<div id="readability-page-1">台积电悄然宣布已开始量产采用其 N2（2nm 级）工艺的芯片。该公司并未发布正式新闻稿宣布量产启动，但此前曾多次表示 N2 工艺有望在第四季度实现量产，因此该计划已达成。 台积电在其 2nm 技术网页上发表声明称：“台积电的 2nm (N2) 技术已按计划于 2025 年第四季度开始量产。 ” N2 工艺采用第一代纳米片晶体管技术，在性能和功耗方面实现了全节点提升。台积电还开发了低电阻重分布层（RDL）和超高性能金属 - 绝缘体 - 金属（MiM）电容器，以进一步提升性能。 台积电 N2 技术在密度和能效方面都将成为半导体行业最先进的技术。凭借领先的纳米片晶体管结构，N2 技术将带来全节点性能和功耗优势，以满足日益增长的节能计算需求。通过我们持续改进的战略，N2 及其衍生技术将进一步巩固台积电的技术领先地位，并使其在未来很长一段时间内保持领先地位。” <img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/cefa3acb-ebbc-43a7-9e56-0eb13a485b09.jpeg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" width="1024" height="574" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/cefa3acb-ebbc-43a7-9e56-0eb13a485b09.jpeg"/> 从性能提升的角度来看，N2 的设计目标是在相同功耗下实现 10%–15% 的性能提升，在相同性能下降低 25%–30% 的功耗，并且对于包含逻辑、模拟和 SRAM 的混合设计，晶体管密度比 N3E 提高 15%。对于纯逻辑设计，晶体管密度比 N3E 高出 20%。 <img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/0fa2f191-2457-4c73-b608-342f9cb92e5d.jpeg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" width="864" height="612" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/0fa2f191-2457-4c73-b608-342f9cb92e5d.jpeg"/> 台积电的 N2 工艺是该公司首个采用环栅纳米片晶体管（GAA）的工艺节点。在这种晶体管中，栅极完全环绕由水平堆叠纳米片构成的沟道。这种几何结构改善了静电控制，降低了漏电，并能够在不牺牲性能或能效的前提下实现更小的晶体管尺寸，最终提高了晶体管密度。此外，N2 工艺还在电源传输网络中加入了超高性能金属 - 绝缘体 - 金属（SHPMIM）电容器。这些电容器的电容密度是上一代 SHDMIM 设计的两倍以上，并将薄层电阻（Rs）和过孔电阻（Rc）降低了 50%，从而提高了电源稳定性、性能和整体能效。 台积电首席执行官魏哲家在 10 月份的公司财报电话会议上表示：“N2 芯片的量产进展顺利，有望在本季度晚些时候实现，良率良好。我们预计，在智能手机和高性能计算人工智能应用的推动下，2026 年产能爬坡速度将加快。” 有趣的是，台积电已开始在其位于台湾高雄附近的 Fab 22 工厂生产 2 纳米级芯片。此前，市场预期台积电会在 Fab 20 工厂（位于台湾新竹附近）开始提升 N2 工艺芯片的产能，该工厂毗邻其新的全球研发中心，N2 系列制程技术正是在该中心研发的。Fab 20 工厂的量产可能会稍晚一些。 台积电将在全新的晶圆厂大规模量产 N2 工艺芯片，这始终存在一定的挑战性。值得注意的是，该公司将在新晶圆厂同时量产智能手机以及更大型的 “人工智能” 和 “高性能计算” 芯片（需要注意的是，高性能计算是一个宽泛的概念，涵盖了从游戏主机 SoC 到高性能服务器 CPU 等各种应用），这将增加一些额外的复杂性。通常情况下，台积电会优先量产移动和小型消费级芯片。 <img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/29b550be-4292-4209-b976-4596c852c6b6.jpeg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" width="1024" height="575" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/29b550be-4292-4209-b976-4596c852c6b6.jpeg"/> 同时启动两座具备 N2 工艺能力的晶圆厂建设，是因为台积电的众多合作伙伴对这项新工艺技术表现出浓厚的兴趣，因此需要为所有合作伙伴提供充足的产能。此外，从 2026 年底开始，这两座晶圆厂将用于生产基于 N2P（N2 工艺的性能增强版）和 A16（N2P 工艺的升级版，采用 Super Power Rail 背面供电设计，专为复杂的 AI 和 HPC 处理器打造）的芯片。 魏补充道：“秉承持续改进的战略，我们将推出 N2P，作为 N2 系列产品的延伸。N2P 在 N2 的基础上进一步提升了性能和功耗，计划于 2026 年下半年量产。此外，我们还推出了 A16，它采用了我们一流的超强电源轨（SPR）。A16 最适合具有复杂信号路径和密集供电网络的特定高性能计算（HPC）产品。A16 的量产也正按计划进行，将于 2026 年下半年投产。” 风险提示及免责条款 市场有风险，投资需谨慎。本文不构成个人投资建议，也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资，责任自负。 </div>

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台积电已开始量产其 N2（2nm 级）工艺的芯片，尽管未发布正式新闻稿。N2 工艺采用第一代纳米片晶体管技术，预计在性能和功耗方面实现 10%-15% 的性能提升和 25%-30% 的功耗降低。该技术将成为半导体行业最先进的技术，进一步巩固台积电的技术领先地位。

- 台积电已开始量产 N2（2nm 级）工艺芯片，领先纳米片晶体管技术。  
- N2 技术在性能和能效方面有望实现 10%-15% 提升，功耗降低 25%-30%。  
- 新晶圆厂同时生产多种芯片，满足市场对高性能计算的需求。

台积电 2nm，悄然量产