR5 通用顆粒擴產、HBM 高端 AI 存儲研發，擴產節奏完美匹配海外大廠收縮通用產能的窗口期。

隨着這輪景氣週期，長鑫科技基本面已跨過盈虧平衡點，進入業績爆發期。

2025 年公司首次年度扭虧，營收 617.99 億元，歸母淨利潤 18.75 億元；2026 年增長勢能全面釋放，單季營收突破 508 億元，同比暴漲 719.13%，單季歸母淨利潤 247.62 億元，日均盈利超 2.75 億元。

上半年業績預告顯示，營收有望突破 1100 億元至 1200 億元，歸母淨利潤 500 億至 570 億元。

市場普遍預期 7 月底至 8 月初正式掛牌，上市後充足資本將持續加碼通用 DRAM 產能，放大週期紅利帶來的份額增量。

特別值得一提的是技術面，在 EUV 光刻機全面禁運的背景下，長鑫依託 DUV 多重曝光工藝走出極限追趕路線。

19nm 成熟製程穩定量產，支撐 DDR4 海量出貨；17nm 先進製程良率突破 90%，全面適配 DDR5、LPDDR5X 等中端服務器、移動端通用產品，最高速率達 8000MT/s；16nm 製程已實現規模化量產，下一代更先進製程正持續研發推進，逼近 DUV 工藝物理極限。

在定價上，長鑫科技也是堅持用低價搶市場的策略，DDR4 等成熟產品定價遠低於海外競品，逼海外廠商主動放棄中低端通用市場。

戰略價值方面，長鑫科技的作用也遠不止於 “造出了國產 DRAM”。

在長鑫出現之前，中國大陸 DRAM 顆粒 100% 依賴進口，如今黨政、金融、能源等關鍵信息基礎設施擁有了完全自主的內存芯片供應，從根源上規避了地緣斷供風險。

與此同時，長鑫的崛起打破了三星、SK 海力士、美光三家寡頭長達數十年的價格同盟，國內終端廠商議價權大幅提升。

在設備國產化方面，北方華創、中微公司、拓荊科技、盛美上海等企業的 PVD/CVD、刻蝕、薄膜沉積、濕法清洗及測試設備均已加速進入長鑫供應鏈體系，當前國產設備整體佔比已達四至五成。

長江存儲 NAND 賽道話語權，正在質變

DRAM 賽道之外，國產 3D NAND 龍頭長江存儲的資本化進程同樣全面提速，意在抓住本輪存儲超級週期完成通用 NAND 產能跨越式擴張。

2026 年 5 月 19 日，長江存儲正式在湖北證監局完成 IPO 輔導備案，由中信證券與中信建投聯合輔導。根據市場普遍預期，長江存儲最快有望於 2026 年下半年向科創板提交上市申請。

為掃清合規障礙，公司推動子公司武漢新芯股權重整、撤回獨立 IPO 申請，徹底消除同業競爭。

從技術層面看，長江存儲最核心的競爭力，在於全球獨有的 “Xtacking®晶棧架構”。

採用 “雙晶圓獨立製造 + 混合鍵合” 模式，將存儲單元陣列與 CMOS 外圍電路分別在兩片晶圓上獨立製造，再通過銅 - 銅直接鍵合技術垂直拼接，徹底解決了傳統架構中外圍電路擠佔存儲面積、堆疊層數越高良率越難控制的瓶頸。

依託這一架構，長江存儲跑出行業最快迭代速度：2018 年 32 層實現從 0 到 1，2022 年 232 層躋身全球第一梯隊，2025 年 294 層產品實現量產。

當前 294 層 TLC 通用顆粒良率超 90%，存儲密度達 20Gb/mm²；其 232 層產品量產良率更高達 92.5%，性能已比肩巨頭競品。與三星 286 層、SK 海力士 321 層相比，層數差距已縮小至一代以內。

產品端已搭建完整通用存儲矩陣：致態消費級 SSD 對標三星旗艦；中端企業級 SSD 批量進入國內雲廠商、運營商，填補美光、鎧俠收縮的中端通用服務器閃存份額；閃存顆粒產品已廣泛應用於下游模組廠商及嵌入式存儲方案。

在國產替代層面，長江存儲的戰略價值同樣突出，是國內唯一打通了從設備到材料全鏈條國產化驗證的晶圓製造平台。

三期工廠國產設備採購佔比首次突破 50%，整體國產設備採用率約 45%，已是國內所有晶圓廠中的最高水平。關鍵設備環節也已經實現國產主導。比如在刻蝕設備領域，中微公司在長江存儲供應鏈中佔比超 40%，其 3D NAND 刻蝕設備全球市佔率第一。

從刻蝕到薄膜沉積，從晶圓載具到 CMP 拋光墊，從靶材到硅片，長江存儲在用大規模量產採購，驗證並拉動整條國產供應鏈的結構性升級。

“兩存” 合力，重塑全球存儲產業格局

長鑫與長存已築起了中國存儲產業的防火牆，兩者合力，正在從三個維度重塑全球存儲產業格局。

產能層面，集體突圍正在改變全球供給格局。

長鑫科技目前月產能 28 萬至 30 萬片 DRAM，2026 年底目標 40 萬片；長江存儲月產能 20 萬片 NAND，遠期規劃 50 萬片。

從全球供需格局看，2026 年全球 DRAM 產能約 1220 萬至 1280 萬片/月，NAND 產能約 1600 萬至 1700 萬片/月，“兩存” 的產能擴張正在實質性改變全球存儲供給結構。

