<p>新聞：微電子</p>
<p>SemiQ 推出 QSiC Dual3 系列 1200V 半橋 MOSFET 模塊</p>
<p>美國加州湖森林的 SemiQ Inc——一家設計、開發和製造用於高壓應用的碳化硅（SiC）功率半導體及 150mm SiC 外延晶圓的公司——推出了 QSiC Dual3 系列，旨在為數據中心冷卻系統中的電機驅動、能源存儲系統中的電網轉換器以及工業驅動器提供 1200V 半橋 MOSFET 模塊。</p>
<p>該系列聲稱能夠創造出具有行業領先的轉換效率和功率密度的功率轉換器。此外，該系列還包括一個可選的並聯肖特基勢壘二極管，以進一步減少高温環境下的開關損耗。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/SemiQ-Dual3-PR-image.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="1200" height="773" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/SemiQ-Dual3-PR-image.jpg"/></p>
<p>該系列六款設備中的兩款具有僅為 1mΩ的 RDSon 和來自 62mm x 152mm 封裝的 240W/in3 的功率密度。</p>
<p>QSiC Dual3 的開發旨在實現對 IGBT 模塊的替換，且無需進行大量重新設計，所有 MOSFET 芯片均經過超過 1450V 的晶圓級柵氧化物老化測試。該模塊還具有低結到外殼的熱阻，並支持簡化的系統設計，配備更小、更輕的散熱器。</p>
<p>“數據中心中日益增長的 AI 驅動的功率和熱需求正在推動傳統冷卻和電力系統的極限，” 總裁 Dr Timothy Han 表示。“憑藉靈活的設計和行業領先的功率密度，QSiC Dual3 系列支持 250kW 液體冷卻器應用，適用於主動前端和壓縮機驅動，與傳統硅 IGBT 解決方案相比，減少了體積和重量，同時提供了 SiC 的全部效率。”</p>
<p>新系列將在美國德克薩斯州聖安東尼奧的亨利·B·岡薩雷斯會議中心的應用電力電子會議（APEC 2026）展位#1451 展出（3 月 22 日至 26 日）。</p>
<p>SemiQ 在 APEC 上推出針對 AI 數據中心和高功率基礎設施的 SiC 電源解決方案</p>
<p>SemiQ 推出用於高功率工業和電動車應用的 Gen3 1200V S3 模塊</p>
<p>SiC 功率 MOSFET</p>
<p>www.apec-conf.org</p>
<p>www.SemiQ.com</p>

