<p>新闻：微电子</p>
<p>英飞凌扩展 XHP 2 CoolSiC MOSFET 功率模块产品线</p>
<p>德国慕尼黑的英飞凌科技公司扩展了其 XHP 2 功率模块产品线，新增了采用 2300V CoolSiC MOSFET 的新变体，旨在满足高压电力系统的需求。这些新的 2300V 级设备支持高达 1500V 的直流链接电压，符合行业向更高系统电压发展的趋势。</p>
<p>这些模块提供多种变体，导通电阻（RDS(on)）值范围从 1mΩ到 2mΩ，绝缘电压为 4kV 或 6kV。</p>
<p>通过利用碳化硅（SiC）技术，这些设备相比传统的硅基解决方案减少了开关和导通损耗。这使得逆变器能够实现更高的效率和功率密度，或在更高的开关频率下运行，以减少谐波和系统体积。新的 XHP 2 CoolSiC MOSFET 模块非常适合可再生能源应用，包括风能、光伏和电池储能系统。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/gip-igbt-xhp2-aisic.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="1200" height="621" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/gip-igbt-xhp2-aisic.jpg"/></p>
<p><em>图片：英飞凌的 XHP 2 功率模块产品线。</em></p>
<p>这些模块采用 XHP 2 封装，具有对称的开关特性，便于在大型功率转换器中并联，并提供一个标准化平台，使开发人员能够根据应用需求平衡效率和性能。所有变体都集成了英飞凌经过验证的.XT 互连技术，增强了可靠性并延长了使用寿命。这些模块还提供预涂热界面材料，简化了组装，同时支持一致的热性能。</p>
<p>英飞凌表示，这些特性转化为可测量的系统级收益。在一个风能演示系统中，达到了 300kW/L 的功率密度，而在电池储能系统的测试中，半导体损耗低于输出功率的 0.7%。</p>
<p>通过此次产品线扩展，英飞凌支持下一代高压电力系统的可扩展解决方案，涵盖广泛的可再生能源应用。</p>
<p>英飞凌现已推出额定 2300V 的 XHP 2 CoolSiC MOSFET 模块，型号为 FF1000UXTR23T2M1、FF1300UXTR23T2M1、FF2000UXTR23T2M1 和 FF1000UXTR23T2M1_B5，现已通过英飞凌及其分销合作伙伴提供。</p>
<p>英飞凌在 XHP 2 封装中新增了使用 3.3kV MOSFET 的 CoolSiC 功率模块，目标是牵引应用。</p>
<p>英飞凌</p>
<p>www.infineon.com/products/</p>

英飞凌(ADR)

