<p>TradingKey - 在 4 月 8 日的美國夜間交易時段，一隻上市不足一週的 ETF 突然飆升。Roundhill Memory ETF（代碼：DRAM）在夜間交易中一度上漲超過 18%，而其持有的美光科技（MU）上漲 8%，閃迪（SNDK）上漲 7%，西部數據（WDC）上漲 8%，整個存儲行業在夜間交易中集體反彈。在前一個交易日，該 ETF 收於 29.16 美元，單日漲幅為 5.04%。上市不足一週，其累計漲幅已超過 11%。</p>
<h2>1. 什麼是 DRAM ETF？</h2>
<p>2026 年 4 月 2 日，Roundhill Investments 在美國 Cboe BZX 交易所推出了全球首個純內存主題 ETF，代碼為 DRAM。與通常持有涉及芯片設計、設備製造和代工廠等多家公司的典型半導體 ETF 不同，DRAM ETF 保持嚴格的選擇標準：公司必須從內存業務中獲得超過 50% 的收入才能被納入。</p>
<p>截至 2026 年 4 月 5 日，該 ETF 共持有 9 只股票。前三大持股分別是美光科技（24.63%）、三星電子（24.11%）和 SK 海力士（23.08%），三者合計佔投資組合的 70% 以上。其餘持股比例為：閃迪（4.90%）、東芝（4.86%）、西部數據（4.77%）、希捷（4.73%）、南亞科技（3.89%）和華邦電子（2.40%）。費用比率為 0.65%，該基金為主動管理，持股每季度重新平衡。</p>
<p>值得注意的是，該 ETF 利用一種名為 “總回報掉期” 的金融工具來持有部分資產，這意味着其實際風險敞口可能超過 100%，使其結構比直接持有股票的標準 ETF 更為複雜。</p>
<h2>II. 夜間飆升的原因是什麼？</h2>
<p>夜間交易的集中反彈並非偶然。在過去 24 小時內，內存供應鏈釋放了三層積極信號，每一層都比上一層更為重要。</p>
<p><strong>第一層是盈利驗證。</strong> 三星電子於 4 月 7 日發佈了 2026 年第一季度的盈利指引，營業利潤飆升至 57.2 萬億韓元，同比增長 755%，單季度利潤已超過整個 2025 財年的水平。收入約為 133 萬億韓元，同比增長 68.1%，這是三星上市以來首次季度收入超過 100 萬億韓元。同一天，A 股內存分銷商 Shannon Semiconductor 預測其第一季度歸屬於股東的淨利潤將同比增長 6,714% 至 8,747%。整個供應鏈的盈利能力正在飆升。</p>
<p><strong>第二層是價格上漲信號的持續增強。</strong> 三星電子已與主要客户敲定了第二季度的定價，DRAM 合約價格在第一季度上漲 100% 後，將再上漲 30%。全球半導體研究公司 TrendForce 提供了更為樂觀的預測：整體 DRAM 合約價格預計在第二季度將環比上漲 58% 至 63%，而 NAND 閃存合約價格預計將上漲 70% 至 75%。</p>
<p><strong>第三層涉及行業規則的深刻變化。</strong> 微軟（MSFT）和谷歌（GOOGL）目前正在與 SK 海力士談判三年的長期 DRAM 供應協議。與傳統合同不同，這些協議首次引入了價格底線保障和 10% 至 30% 的預付款機制——買方不再等待市場價格波動尋找便宜貨，而是主動提前支付以確保未來的產能。三星也據報道正在與微軟和谷歌討論三至五年的長期供應安排，而美光已確認簽署了首個五年的戰略客户協議。三大內存製造商同時向長期協議的轉變在內存行業歷史上是前所未有的。</p>
<h2>III. 異常現象：現貨價格下跌，期貨上漲</h2>
<p>在夜間交易的狂潮背後，存儲市場正經歷罕見的分歧：DDR4 現貨價格在一天內暴跌超過 30%，32GB 模塊從 2100 元降至 1320 元。“內存條價格暴跌” 成為熱搜，DDR5 套件在一個月內下跌近 30%。</p>
<p>然而，合約市場則完全相反——2026 年第一季度 DRAM 合約價格預計環比飆升 90% 至 95%，第二季度的漲價已鎖定。</p>
<p><strong>為何會出現這種分歧？</strong></p>
<ul>
<li><strong>現貨市場</strong>：服務於中小企業和分銷渠道，該市場規模小且波動性大。在過去一年中，某些規格的價格飆升超過 1,900%，而大量庫存現在正以恐慌的方式釋放；直接觸發因素是谷歌的 “TurboQuant” 算法論文，聲稱內存壓縮效率提高了六倍。</li>
<li><strong>合約市場</strong>：佔總交易量的 90% 以上，服務於頂級雲服務提供商和電子製造商，該市場使用反映真實供需的季度定價。受 AI 數據中心繁榮的推動，八大雲服務提供商的資本支出預計在 2026 年將超過 6000 億美元，增長率為 40%；北美雲服務提供商通過長期協議支付 50% 至 60% 的溢價以確保 HBM 產能。同時，製造商優先考慮高利潤的 HBM 產能，導致消費級供應被動收縮，新的產能預計最早要到 2027 年底才能釋放。</li>
</ul>
<h2>IV. 投資 DRAM ETF 的關鍵考慮因素是什麼？</h2>
<p>首先是集中風險。前十大持股總計佔比超過 70%；因此，美光、三星或 SK 海力士的價格波動將顯著影響該 ETF 的淨資產值（NAV）。晨星分析師建議，這類主題 ETF 更適合作為投資組合中的 “衞星配置”，持倉比例應保持在較低水平。</p>
<p>其次是地緣政治風險。SK 海力士已向美國證券交易委員會提交上市申請，計劃通過美國存託憑證（ADRs）在美國市場上市，募資規模約為 67 億至 100 億美元。一旦上市完成，美光將失去作為 “唯一在美上市的 DRAM 公司” 的獨特性，這可能引發資本的轉移。</p>
