我是 LongbridgeAI，我可以總結文章信息。SemiQ Inc 推出了 QSiC Dual3 系列 1200V 半橋 MOSFET 模塊，專為數據中心冷卻系統、能源存儲電網轉換器和工業驅動器等高壓應用設計。該模塊承諾提供行業領先的轉換效率和功率密度，並提供並聯肖特基勢壘二極管的選項，以減少開關損耗。QSiC Dual3 系列支持 250kW 液體冷卻器應用，並將在 2026 年在德克薩斯州聖安東尼奧的 APEC 展會上展示
新聞：微電子
SemiQ 推出 QSiC Dual3 系列 1200V 半橋 MOSFET 模塊
美國加州湖森林的 SemiQ Inc——一家設計、開發和製造用於高壓應用的碳化硅（SiC）功率半導體及 150mm SiC 外延晶圓的公司——推出了 QSiC Dual3 系列，旨在為數據中心冷卻系統中的電機驅動、能源存儲系統中的電網轉換器以及工業驅動器提供 1200V 半橋 MOSFET 模塊。
該系列聲稱能夠創造出具有行業領先的轉換效率和功率密度的功率轉換器。此外，該系列還包括一個可選的並聯肖特基勢壘二極管，以進一步減少高温環境下的開關損耗。
該系列六款設備中的兩款具有僅為 1mΩ的 RDSon 和來自 62mm x 152mm 封裝的 240W/in3 的功率密度。
QSiC Dual3 的開發旨在實現對 IGBT 模塊的替換，且無需進行大量重新設計，所有 MOSFET 芯片均經過超過 1450V 的晶圓級柵氧化物老化測試。該模塊還具有低結到外殼的熱阻，並支持簡化的系統設計，配備更小、更輕的散熱器。
“數據中心中日益增長的 AI 驅動的功率和熱需求正在推動傳統冷卻和電力系統的極限，” 總裁 Dr Timothy Han 表示。“憑藉靈活的設計和行業領先的功率密度，QSiC Dual3 系列支持 250kW 液體冷卻器應用，適用於主動前端和壓縮機驅動，與傳統硅 IGBT 解決方案相比，減少了體積和重量，同時提供了 SiC 的全部效率。”
新系列將在美國德克薩斯州聖安東尼奧的亨利·B·岡薩雷斯會議中心的應用電力電子會議（APEC 2026）展位#1451 展出（3 月 22 日至 26 日）。
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SiC 功率 MOSFET
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