在市場目光幾乎全部聚焦於 AI 高帶寬內存（HBM）的喧囂之時，摩根士丹利的一份最新研報為那些尋找非擁擠交易的投資者提供了關鍵線索。
據追風交易台，12 月 4 日，由分析師 Daniel Yen 和 Charlie Chan 領導的大摩團隊，在針對大中華區科技半導體的報告中指出，“傳統存儲” 市場正在醖釀一場供需錯配的完美風暴。對於仍在猶豫是否該在近期反彈中落袋為安的投資者，大摩的結論異常明確：週期才剛剛開始，現在下車為時尚早。
<h2 style="text-align: left">這不是獲利了結的時候</h2>
大摩早在今年二季度末就預判了傳統存儲的供應短缺將驅動一輪 “超級週期”。如今，這一預判正在兑現，合約價格已在三季度末開始回升。從歷史規律來看，純粹的傳統存儲上升週期通常持續 3-4 個季度，這意味着上漲動能遠未耗盡。
報告直言不諱地指出，市場對於 2026 年的盈利預測可能仍過於保守：
<blockquote>
“這還不是獲利了結的時候……共識盈利預期在 2026 年可能會有非常有意義的增長。”
</blockquote>
<h2 style="text-align: left">DDR4 與 NOR 的 “瘋狂” 定價</h2>
報告中最引人注目的數據來自於 DDR4 市場的劇烈分化。受企業級需求推動，DDR4 的初步價格談判對供應商極為有利。
大摩預計，2026 年第一季度的合約價格可能飆升超過 100%。目前的供需緊張程度令人咋舌，尤其是 16Gb DDR4 產品嚴重短缺，渠道庫存已接近於零。而這種短缺直接導致了現貨市場與 DRAMeXchange 基準價格的驚人背離：
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“現貨價格高達 100 美元，而 DRAMeXchange 顯示的現貨價格僅為 45.5 美元。”
</blockquote>
與此同時，減產效應正在全面擴散至 Flash 產品。由於晶圓價值較低且後端封測價格上漲，NOR Flash 供應商正將產能重新分配至其他產品。大摩預測，2026 年 NOR 的供應缺口將從低至中個位數擴大到 “高個位數”，並推動其價格在明年一季度上漲超過 20%。
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摩根士丹利報告指出，傳統存儲市場正迎來由供應短缺驅動的強勁 “超級週期”，預計 2026 年第一季度 DDR4 合約價格可能飆升超 100%，NOR Flash 價格也將大幅上漲。報告認為當前週期遠未結束，市場盈利預測過於保守，現在獲利了結為時過早。

- 摩根士丹利報告指出傳統存儲市場供需錯配正在形成。  
- 預計 2026 年 DDR4 合約價格將飆升超過 100%。  
- NOR Flash 供應缺口將擴大，推動價格上漲超過 20%。  

超級週期才剛開始！大摩：傳統存儲定價權將在 2026 年 “進一步增強”