全部達產後，兩存合計月產能將達 90 萬片，足以對全球存儲供需產生深遠影響。

技術層面，標準定義權正在發生歷史性轉移。

長鑫的 17nm 製程良率突破 90%，DDR5 速率達 8000MT/s，性能差距與龍頭產品縮至 5% 以內；長江存儲的 Xtacking 架構更實現了從 “跟跑” 到 “並跑” 的跨越。

尤其是 2025 年初三星與長江存儲達成混合鍵合技術專利許可協議，這是全球存儲產業三十年來，海外巨頭首次向中國企業購買核心技術專利。

當然客觀差距也明顯，製程代差依然存在，長鑫在工藝密度和能效上仍有約 1.5 至 2 代的追趕空間，HBM 領域差距更大。

資本層面，生態牽引力正在形成正向循環。

長鑫科技 IPO 募資 295 億元、長江存儲預期募資 200-300 億（該數據基於市場機構的合理預測），這些募集的資金會流向哪裏？

大概率預測融資額度約 80% 將轉化為存儲產業鏈的設備採購訂單，且會大規模採購國產設備，直接拉動刻蝕、薄膜沉積、清洗、量檢測等國產半導體設備全產業鏈的訂單增長，最終形成 “資本投入→產能擴張→國產替代深化→業績釋放” 的正向循環。

存儲雙雄將國產設備替代紮根到了全產業鏈深處。

景氣週期存續多久是關鍵

對投資存儲賽道的投資人而言，圍繞存儲雙雄，有兩個敏感問題無法迴避。

一是存儲超級景氣週期能持續多久？產能過剩拐點何時到來；二是資本市場能否承受如此大的募資抽血壓力。

存儲景氣週期前者決定如長鑫科技業績暴漲持續多久，畢竟其單季淨利潤達 330 億元是建立在存儲緊缺 DRAM 產品價格暴漲之上。

目前看，高盛等國際投行的預測是本輪存儲超級景氣週期大概率貫穿 2026-2027 年，供給剛性、HBM 擠佔、長協鎖貨三重因素疊加，決定了緊缺格局難以在短期內逆轉。

但風險是，海外大廠不是永遠不做通用存儲，只是當下 HBM 的毛利是通用存儲的 3-4 倍，資源優先傾斜高端賽道。一旦 HBM 供需緩和，海外巨頭隨時可以調整產線結構，回頭重新搶佔通用存儲市場。

韓國媒體傳出，三星內部此前已預判 DRAM 超級週期將於 2028 年終結，正據此校準投資節奏，避免重蹈過度擴張的覆轍。

美光大量新增產能預計將在 2028 年左右集中湧入市場，屆時供需平衡可能面臨重新洗牌。

另一龍頭 SK 海力士則更直接，調整產能規劃傾斜資源給通用 DRAM 產能。

韓媒稱，已佔據 HBM 競爭優勢 SK 海力士無需繼續採取激進的擴產競爭策略。相比之下，通用型 DRAM 供應嚴重短缺，盈利能力也已經超過 HBM，成為獲取更多利潤的新重點。

所以，留給長鑫和長存搶通用存儲市場的時間窗口，也就 1-2 年光景。

換言之，必須趕在 2028 年海外新產能集中釋放、供需格局逆轉之前，完成產能擴張和市場份額的鎖定。

對絕大部分理性的投資人而言，業績暴漲的長鑫值得買入，但 2024 年虧損的長鑫就不會多看一眼，所以市場集體關注週期反轉拐點。

另外關於募資抽血的問題。兩存合計預測 500-600 億元的融資規模，在 A 股日均成交額超 3 萬億元的市場體量中能否承受？

客觀説，不好評價， 兩存上市節奏大概率錯開許久，並非同個區間釋放，關鍵還是存儲賽道產業趨勢是決定市場走向的核心變量。

這裏也有賭國運的邏輯，賭存儲雙雄能夠逆流而上，穩住市場份額，業績營收持續增長，持續吸引資金流入。

把視角拉大，覆盤全球存儲產業四十年格局變遷，其實每一次龍頭換位，都離不開對週期窗口的精準把握：日本企業抓住 PC 產業起飛的窗口崛起，韓國企業抓住金融危機後的行業低谷逆勢擴產實現反超。

如今，AI 重構產業秩序、海外巨頭主動收縮通用賽道、國產替代需求全面爆發，三重紅利疊加，給了中國存儲雙雄一次改寫格局的歷史機遇。

長鑫科技 IPO 臨門一腳，長江存儲輔導啓動，資本化的大幕已經拉開。但要真正抓住這輪超級週期，核心還是產品競爭力。

最終看，新產線建設能否轉化為真實的市場份額，產品性價比能否在通用存儲領域徹底站穩腳跟。

但不管如何，國產存儲賽道已經成長起來。