智通财经 APP 获悉，东方证券发布研报称，近日，美光决定暂停对 DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X 的报价，业界传美光或对渠道存储产品大幅度调涨 20%-30%。随着供需天平逐渐向卖方市场倾斜，DDR4、LPDDR4X 价格自二季度起开启涨价潮，并有望延续到明年上半年。与此同时，受 HBM 产能挤占叠加新旧制程切换影响，下半年 DDR5、LPDDR5X 供应趋于紧张，DRAM 市场迎来全面涨价行情。随着原厂加大投入到 HBM 竞争并减少利基 DRAM 产能，国内利基 DRAM Tier2 供应商有望获得更大市场空间。<h2>东方证券主要观点如下：</h2>NAND 存储储涨价情绪持续升温此前闪迪宣布涨价，上游涨价消息带动行业和渠道市场迅速升温，根据 CFM 闪存市场数据，上周不同规格 Flash wafer 价格上涨 1.82%-6.25% 不等；SD 渠道市场和行业市场价格均全面上涨，其中 SSD 256GB(行业市场) 价格周涨幅最高，达 8.62%。供应端对部分 NAND 资源实施涨价策略，显著提升了行业客户的提货紧迫性，考虑到下半年服务器 NAND 市场备货需求升温，预计 Q4 企业级存储价格将继续呈现上涨趋势。DRAM 市场或迎来全面涨价行情近日，美光决定暂停对 DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X 的报价，业界传美光或对渠道存储产品大幅度调涨 20%-30%。随着供需天平逐渐向卖方市场倾斜，DDR4、LPDDR4X 价格自二季度起开启涨价潮，并有望延续到明年上半年。与此同时，受 HBM 产能挤占叠加新旧制程切换影响，下半年 DDR5、LPDDR5X 供应趋于紧张，DRAM 市场迎来全面涨价行情。市场普遍担心 DRAM 涨价行情持续性问题，AI 带动的需求持续性一直是本轮 DRAM 涨价行情的关键支撑，叠加供应端原厂产能切换的不可逆趋势，本轮 DRAM 涨价行情具有较强持续性。三星 12 层堆叠 HBM3E 通过英伟达认证，展望 HBM4 原厂竞争或加剧据市场媒体本周报道，三星 12 层堆叠 HBM3E 产品已成功通过 英伟达认证，正式跻身其 HBM 供应链体系。三星核心目标已瞄准下一代 HBM4 技术，据官方披露，依托 1cDRAM 技术，结合 4nm 逻辑芯片工艺，公司已成功研发出数据传输速率达 11Gbps 的 HBM4 产品，成为全球首个实现这一指标的厂商。TrendForce 预计 SK 海力士仍然会在 HBM4 供应初始量产阶段保持其最大供应商的位置。据 TrendForce 报道，考虑到 Instinct MI450 及 “Helios” 带来的威胁，英伟达最近向 Vera Rubin 零部件供应商提出新的要求，希望尽快将 HBM4 的速度从 8Gb/s 提高到 10Gb/s。东方证券认为，HBM4 时代，三星有望与 SK 海力士、美光实现 “同步布局”，原厂竞争或进一步加剧。随着原厂加大投入到 HBM 竞争并减少利基 DRAM 产能，国内利基 DRAM Tier2 供应商有望获得更大市场空间。标的方面存储行情景气度持续，国内先进存储产能持续扩充，AI 服务器和 AI 终端有望持续带动存储需求增长，同时叠加国产替代机遇，存储产业链相关标的： 兆易创新 (603986.SH)、普冉股份 (688766.SH)、德明利 (001309.SH)、佰维存储 (688525.SH)、北京君正 (300223.SZ)、朗科科技 (300042.SZ)、东芯股份 (688110.SH)、江波龙 (301308.SZ)、恒烁股份 (688416.SH)、万润科技 (002654.SZ)、深科技 (000021.SZ)、同有科技 (300302.SZ)、聚辰股份 (688123.SH)、联芸科技 (688449.SH) 等。风险提示下游需求增长不及预期；原厂退出进展不及预期。

美光科技

同有科技

东方证券发布研报指出，美光暂停对 DDR4、DDR5 等存储产品报价，预计将大幅调涨 20%-30%。供需关系向卖方市场倾斜，DDR4、LPDDR4X 价格自二季度起上涨，预计将持续至明年上半年。NAND 存储涨价情绪升温，Flash wafer 价格上涨 1.82%-6.25%。下半年服务器 NAND 市场备货需求增加，预计 Q4 企业级存储价格将继续上涨。

- 美光暂停对 DDR4、DDR5 报价，预计涨幅 20%-30%。  
- DDR4、LPDDR4X 自二季度起涨价，预计持续至明年上半年。  
- HBM 竞争加剧，国内利基 DRAM Tier2 供应商有望获益。  

东方证券：存储涨价情绪持续升温 持续看好国产存储产业链

东方证券：存储涨价情绪持续升温持续看好国产存储产业链