智通財經 APP 獲悉，東方證券發佈研報稱，近日，美光決定暫停對 DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X 的報價，業界傳美光或對渠道存儲產品大幅度調漲 20%-30%。隨着供需天平逐漸向賣方市場傾斜，DDR4、LPDDR4X 價格自二季度起開啓漲價潮，並有望延續到明年上半年。與此同時，受 HBM 產能擠佔疊加新舊制程切換影響，下半年 DDR5、LPDDR5X 供應趨於緊張，DRAM 市場迎來全面漲價行情。隨着原廠加大投入到 HBM 競爭並減少利基 DRAM 產能，國內利基 DRAM Tier2 供應商有望獲得更大市場空間。<h2>東方證券主要觀點如下：</h2>NAND 存儲儲漲價情緒持續升温此前閃迪宣佈漲價，上游漲價消息帶動行業和渠道市場迅速升温，根據 CFM 閃存市場數據，上週不同規格 Flash wafer 價格上漲 1.82%-6.25% 不等；SD 渠道市場和行業市場價格均全面上漲，其中 SSD 256GB(行業市場) 價格周漲幅最高，達 8.62%。供應端對部分 NAND 資源實施漲價策略，顯著提升了行業客户的提貨緊迫性，考慮到下半年服務器 NAND 市場備貨需求升温，預計 Q4 企業級存儲價格將繼續呈現上漲趨勢。DRAM 市場或迎來全面漲價行情近日，美光決定暫停對 DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X 的報價，業界傳美光或對渠道存儲產品大幅度調漲 20%-30%。隨着供需天平逐漸向賣方市場傾斜，DDR4、LPDDR4X 價格自二季度起開啓漲價潮，並有望延續到明年上半年。與此同時，受 HBM 產能擠佔疊加新舊制程切換影響，下半年 DDR5、LPDDR5X 供應趨於緊張，DRAM 市場迎來全面漲價行情。市場普遍擔心 DRAM 漲價行情持續性問題，AI 帶動的需求持續性一直是本輪 DRAM 漲價行情的關鍵支撐，疊加供應端原廠產能切換的不可逆趨勢，本輪 DRAM 漲價行情具有較強持續性。三星 12 層堆疊 HBM3E 通過英偉達認證，展望 HBM4 原廠競爭或加劇據市場媒體本週報道，三星 12 層堆疊 HBM3E 產品已成功通過 英偉達認證，正式躋身其 HBM 供應鏈體系。三星核心目標已瞄準下一代 HBM4 技術，據官方披露，依託 1cDRAM 技術，結合 4nm 邏輯芯片工藝，公司已成功研發出數據傳輸速率達 11Gbps 的 HBM4 產品，成為全球首個實現這一指標的廠商。TrendForce 預計 SK 海力士仍然會在 HBM4 供應初始量產階段保持其最大供應商的位置。據 TrendForce 報道，考慮到 Instinct MI450 及 “Helios” 帶來的威脅，英偉達最近向 Vera Rubin 零部件供應商提出新的要求，希望儘快將 HBM4 的速度從 8Gb/s 提高到 10Gb/s。東方證券認為，HBM4 時代，三星有望與 SK 海力士、美光實現 “同步佈局”，原廠競爭或進一步加劇。隨着原廠加大投入到 HBM 競爭並減少利基 DRAM 產能，國內利基 DRAM Tier2 供應商有望獲得更大市場空間。標的方面存儲行情景氣度持續，國內先進存儲產能持續擴充，AI 服務器和 AI 終端有望持續帶動存儲需求增長，同時疊加國產替代機遇，存儲產業鏈相關標的： 兆易創新 (603986.SH)、普冉股份 (688766.SH)、德明利 (001309.SH)、佰維存儲 (688525.SH)、北京君正 (300223.SZ)、朗科科技 (300042.SZ)、東芯股份 (688110.SH)、江波龍 (301308.SZ)、恆爍股份 (688416.SH)、萬潤科技 (002654.SZ)、深科技 (000021.SZ)、同有科技 (300302.SZ)、聚辰股份 (688123.SH)、聯芸科技 (688449.SH) 等。風險提示下游需求增長不及預期；原廠退出進展不及預期。

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東方證券發佈研報指出，美光暫停對 DDR4、DDR5 等存儲產品報價，預計將大幅調漲 20%-30%。供需關係向賣方市場傾斜，DDR4、LPDDR4X 價格自二季度起上漲，預計將持續至明年上半年。NAND 存儲漲價情緒升温，Flash wafer 價格上漲 1.82%-6.25%。下半年服務器 NAND 市場備貨需求增加，預計 Q4 企業級存儲價格將繼續上漲。

- 美光暫停對 DDR4、DDR5 報價，預計漲幅 20%-30%。  
- DDR4、LPDDR4X 自二季度起漲價，預計持續至明年上半年。  
- HBM 競爭加劇，國內利基 DRAM Tier2 供應商有望獲益。  

東方證券：存儲漲價情緒持續升温 持續看好國產存儲產業鏈

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