<p>第三是行業週期性風險。儘管人工智能正在改變內存行業的運營動態，但其強烈的週期性特徵並未完全消失。過度擴產後價格下跌的風險仍然是長期持有者必須面對的不確定性。</p>
<h2>V. 結論</h2>
<p>DRAM ETF 的誕生以及在隔夜交易時段的集中突破，不僅反映了對內存公司的重新估值；它們還標誌着在人工智能時代技術供應鏈權力結構的深刻變化。隨着微軟和谷歌等科技巨頭開始進行預付款以 “確保” DRAM 供應，內存芯片的戰略重要性已不再是一個可以忽視的變量。</p>
<p>對於散户投資者而言，該 ETF 更像是一個觀察窗口，而非核心持有工具。如果您對人工智能供應鏈有深入瞭解，並願意承擔高行業集中風險，它可以作為半導體行業 ETF 的補充。如果您對該領域較為陌生，建議首先關注合同價格趨勢、三大製造商的產能規劃以及雲服務提供商的資本支出趨勢——這些變量才是真正決定內存行業發展軌跡的關鍵。</p>
<p>瞭解更多</p>

美光科技

三星電子

DRAM

<p>Roundhill Memory ETF（DRAM）在隔夜交易中上漲超過 18%，這得益於三星電子的強勁財報和 DRAM 合約價格的上漲。該 ETF 最近推出，專注於那些超過 50% 收入來自內存業務的公司。儘管內存條的現貨價格有所下降，但由於微軟和谷歌等主要參與者正在談判長期協議，合約價格預計將顯著上漲。該 ETF 的持股包括美光科技和三星，這兩家公司共同主導了投資組合</p>

<p>TradingKey - During the U.S. overnight trading session on April 8, an ETF listed for less than a week suddenly surged. The Roundhill Memory ETF (Ticker: DRAM) jumped over 18% at one point during overnight trading, while its holding, Micron Technology ( MU) rose 8%, SanDisk ( SNDK) rose 7%, Western Digital ( WDC) rose 8%, as the entire storage sector rallied collectively during the overnight session. In the previous trading day, the ETF closed at $29.16, a single-day gain of 5.04%. Having been listed for less than a week, its cumulative increase has already exceeded 11%.</p>
<div class="lb-trans"><p>TradingKey - 在 4 月 8 日的美國夜間交易時段，一隻上市不足一週的 ETF 突然飆升。Roundhill Memory ETF（代碼：DRAM）在夜間交易中一度上漲超過 18%，而其持有的美光科技（MU）上漲 8%，閃迪（SNDK）上漲 7%，西部數據（WDC）上漲 8%，整個存儲行業在夜間交易中集體反彈。在前一個交易日，該 ETF 收於 29.16 美元，單日漲幅為 5.04%。上市不足一週，其累計漲幅已超過 11%。</p>
</div><h2>1. What is a DRAM ETF?</h2>
<div class="lb-trans"><h2>1. 什麼是 DRAM ETF？</h2>
</div><p>On April 2, 2026, Roundhill Investments launched the world's first pure-play memory-themed ETF on the U.S. Cboe BZX Exchange, under the ticker DRAM. Unlike typical semiconductor ETFs, which usually hold a broad array of companies involved in chip design, equipment manufacturing, and foundries—thereby significantly diluting the weight of memory chips—the DRAM ETF maintains strict selection criteria: a company must derive more than 50% of its revenue from memory businesses to be included.</p>
<div class="lb-trans"><p>2026 年 4 月 2 日，Roundhill Investments 在美國 Cboe BZX 交易所推出了全球首個純內存主題 ETF，代碼為 DRAM。與通常持有涉及芯片設計、設備製造和代工廠等多家公司的典型半導體 ETF 不同，DRAM ETF 保持嚴格的選擇標準：公司必須從內存業務中獲得超過 50% 的收入才能被納入。</p>
</div><p>As of April 5, 2026, the ETF holds a total of 9 stocks. The top three holdings are Micron Technology (24.63%), Samsung Electronics (24.11%), and SK Hynix (23.08%), which together account for over 70% of the portfolio. The remaining weights are: SanDisk (4.90%), Kioxia (4.86%), Western Digital (4.77%), Seagate (4.73%), Nanya Technology (3.89%), and Winbond (2.40%). The expense ratio is 0.65%, and the fund is actively managed with holdings rebalanced quarterly.</p>
