<div id="readability-page-1"><div>3 月 18 日，A 股三大指数集体高开，存储芯片概念再度活跃。上证科创板芯片设计主题指数截至发稿涨 1.47%，成分股中，佰维存储涨近 5% 再创历史新高，普冉股份涨超 4%，盛科通信与联芸科技上涨超 3%。相关 ETF 中，科创芯片设计 ETF 天弘（589070）近几日获资金布局明显。Wind 数据显示，该 ETF 昨日获资金净流入超 1200 万元，近 5 日累计 “吸金” 6852 万元。该 ETF 最新流通份额为 6.95 亿份，最新流通规模为 6.32 亿元。科创芯片设计 ETF 天弘（589070）具备 20% 的涨跌幅空间。该产品紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数聚焦于芯片设计核心环节，相关行业含量接近 95%，行业集中度较高、“含芯量” 突出，其成分股涵盖 50 家科创板芯片领域龙头企业。据财联社，当地时间周二（3 月 17 日），韩国 SK 集团董事长崔泰源在英伟达GTC 大会上表示，由于芯片生产存在系统性瓶颈，他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持续到 2030 年。与此同时，他预计 DRAM、NAND 和 HBM 等各类存储芯片的价格将持续上涨，涨势可能会持续较长时间。国泰海通证券指出， AI 发展引发全球存储 “大通胀”，对处于爬坡期的国产存储企业而言，改善了现金流、缩短了折旧回收周期，盈利的改善和股价的提升有利于其借助资本市场完成产能扩张，利好国内封测、设备等产业链，助力国产创新进程加速。<img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://inews.gtimg.com/om_bt/O2Z23usgPYugVa3crZWoiDecgYzb8qjKV5nP8v7a32NRkAA/641?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" width="960" height="35" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://inews.gtimg.com/om_bt/O2Z23usgPYugVa3crZWoiDecgYzb8qjKV5nP8v7a32NRkAA/641"/></div></div>

纳斯达克半导体 ETF - First Trust

华夏上证科创板半导体材料设备主题ETF

佰维存储

存储芯片短缺可能持续至 2030 年，A 股存储芯片概念股活跃，科创芯片设计 ETF 天弘（589070）近 5 日获净流入近 7000 万元。上证科创板芯片设计主题指数上涨 1.47%，佰维存储涨近 5% 创历史新高。SK 集团董事长预计存储芯片价格将持续上涨，AI 发展引发全球存储 “大通胀”，有利于国产存储企业的盈利改善和股价提升。

腾讯新闻 - 财经

国联安半导体ETF

国泰CES半导体芯片行业ETF

广发上证科创板芯片设计主题ETF

易方达上证科创板芯片设计主题ETF

国泰中证半导体材料设备主题ETF

南方两倍做多海力士

天弘上证科创板芯片设计主题ETF

国泰中证全指集成电路ETF

存储巨头预警，存储芯片短缺或持续至 2030 年！科创芯片设计 ETF 天弘（589070）近 5 日获净流入累近 7000 万元