日本政府向韩国存储芯片巨头抛出极具吸引力的投资条件，但三星电子和 SK 海力士多年来始终未能做出实质性投资决定。
2 月 24 日，据 Trend Force 报道，尽管在日本建厂的成本可能仅为韩国本土的一半，且能获得全方位政策支持，三星电子和 SK 海力士仍因国内舆论压力和利益相关方的制约而保持观望。
SK 海力士近日正式否认了日经新闻关于其计划在日本投资 2 万亿日元建设存储芯片厂的报道。据 Chosun Biz 报道，三星和 SK 海力士过去数年间多次收到日本政府建厂邀约，但相关提案始终处于搁置状态。
报道称，这一谨慎态度与台积电、美光等芯片制造商在日本的快速扩张形成鲜明对比。日本政府已向台积电熊本工厂提供高达 4760 亿日元补贴，并为美光广岛 HBM 芯片厂提供最高 5000 亿日元支持，凸显其重振半导体产业的决心。
分析认为，韩国企业的犹豫可能影响其在全球半导体供应链重组中的竞争地位，特别是在高带宽存储器等关键领域，竞争对手正通过日本基地加速产能布局。
<h2 style="text-align: left">成本优势难掩政治顾虑</h2>
据 Chosun Biz 援引三星电子半导体部门高管的说法，在日本建设和运营存储芯片厂的前期投资和总拥有成本可能仅为韩国本土的约一半。
<blockquote>
日本政府提供的是&#34;全套支持方案&#34;，包括税收减免、基础设施援助、劳动力支持以及与本地设备供应商的对接。相比之下，韩国国内工厂几乎没有实质性激励措施，往往还会产生额外成本。
</blockquote>
然而 Chosun Biz 指出，三星和 SK 海力士推迟在日本建厂的主要原因在于国内舆论和来自政府及地方利益相关方的压力。
尽管从成本和长期增长角度看，日本工厂可能是最安全的选择，但这些外部制约因素的影响似乎超过了财务优势。
据 SeDaily 和 Chosun Biz 报道，两家公司的高管在过去几年中对日本半导体工厂建设进行了初步的成本估算层面审查，但讨论从未推进到实际投资决策或生产线规划阶段。
<h2 style="text-align: left">国际竞争者加速布局日本</h2>
报道称，与韩国存储芯片巨头的谨慎态度形成对比，台积电和美光正在日本快速扩张。
据 Chosun Biz 报道，日本经济产业省向台积电日本子公司 JASM 的熊本工厂提供了高达 4760 亿日元补贴，随后又为第二期投资追加支持。
据读卖新闻报道，台积电已敲定在熊本量产日本首批 3 纳米芯片的计划，总投资预计达 170 亿美元（约 2.6 万亿日元）。
存储芯片企业美光也在强化其在日本的布局。据日经新闻和路透社 2025 年底报道，美光将投资 1.5 万亿日元（96 亿美元）在广岛建设新的 HBM 芯片工厂。
建设将于 5 月在现有厂址开始，预计 2028 年左右开始出货。日本经济产业省为该项目提供最高 5000 亿日元的支持。
Chosun Biz 指出，日本政府对西部数据和铠侠合资运营的生产基地也持续提供支持。
2024 年，西部数据宣布其在铠侠四日市（三重县）和北上（岩手县）工厂的第 8 代和第 9 代 3D 闪存资本投资获得日本经济产业省认证，符合投资补贴资格。
根据官方新闻稿，两家工厂获得的总支持包括最高 1500 亿日元，另有 929 亿日元根据 2022 年 7 月批准的特定半导体生产设施发展计划提供。

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据报道，尽管日本开出 “建厂成本减半加全套补贴” 的优厚条件，三星与 SK 海力士因受制于韩国国内舆论及政治压力，仍对赴日投资保持观望。这与台积电、美光在日获巨额补贴并加速扩产形成鲜明对比。

- 日本政府向韩国存储芯片企业提供吸引投资条件，吸引力巨大。  
- 三星电子和 SK 海力士因国内舆论和利益相关方压力，未能实质投资。  
- 台积电和美光则在日本加速扩张，显示出市场竞争的加剧。

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