<p>新闻：微电子</p>
<p>国际贸易委员会确认 Innoscience 侵犯英飞凌 GaN 专利的初步裁定</p>
<p>德国慕尼黑的英飞凌科技公司表示，美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会确认了 2025 年 12 月 ITC 的初步裁定，认为中国的 Innoscience（苏州）科技控股有限公司侵犯了英飞凌关于氮化镓（GaN）技术的专利，并对 Innoscience 下达了进口和销售禁令。委员会的最终决定和禁令需经过美国总统的 60 天审查期。</p>
<p>“这一决定再次突显了英飞凌知识产权的强大。它强化了我们积极保护英飞凌专利组合和维护行业公平竞争的承诺，” 英飞凌 GaN 系统业务线高级副总裁兼负责人 Johannes Schoiswohl 表示。“凭借我们行业领先的 300mm GaN 制造能力，我们在规模创新和提供客户加速脱碳和数字化所需的性能、质量和成本优势方面具有独特的优势，” 他继续说道。</p>
<p>在德国的平行争议中，英飞凌在慕尼黑地区法院 I（Landgericht München I）主张侵犯三项专利和一项实用新型。早在 2024 年 8 月，慕尼黑法院就已发现 Innoscience 侵犯了第一项英飞凌专利。另两项专利和一项实用新型的审判定于今年 6 月进行。</p>
<p>北京知识产权法院维持 Innoscience 的 GaN 专利有效性</p>
<p>美国 ITC 初步裁定发现 Innoscience 侵犯英飞凌专利</p>
<p>GaN-on-Si</p>
<p>www.innoscience.com</p>
<p>www.infineon.com</p>

英飞凌

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<p>美国国际贸易委员会（ITC）确认了其初步裁定，认为 Innoscience 侵犯了英飞凌的氮化镓专利，这导致对 Innoscience 实施进口和销售禁令。英飞凌强调其知识产权的强大以及对公平竞争的承诺。该决定需经过美国总统的 60 天审查。此外，英飞凌还在德国对 Innoscience 提起了进一步的专利侵权诉讼，审判定于 6 月进行</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新闻：微电子</p>
</div><p>ITC affirms initial determination that Innoscience infringed Infineon GaN patent</p>
<div class="lb-trans"><p>国际贸易委员会确认 Innoscience 侵犯英飞凌 GaN 专利的初步裁定</p>
</div><p>Infineon Technologies AG of Munich, Germany says that the Full Commission of the US International Trade Commission (ITC) has affirmed the ITC’s initial determination from December 2025 that China-based Innoscience (Suzhou) Technology Holding Co Ltd, which manufactures GaN-on-silicon power chips on 8” silicon wafers, infringed an Infineon patent concerning gallium nitride (GaN) technology and ordered import and sales bans against Innoscience. The Commission’s final decision and the bans are subject to a 60-day review period of the US President.</p>
<div class="lb-trans"><p>德国慕尼黑的英飞凌科技公司表示，美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会确认了 2025 年 12 月 ITC 的初步裁定，认为中国的 Innoscience（苏州）科技控股有限公司侵犯了英飞凌关于氮化镓（GaN）技术的专利，并对 Innoscience 下达了进口和销售禁令。委员会的最终决定和禁令需经过美国总统的 60 天审查期。</p>
</div><p>“This decision once again highlights the robustness of Infineon’s intellectual property. It reinforces our commitment to actively protect Infineon’s patent portfolio and uphold fair competition in the industry,” says Johannes Schoiswohl, senior VP &amp; head of Infineon’s GaN Systems business line. “With our industry-leading 300mm GaN manufacturing, we are uniquely positioned to scale innovation and deliver the performance, quality and cost advantages that our customers need to accelerate decarbonization and digitalization,” he continues.</p>
<div class="lb-trans"><p>“这一决定再次突显了英飞凌知识产权的强大。它强化了我们积极保护英飞凌专利组合和维护行业公平竞争的承诺，” 英飞凌 GaN 系统业务线高级副总裁兼负责人 Johannes Schoiswohl 表示。“凭借我们行业领先的 300mm GaN 制造能力，我们在规模创新和提供客户加速脱碳和数字化所需的性能、质量和成本优势方面具有独特的优势，” 他继续说道。</p>
</div><p>In a parallel dispute in Germany, Infineon is asserting infringement of three patents and one utility model in the Munich District Court I (Landgericht München I). Already in August 2024, the Munich court found infringement of the first Infineon patent by Innoscience. Trials for another patent and a utility model are scheduled this June.</p>
<div class="lb-trans"><p>在德国的平行争议中，英飞凌在慕尼黑地区法院 I（Landgericht München I）主张侵犯三项专利和一项实用新型。早在 2024 年 8 月，慕尼黑法院就已发现 Innoscience 侵犯了第一项英飞凌专利。另两项专利和一项实用新型的审判定于今年 6 月进行。</p>
</div><p>Beijing Intellectual Property Court upholds validity of Innoscience’s GaN patents</p>
<div class="lb-trans"><p>北京知识产权法院维持 Innoscience 的 GaN 专利有效性</p>
</div><p>US ITC preliminary determination finds violation of Infineon patent by Innoscience</p>
<div class="lb-trans"><p>美国 ITC 初步裁定发现 Innoscience 侵犯英飞凌专利</p>
</div><p>GaN-on-Si</p>
<div class="lb-trans"><p>GaN-on-Si</p>
</div><p>www.innoscience.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.innoscience.com</p>
</div><p>www.infineon.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.infineon.com</p>
</div>

ITC 确认初步裁定 Innoscience 侵犯了英飞凌的 GaN 专利