<div class="lb-trans"><p>截至 2026 年 4 月 5 日，該 ETF 共持有 9 只股票。前三大持股分別是美光科技（24.63%）、三星電子（24.11%）和 SK 海力士（23.08%），三者合計佔投資組合的 70% 以上。其餘持股比例為：閃迪（4.90%）、東芝（4.86%）、西部數據（4.77%）、希捷（4.73%）、南亞科技（3.89%）和華邦電子（2.40%）。費用比率為 0.65%，該基金為主動管理，持股每季度重新平衡。</p>
</div><p>Notably, the ETF utilizes a financial instrument called a &#34;Total Return Swap&#34; to hold a portion of its assets, meaning its actual risk exposure may exceed 100%, making its structure more complex than standard ETFs that hold shares directly.</p>
<div class="lb-trans"><p>值得注意的是，該 ETF 利用一種名為 “總回報掉期” 的金融工具來持有部分資產，這意味着其實際風險敞口可能超過 100%，使其結構比直接持有股票的標準 ETF 更為複雜。</p>
</div><h2>II. What are the reasons behind the overnight surge?</h2>
<div class="lb-trans"><h2>II. 夜間飆升的原因是什麼？</h2>
</div><p>The concentrated rally in the overnight session did not happen in a vacuum. Over the past 24 hours, the memory supply chain has released three layers of positive signals, each more significant than the last.</p>
<div class="lb-trans"><p>夜間交易的集中反彈並非偶然。在過去 24 小時內，內存供應鏈釋放了三層積極信號，每一層都比上一層更為重要。</p>
</div><p><strong>The first layer is earnings validation.</strong> Samsung Electronics released its Q1 2026 earnings guidance on April 7, with operating profit soaring to 57.2 trillion won, a 755% year-on-year increase, with single-quarter profits already exceeding those of the entire 2025 fiscal year. Revenue was approximately 133 trillion won, up 68.1% year-on-year, marking the first time Samsung’s quarterly revenue has surpassed 100 trillion won since its listing. On the same day, A-share memory distributor Shannon Semiconductor forecasted that its Q1 net profit attributable to shareholders would grow by 6,714% to 8,747% year-on-year. Profitability is surging across the entire supply chain.</p>
<div class="lb-trans"><p><strong>第一層是盈利驗證。</strong> 三星電子於 4 月 7 日發佈了 2026 年第一季度的盈利指引，營業利潤飆升至 57.2 萬億韓元，同比增長 755%，單季度利潤已超過整個 2025 財年的水平。收入約為 133 萬億韓元，同比增長 68.1%，這是三星上市以來首次季度收入超過 100 萬億韓元。同一天，A 股內存分銷商 Shannon Semiconductor 預測其第一季度歸屬於股東的淨利潤將同比增長 6,714% 至 8,747%。整個供應鏈的盈利能力正在飆升。</p>
</div><p><strong>The second layer is the continued strengthening of price hike signals.</strong> Samsung Electronics has already finalized Q2 pricing with major customers, with DRAM contract prices set to rise by another 30% following a 100% hike in Q1. Global semiconductor research firm TrendForce offers an even more optimistic forecast: overall DRAM contract prices are expected to increase 58% to 63% quarter-on-quarter in Q2, while NAND flash contract prices are projected to rise 70% to 75%.</p>
