智通財經 APP 獲悉，華創證券發佈研報稱，光刻機是半導體設備中最複雜、價值量最高的環節，也是國產化進程中亟待攻克的高地。2024 年中國已成為全球最大光刻機採購市場，貢獻 ASML 營收 41%。未來在政策、需求與驗證三重驅動下，國產光刻機有望進入商業化加速階段。國產整機與核心子系統加速突破，進入從驗證向量產轉化的關鍵階段，建議關注具備核心環節能力的本土廠商茂萊光學 (688502.SH)、匯成真空 (301392.SZ) 等。<h2>華創證券主要觀點如下：</h2>光刻機是半導體設備中最複雜、價值量最高的環節，也是國產化進程中亟待攻克的高地光刻作為晶圓製造的核心工序，承擔電路圖形轉移的關鍵使命，單機價值量居半導體設備首位。根據觀研天下數據中心，2024 年光刻機以約 24% 的市場份額在半導體設備中佔比最高。光刻機演進遵循瑞利判據 (CD=k·λ/NA)，通過光源波長縮短、數值孔徑提升及工藝因子優化，延續摩爾定律推動工藝節點突破。1) 汞燈到 DUV 再到 EUV，波長逐步縮短;2) 浸沒式技術突破折射率瓶頸，使 NA 提升至 1.35;3) 工藝因子優化，離軸照明、OPC、相移掩模、多重曝光等系統性優化手段擴展工藝窗口;4) 曝光方式由接觸式演進至步進掃描投影，確立現代主流架構。光源系統、光學系統與工作台系統三大核心子系統構成，分別承載能量供給、圖形成像與精準對位三大關鍵功能。光源系統通過不斷縮短波長以提升分辨率，演進路徑從汞燈、KrF、ArF 擴展至 EUV 激光等離子體光源;光學系統作為成像核心，DUV 時代以高 NA 折射透鏡為主，EUV 時代則轉向多層反射鏡體系以適應光源波長極限，架構顯著改變;而工作台系統則承擔晶圓高速移動與高精度對準，在浸沒式與 EUV 設備中演進至雙工件台和磁懸浮結構，支撐高通量與納米級精度協同。三大系統協同推進光刻精度提升、良率改善與產能釋放，共同構築整機壁壘。他山之石可以攻玉，覆盤光刻機產業五十年龍頭更替史美系廠商憑藉半導體發源地優勢率先起步，日系企業依託精密光學與政策扶持在 DUV 時代登頂;ASML 則通過三次代際躍升實現跨越反超：2000 年 TWINSCAN 雙工件台提升產能效率，2004 年浸沒式 ArF 突破光學極限，2007 年市佔率超越尼康。此後，依託 EUV 光源獨家攻關與客户聯合投資，ASML 於 2017 年實現量產交付，奠定先進製程核心地位。與此同時，公司併購 Cymer、HMI、Berliner Glas 並深度綁定蔡司，形成覆蓋光源、光學、檢測的閉環壁壘。全球格局上，2024 年 ASML/Canon/Nikon 市佔率分別為 61.2%/34.1%/4.7%，Canon 與 Nikon 聚焦 KrF 與 i-line 等成熟機型，而 ASML 在 ArFi 浸沒式與 EUV 領域高度壟斷。未來，隨着 ASMLHigh-NA 逐步量產，高端市場 “一超” 格局有望進一步穩固。需求、政策與外部環境共振，國產替代迎來追趕窗口期2024 年中國已成為全球最大光刻機採購市場，貢獻 ASML 營收 41%。當前中國光刻機高端機型依賴進口，在美日荷聯合封鎖風險下，國產化進度勢在必得。政策端 “02 專項” 體系化佈局曝光光學、雙工件台、浸液系統等核心環節，推動國產技術快速迭代，上海微電子、華卓精科等已在 90nm ArF 機型與雙工件台實現突破。未來在政策、需求與驗證三重驅動下，國產光刻機有望進入商業化加速階段。風險提示：技術驗證進度不及預期、下游擴產需求不及預期、原材料成本波動風險、競爭格局演變風險。

匯成真空

茂萊光學

華創證券發佈研報指出，國產光刻機在政策、需求與驗證的推動下，預計將進入商業化加速階段。光刻機是半導體設備中最複雜、價值最高的環節，2024 年中國將成為全球最大光刻機採購市場。建議關注具備核心能力的本土廠商如茂萊光學和匯成真空。光刻機市場份額預計將達到 24%。

華創證券：國產整機與核心子系統加速突破 光刻機國產替代迎來奇點時刻

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