英飞凌

半导体 3 倍做多 - Direxion

半导体 ETF - VanEck Vectors

费城交易所 半导体 ETF - iShares

标普半导体 ETF - SPDR

<p>英飞凌科技股份公司已扩展其 XHP 2 功率模块产品线，推出新的 2300V CoolSiC MOSFET，专为高压电力系统设计。这些模块支持高达 1500V 的直流链接电压，提供从 1mΩ 到 2mΩ 的导通电阻值。利用碳化硅技术，它们提高了效率和功率密度，使其适用于风能和电池储能系统等可再生能源应用。新模块现已上市，支持下一代高压电力系统的可扩展解决方案</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新闻：微电子</p>
</div><p>Infineon expands XHP 2 CoolSiC MOSFET power module portfolio</p>
<div class="lb-trans"><p>英飞凌扩展 XHP 2 CoolSiC MOSFET 功率模块产品线</p>
</div><p>Infineon Technologies AG of Munich, Germany has expanded its XHP 2 power module portfolio with new variants incorporating CoolSiC MOSFETs 2300V, designed for high-voltage power systems. The new 2300V-class devices support DC-link voltages of up to 1500V, addressing the industry trend toward higher system voltages.</p>
<div class="lb-trans"><p>德国慕尼黑的英飞凌科技公司扩展了其 XHP 2 功率模块产品线，新增了采用 2300V CoolSiC MOSFET 的新变体，旨在满足高压电力系统的需求。这些新的 2300V 级设备支持高达 1500V 的直流链接电压，符合行业向更高系统电压发展的趋势。</p>
</div><p>The modules are available in several variants, offering on-resistance (RDS(on)) values ranging from 1mΩ to 2mΩ and isolation voltages of 4kV or 6kV.</p>
<div class="lb-trans"><p>这些模块提供多种变体，导通电阻（RDS(on)）值范围从 1mΩ到 2mΩ，绝缘电压为 4kV 或 6kV。</p>
</div><p>By leveraging silicon carbide (SiC) technology, the devices reduce both switching and conduction losses compared to conventional silicon-based solutions. This enables inverters to achieve higher efficiency and power density, or to operate at higher switching frequencies to reduce harmonics and system size. The new XHP 2 CoolSiC MOSFET modules are well suited for renewable energy applications, including wind, photovoltaic and battery storage systems.</p>
<div class="lb-trans"><p>通过利用碳化硅（SiC）技术，这些设备相比传统的硅基解决方案减少了开关和导通损耗。这使得逆变器能够实现更高的效率和功率密度，或在更高的开关频率下运行，以减少谐波和系统体积。新的 XHP 2 CoolSiC MOSFET 模块非常适合可再生能源应用，包括风能、光伏和电池储能系统。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/gip-igbt-xhp2-aisic.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/gip-igbt-xhp2-aisic.jpg"/></p>
<p><em>Picture: Infineon’s XHP 2 power module portfolio.</em></p>
<div class="lb-trans"><p><em>图片：英飞凌的 XHP 2 功率模块产品线。</em></p>
</div><p>Implemented in the XHP 2 package, the modules feature symmetrical switching behavior for easy paralleling in large power converters and offer a standardized platform that enables developers to balance efficiency and performance according to application requirements. All variants integrate Infineon’s proven .XT interconnection technology, enhancing reliability and extending operational lifetime. The modules are also available with a pre-applied thermal interface material, simplifying assembly while supporting consistent thermal performance.</p>
<div class="lb-trans"><p>这些模块采用 XHP 2 封装，具有对称的开关特性，便于在大型功率转换器中并联，并提供一个标准化平台，使开发人员能够根据应用需求平衡效率和性能。所有变体都集成了英飞凌经过验证的.XT 互连技术，增强了可靠性并延长了使用寿命。这些模块还提供预涂热界面材料，简化了组装，同时支持一致的热性能。</p>
</div><p>These characteristics translate into measurable system-level benefits, says Infineon. In a wind power demonstration system, a power density of 300kW/L was achieved, while tests in battery storage systems showed semiconductor losses of less than 0.7% of the output power.</p>
<div class="lb-trans"><p>英飞凌表示，这些特性转化为可测量的系统级收益。在一个风能演示系统中，达到了 300kW/L 的功率密度，而在电池储能系统的测试中，半导体损耗低于输出功率的 0.7%。</p>
</div><p>With this portfolio expansion, Infineon supports scalable solutions for next-generation high-voltage power systems across a wide range of renewable energy applications.</p>
<div class="lb-trans"><p>通过此次产品线扩展，英飞凌支持下一代高压电力系统的可扩展解决方案，涵盖广泛的可再生能源应用。</p>
</div><p>The XHP 2 CoolSiC MOSFET modules with a 2300V rating, FF1000UXTR23T2M1, FF1300UXTR23T2M1, FF2000UXTR23T2M1, and FF1000UXTR23T2M1_B5, are available now from Infineon and its distribution partners.</p>
<div class="lb-trans"><p>英飞凌现已推出额定 2300V 的 XHP 2 CoolSiC MOSFET 模块，型号为 FF1000UXTR23T2M1、FF1300UXTR23T2M1、FF2000UXTR23T2M1 和 FF1000UXTR23T2M1_B5，现已通过英飞凌及其分销合作伙伴提供。</p>
</div><p>Infineon adds CoolSiC power modules using 3.3kV MOSFETs in XHP 2 package, targeting traction applications</p>
<div class="lb-trans"><p>英飞凌在 XHP 2 封装中新增了使用 3.3kV MOSFET 的 CoolSiC 功率模块，目标是牵引应用。</p>
</div><p>Infineon</p>
<div class="lb-trans"><p>英飞凌</p>
</div><p>www.infineon.com/products/</p>
<div class="lb-trans"><p>www.infineon.com/products/</p>
</div>

英飞凌扩展了其 XHP 2 CoolSiC MOSFET 功率模块的产品组合