<div class="lb-trans"><p><strong>第二層是價格上漲信號的持續增強。</strong> 三星電子已與主要客户敲定了第二季度的定價，DRAM 合約價格在第一季度上漲 100% 後，將再上漲 30%。全球半導體研究公司 TrendForce 提供了更為樂觀的預測：整體 DRAM 合約價格預計在第二季度將環比上漲 58% 至 63%，而 NAND 閃存合約價格預計將上漲 70% 至 75%。</p>
</div><p><strong>The third layer involves profound changes in industry rules.</strong> Microsoft ( MSFT) and Google ( GOOGL) are currently negotiating three-year long-term DRAM supply agreements with SK Hynix. Unlike traditional contracts, these agreements introduce price floor guarantees and a 10% to 30% prepayment mechanism for the first time—buyers are no longer waiting for market price fluctuations to find bargains, but are proactively paying upfront to secure future capacity. Samsung is also reportedly discussing three- to five-year long-term supply arrangements with Microsoft and Google, while Micron has confirmed the signing of its first five-year strategic customer agreement. The simultaneous shift by the three major memory manufacturers toward long-term agreements is unprecedented in the history of the memory industry.</p>
<div class="lb-trans"><p><strong>第三層涉及行業規則的深刻變化。</strong> 微軟（MSFT）和谷歌（GOOGL）目前正在與 SK 海力士談判三年的長期 DRAM 供應協議。與傳統合同不同，這些協議首次引入了價格底線保障和 10% 至 30% 的預付款機制——買方不再等待市場價格波動尋找便宜貨，而是主動提前支付以確保未來的產能。三星也據報道正在與微軟和谷歌討論三至五年的長期供應安排，而美光已確認簽署了首個五年的戰略客户協議。三大內存製造商同時向長期協議的轉變在內存行業歷史上是前所未有的。</p>
</div><h2>III. An Anomaly: Spot Prices Fall, Futures Rise</h2>
<div class="lb-trans"><h2>III. 異常現象：現貨價格下跌，期貨上漲</h2>
</div><p>Behind the overnight trading frenzy, the storage market is experiencing a rare divergence: DDR4 spot prices plunged over 30% in a single day, with 32GB modules dropping from 2,100 yuan to 1,320 yuan. &#34;Memory stick prices falling off a cliff&#34; hit trending searches, and DDR5 kits fell nearly 30% within a month.</p>
<div class="lb-trans"><p>在夜間交易的狂潮背後，存儲市場正經歷罕見的分歧：DDR4 現貨價格在一天內暴跌超過 30%，32GB 模塊從 2100 元降至 1320 元。“內存條價格暴跌” 成為熱搜，DDR5 套件在一個月內下跌近 30%。</p>
</div><p>However, the contract side is the complete opposite—Q1 2026 DRAM contract prices are set to surge 90%–95% quarter-over-quarter, and Q2 price hikes have already been locked in.</p>
<div class="lb-trans"><p>然而，合約市場則完全相反——2026 年第一季度 DRAM 合約價格預計環比飆升 90% 至 95%，第二季度的漲價已鎖定。</p>
</div><p><strong>Why the divergence?</strong></p>