標普半導體 ETF - SPDR

SEMI

費城交易所 半導體 ETF - iShares

半導體 3 倍做多 - Direxion

半導體 ETF - VanEck Vectors

動態半導體 ETF - Invesco

<p>SemiQ Inc 推出了 QSiC Dual3 系列 1200V 半橋 MOSFET 模塊，專為數據中心冷卻系統、能源存儲電網轉換器和工業驅動器等高壓應用設計。該模塊承諾提供行業領先的轉換效率和功率密度，並提供並聯肖特基勢壘二極管的選項，以減少開關損耗。QSiC Dual3 系列支持 250kW 液體冷卻器應用，並將在 2026 年在德克薩斯州聖安東尼奧的 APEC 展會上展示</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新聞：微電子</p>
</div><p>SemiQ launches QSiC Dual3 family of 1200V half-bridge MOSFET modules</p>
<div class="lb-trans"><p>SemiQ 推出 QSiC Dual3 系列 1200V 半橋 MOSFET 模塊</p>
</div><p>SemiQ Inc of Lake Forest, CA, USA — which designs, develops and manufactures silicon carbide (SiC) power semiconductors and 150mm SiC epitaxial wafers for high-voltage applications — has launched the QSiC Dual3, a family of 1200V half-bridge MOSFET modules for motor drives in data-center cooling systems, grid converters in energy storage systems, and industrial drivers.</p>
<div class="lb-trans"><p>美國加州湖森林的 SemiQ Inc——一家設計、開發和製造用於高壓應用的碳化硅（SiC）功率半導體及 150mm SiC 外延晶圓的公司——推出了 QSiC Dual3 系列，旨在為數據中心冷卻系統中的電機驅動、能源存儲系統中的電網轉換器以及工業驅動器提供 1200V 半橋 MOSFET 模塊。</p>
</div><p>The family enables the creation of power converters with both industry-leading conversion efficiency and power density, it is claimed. Additionally, the series includes an optional parallel Schottky barrier diode to further reduce switching losses in high-temperature environments.</p>
<div class="lb-trans"><p>該系列聲稱能夠創造出具有行業領先的轉換效率和功率密度的功率轉換器。此外，該系列還包括一個可選的並聯肖特基勢壘二極管，以進一步減少高温環境下的開關損耗。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/SemiQ-Dual3-PR-image.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/SemiQ-Dual3-PR-image.jpg"/></p>
<p>Two of the family’s six devices have an RDSon of just 1mΩ and a power density of 240W/in3 from its 62mm x 152mm package.</p>
<div class="lb-trans"><p>該系列六款設備中的兩款具有僅為 1mΩ的 RDSon 和來自 62mm x 152mm 封裝的 240W/in3 的功率密度。</p>
</div><p>The QSiC Dual3 has been developed to enable the replacement of IGBT modules with minimal redesign, with all MOSFET die having been screened using wafer-level gate-oxide burn-in tests exceeding 1450V. The modules additionally feature a low junction-to-case thermal resistance and enable a simplified system design with smaller, lighter heat-sinks.</p>
<div class="lb-trans"><p>QSiC Dual3 的開發旨在實現對 IGBT 模塊的替換，且無需進行大量重新設計，所有 MOSFET 芯片均經過超過 1450V 的晶圓級柵氧化物老化測試。該模塊還具有低結到外殼的熱阻，並支持簡化的系統設計，配備更小、更輕的散熱器。</p>
</div><p>“Rising AI-driven power and thermal demands in data centers are pushing the limits of traditional cooling and power systems,” says president Dr Timothy Han. “With a flexible design and industry-leading power density, the QSiC Dual3 series supports 250kW liquid chiller applications on both active front ends and compressor drives, reducing size and weight compared to traditional silicon IGBT solutions while delivering the full efficiency of SiC.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“數據中心中日益增長的 AI 驅動的功率和熱需求正在推動傳統冷卻和電力系統的極限，” 總裁 Dr Timothy Han 表示。“憑藉靈活的設計和行業領先的功率密度，QSiC Dual3 系列支持 250kW 液體冷卻器應用，適用於主動前端和壓縮機驅動，與傳統硅 IGBT 解決方案相比，減少了體積和重量，同時提供了 SiC 的全部效率。”</p>
</div><p>The new lineup is on display in booth #1451 at the Applied Power Electronics Conference (APEC 2026) at the Henry B Gonzalez Convention Center, San Antonio, TX, USA (22–26 March).</p>
<div class="lb-trans"><p>新系列將在美國德克薩斯州聖安東尼奧的亨利·B·岡薩雷斯會議中心的應用電力電子會議（APEC 2026）展位#1451 展出（3 月 22 日至 26 日）。</p>
</div><p>SemiQ debuting SiC power solutions for AI data centers and high-power infrastructure at APEC</p>
<div class="lb-trans"><p>SemiQ 在 APEC 上推出針對 AI 數據中心和高功率基礎設施的 SiC 電源解決方案</p>
</div><p>SemiQ launches Gen3 1200V S3 modules for high-power industrial and EV applications</p>
<div class="lb-trans"><p>SemiQ 推出用於高功率工業和電動車應用的 Gen3 1200V S3 模塊</p>
</div><p>SiC power MOSFET</p>
<div class="lb-trans"><p>SiC 功率 MOSFET</p>
</div><p>www.apec-conf.org</p>
<div class="lb-trans"><p>www.apec-conf.org</p>
</div><p>www.SemiQ.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.SemiQ.com</p>
</div>

SemiQ 推出 QSiC Dual3 系列的 1200V 半橋 MOSFET 模塊