存储卡了 AI 的脖子，又是谁卡了存储的脖子？

卡存储脖子的是一条从设备到材料、高度寡头垄断的上游供应链。UncleK 这篇内容将按照 HBM、DRAM、NAND 三条线拆解。

一、先说 HBM

HBM 的瓶颈不是单一环节，而是TSV 刻蚀 × 键合工艺 × CoWoS 封装三重叠加，每个环节由 1-2 家企业垄断。

TSV 深硅刻蚀：全球垄断者$泛林集团(LRCX.US) 供应三星和 SK 海力士

混合键合/堆叠：$拓荆科技(688072.SH) 

ABF 载板薄膜：几乎被味之素垄断，国内的话$深南电路(002916.SZ) $兴森科技(002436.SZ) 

CoWos 先进封装：台积电$台积电(TSM.US) $长电科技(600584.SH) $通富微电(002156.SZ) $深科技(000021.SZ) 

晶圆切割：DISCO JP

塑封料：住友 和昭和电工，国内通过海力士认证的是$华海诚科(688535.SH) 

二、DRAM

EUV 是关键，DRAM 从 1α/1β/1c 制程开始必须大量使用 EUV，而 ASML $阿斯麦(ASML.US) 是全球唯一供应商，年出货仅 50-60 台，积压订单 388 亿欧元。

另外还有刻蚀设备$泛林集团(LRCX.US) 

薄膜沉积设备$应用材料(AMAT.US) $拓荆科技(688072.SH) 

High-k 电容材料：$雅克科技(002409.SZ) 

光刻胶：主要是日本企业 JSR、信越化学和东京应化 国内就$南大光电(300346.SZ) $彤程新材(603650.SH) 

12 英寸硅片：信越化学 SUMCO 和国内的$沪硅产业(688126.SH) 

三星平泽 P4 加速建设中但 2026 年底才能全面投产；SK 海力士 HBM 产能挤占通用 DRAM（HBM:DRAM 产能消耗比=3:1）；美光 Q2 2026 只能满足客户 50-66% 的需求。

三、NAND

高深宽比刻蚀逼近物理极限，3D NAND 从 176 层→232 层→300 层 +，面临的核心挑战是单层刻蚀在 250 层左右逼近物理天花板。

$泛林集团(LRCX.US) $中微公司(688012.SH) $应用材料(AMAT.US) $拓荆科技(688072.SH) $华特气体(688268.SH) 

卡存储脖子的，如果按照顺序排三个梯队，我认为分别是：

第一梯队：核心设备和材料

$阿斯麦(ASML.US) $泛林集团(LRCX.US) $应用材料(AMAT.US) 

其次是味之素 DISCO  信越化学 和 BESI

第二梯队：国内的高确定性企业

$北方华创(002371.SZ) $中微公司(688012.SH) $拓荆科技(688072.SH) $雅克科技(002409.SZ) $华海诚科(688535.SH) $长电科技(600584.SH) $深科技(000021.SZ) $澜起科技(688008.SH) 

第三梯队：相对稳健的

$华海清科(688120.SH) $沪硅产业(688126.SH) $江丰电子(300666.SZ) $鼎龙股份(300054.SZ) $安集科技(688019.SH) $华特气体(688268.SH) $联瑞新材(688300.SH) $生益科技(600183.SH) $菲利华(300395.SZ) $德邦科技(688035.SH) 

以上为 UncleK 本人研究，仅共享参考，不作为投资建议。