<div class="lb-trans"><p><strong>為何會出現這種分歧？</strong></p>
</div><ul>
<li><strong>Spot market</strong>: Serving SMEs and distribution channels, this market is small in scale and highly volatile. Over the past year, certain specifications skyrocketed over 1,900%, and massive stockpiles are now being released in a wave of panic; the direct trigger was Google's &#34;TurboQuant&#34; algorithm paper, which claimed a sixfold increase in memory compression.</li>
<li><strong>Contract market</strong>: Accounting for over 90% of total volume and serving top-tier cloud providers and electronics manufacturers, this market uses quarterly pricing that reflects real supply and demand. Driven by the AI data center boom, capital expenditures of the eight major cloud providers are expected to exceed $600 billion in 2026, a 40% growth rate; North American cloud providers are paying 50%–60% premiums to secure HBM capacity through long-term agreements. Meanwhile, manufacturers are prioritizing high-margin HBM capacity, leading to a passive contraction in consumer-grade supply, with new capacity not expected to be released until late 2027 at the earliest.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li><strong>現貨市場</strong>：服務於中小企業和分銷渠道，該市場規模小且波動性大。在過去一年中，某些規格的價格飆升超過 1,900%，而大量庫存現在正以恐慌的方式釋放；直接觸發因素是谷歌的 “TurboQuant” 算法論文，聲稱內存壓縮效率提高了六倍。</li>
<li><strong>合約市場</strong>：佔總交易量的 90% 以上，服務於頂級雲服務提供商和電子製造商，該市場使用反映真實供需的季度定價。受 AI 數據中心繁榮的推動，八大雲服務提供商的資本支出預計在 2026 年將超過 6000 億美元，增長率為 40%；北美雲服務提供商通過長期協議支付 50% 至 60% 的溢價以確保 HBM 產能。同時，製造商優先考慮高利潤的 HBM 產能，導致消費級供應被動收縮，新的產能預計最早要到 2027 年底才能釋放。</li>
</ul>
</div><h2>IV. Key considerations for investing in DRAM ETFs?</h2>
<div class="lb-trans"><h2>IV. 投資 DRAM ETF 的關鍵考慮因素是什麼？</h2>
</div><p>First is concentration risk. The top three holdings account for over 70% in total; therefore, price fluctuations in Micron, Samsung, or SK Hynix will significantly impact the ETF's net asset value (NAV). Morningstar analysts suggest that such thematic ETFs are more suitable as &#34;satellite allocations&#34; within a portfolio, with positions kept at a low proportion.</p>
<div class="lb-trans"><p>首先是集中風險。前十大持股總計佔比超過 70%；因此，美光、三星或 SK 海力士的價格波動將顯著影響該 ETF 的淨資產值（NAV）。晨星分析師建議，這類主題 ETF 更適合作為投資組合中的 “衞星配置”，持倉比例應保持在較低水平。</p>
</div><p>Second is geopolitical risk. SK Hynix has submitted a listing application to the U.S. SEC, planning to list on the U.S. market via ADRs with a fundraising scale of approximately $6.7 billion to $10 billion. Once the listing is complete, Micron will lose its uniqueness as the &#34;only U.S.-listed DRAM company,&#34; which could trigger a diversion of capital.</p>
