作者：周源/華爾街見聞
隨着全球半導體行業向先進封裝技術加速轉型，材料供應鏈的穩定性正面臨新考驗。
5 月下旬，華爾街見聞從供應鏈權威渠道獲悉，台積電（TSMC）在先進封裝領域的產能擴張計劃，直接引發了低温光敏聚酰亞胺（PSPI）材料的全球供應緊張。
作為該材料的主要供應商之一，日本旭化成因全力保障台積電需求，不得不對中國封測企業實施限供，這一變化意外推升國產低温 PI 材料的產業化速度。
近年來，台積電在先進封裝領域的佈局堪稱激進。
台積電當前封裝的核心技術——CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）：通過三維堆疊實現芯片性能躍升，已成為英偉達 H100/H200 等 AI 芯片的關鍵封裝方案。
為滿足市場需求，台積電計劃提升 CoWoS 高達 1 倍的產能；在 5 下旬，台積電的擴產需求影響到專業材料供應。
這一擴張不僅涉及中國台灣本土，還包括在日本熊本建設新的封裝基地，預計將引入 CoWoS 技術生產線。
低温 PSPI 材料在先進封裝中承擔着關鍵角色。
這種材料具有低介電常數、高耐熱性和光刻兼容性，被廣泛應用於硅中介層的層間絕緣、RDL（重新佈線層）製備以及 TSV（硅通孔）填充等工藝。
日本旭化成長期是台積電低温 PSPI 材料的主要供應商之一。
該公司憑藉在電子材料領域的技術積累，其 PSPI 產品在耐熱性（Tg≥320℃）和分辨率（0.1μm 級）等指標上處於行業頭部水平。
但隨着台積電產能激增，旭化成的產能瓶頸逐漸顯現。
為優先保障核心客户需求，自 2025 年第二季度起，旭化成將無法再供應中國封測企業。這一限供措施直接衝擊了中國封測行業。
長電科技、通富微電等頭部企業在先進封裝領域的擴產計劃面臨材料斷供風險。華爾街見聞了解到，近期已有多家國內封測巨頭接到旭日成明確停止供應低温 PSPI 材料的通知函。
“那怎麼辦？” 華爾街見聞詢問供應鏈。多位人士表示，“只能加速驗證國產的，當然也包括其他公司的，多管齊下。”
國產供應商在此背景下迎來發展契機。
明士新材料在低温 PSPI 研發中取得階段性成果，其自主研發的產品固化温度≤250℃、分辨率達 0.1μm、介電常數≤3.0（1MHz），性能指標接近國際頭部企業同類產品。
該公司的這種材料通過國內頭部封測廠的工藝驗證，已進入供應鏈體系，適配先進封裝領域的技術需求。在存儲芯片封裝場景中，這種材料特性可滿足 HBM3 存儲芯片堆疊與 3D IC 集成對絕緣層的精密要求。
但很奇怪，根據廣東省深圳市中級人民法院公開裁定文書，明士新材料於 2024 年 7 月因資不抵債被債權人申請破產重整，目前處於司法重整階段。
擁有高端封裝所需的材料，卻資不抵債導致破產重整，最大的可能是該公司的這種材料並未得到產業驗證。截至當前，明士新材料尚未披露重整後的技術團隊整合及生產恢復計劃。
國內還有家公司叫做艾森股份，是國內首家實現正性 PSPI 量產的企業，其產品分辨率達 3μm，適用於傳統晶圓級封裝（WLP）及部分 2.5D 封裝底層結構。
但艾森股份提供的不是低温 PSPI 材料，更適合中低端封裝場景，達不到高端場景應用要求。
國內企業的技術突破源於長期的研發積累和政策支持。
像鼎龍股份，依託在 OLED 顯示用 PSPI 領域的技術儲備，開發出適配半導體封裝的低温固化配方，重點解決了邊緣光刻清晰度問題；另外強力新材，聚焦光刻膠配套材料，開發出低吸濕性 PSPI 前驅體，適配晶圓級封裝（WLP），並通過通富微電的測試驗證。
其中，強力新材還從旭日成挖了角，重點開發和旭日成對標的低温 PSPI 材料。
這些進展表明，國產低温 PSPI 正在從實驗室走向產業化應用。此次市場需求的意外爆發，為國產材料提供了難得的窗口期。
隨着 Chiplet 技術的普及和 3D 封裝的深化，低温 PSPI 的性能要求將進一步提升。
國內企業需在以下領域持續突破：一是降低固化温度至 200℃以下，以適配更多先進製程；二是提升耐温性至 350℃以上，滿足車規級芯片需求；三是開發無氟配方，解決環保和成本問題。
在這個過程中，產業鏈協同將成為關鍵。
台積電的擴產動作正在重塑全球半導體材料供應鏈格局。低温 PSPI 領域的國產替代不僅是技術突破，更是產業鏈自主可控的關鍵一步。從目前的技術發展階段來看，國內有望在 3-5 年內實現低温 PSPI 的規模化產業應用，為先進封裝產業提供堅實支撐。

強力新材

鼎龍股份

台積電

半導體 3 倍做多 - Direxion

- 台積電擴產導致低温 PSPI 材料全球供應緊張。  
- 日本旭化成限供中國封測企業，國產材料迎發展機遇。  
- 產業鏈協同將是實現低温 PSPI 規模化應用的關鍵。  

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