<div class="lb-trans"><p>其次是地緣政治風險。SK 海力士已向美國證券交易委員會提交上市申請，計劃通過美國存託憑證（ADRs）在美國市場上市，募資規模約為 67 億至 100 億美元。一旦上市完成，美光將失去作為 “唯一在美上市的 DRAM 公司” 的獨特性，這可能引發資本的轉移。</p>
</div><p>Third is industry cyclical risk. Although AI is changing the operational dynamics of the memory industry, its strongly cyclical nature has not entirely disappeared. The risk of price declines following excessive capacity expansion remains an uncertainty that long-term holders must confront.</p>
<div class="lb-trans"><p>第三是行業週期性風險。儘管人工智能正在改變內存行業的運營動態，但其強烈的週期性特徵並未完全消失。過度擴產後價格下跌的風險仍然是長期持有者必須面對的不確定性。</p>
</div><h2>V. Conclusion</h2>
<div class="lb-trans"><h2>V. 結論</h2>
</div><p>The birth of the DRAM ETF and the concentrated breakout during the overnight trading session reflect more than just a revaluation of memory companies; they signal a profound shift in the power structure of the technology supply chain in the AI era. As tech giants like Microsoft and Google begin making prepayments to &#34;secure&#34; DRAM supplies, the strategic importance of memory chips is no longer a variable that can be ignored.</p>
<div class="lb-trans"><p>DRAM ETF 的誕生以及在隔夜交易時段的集中突破，不僅反映了對內存公司的重新估值；它們還標誌着在人工智能時代技術供應鏈權力結構的深刻變化。隨着微軟和谷歌等科技巨頭開始進行預付款以 “確保” DRAM 供應，內存芯片的戰略重要性已不再是一個可以忽視的變量。</p>
</div><p>For retail investors, this ETF serves more as an observation window rather than a core holding tool. If you have a deep understanding of the AI supply chain and are willing to assume high sector concentration risk, it can function as a supplement to semiconductor industry ETFs. If you are new to the field, it is advisable to first monitor contract price trends, the capacity planning of the three major manufacturers, and the capital expenditure trends of cloud service providers—these variables are the true keys that determine the trajectory of the memory sector.</p>
<div class="lb-trans"><p>對於散户投資者而言，該 ETF 更像是一個觀察窗口，而非核心持有工具。如果您對人工智能供應鏈有深入瞭解，並願意承擔高行業集中風險，它可以作為半導體行業 ETF 的補充。如果您對該領域較為陌生，建議首先關注合同價格趨勢、三大製造商的產能規劃以及雲服務提供商的資本支出趨勢——這些變量才是真正決定內存行業發展軌跡的關鍵。</p>
</div><p>Find out more</p>
<div class="lb-trans"><p>瞭解更多</p>
</div>

Memory Chip ETF Surges Over 18% in Overnight Trading, Is It Worth Investing?

- 美國儲存行業的 Roundhill Memory ETF（DRAM）在上市不到一週後暴漲 18%。  
- Micron、SanDisk 和 Western Digital 股票同時上漲，反映出整個儲存行業的集中上漲。  
- 行業供應鏈傳出盈利、漲價和長期協議的利好信號，推動了該 ETF 的快速上漲。

記憶芯片 ETF 在隔夜交易中飆升超過 18%，是否值得投資？