高盛認為，AI 服務器需求的爆發正在將整個電子元器件與材料產業鏈推入新一輪供需緊缺週期，且緊張程度正在持續加劇。
追風交易台消息，4 月 22 日，高盛 Daiki Takayama 團隊發表研報指出，自今年年初以來，由 AI 服務器驅動的需求熱潮，正在把年初已經緊張的供應鏈推向更嚴重的短缺。
這份報告覆蓋了從半導體、被動元件到特種材料的 11 個關鍵環節，其中五個領域的供需預測發生了顯著上修。
從MLCC、ABF 基板、PCB/CCL、存儲到磷化銦（InP）襯底，供需缺口在過去四個月內持續擴大，且這一趨勢在 2027 年前難以逆轉。
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<h2 id="mlcc-ai-2025-2030-4-3">MLCC：可能迎來久違的漲價，產能擴張被 “卡脖子”</h2>
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多層陶瓷電容（MLCC）是本次報告中供需變化最受市場關注的品類之一。
高盛指出，AI 服務器對 MLCC 的需求將從 2025 年至 2030 年增長約 4.3 倍，疊加汽車應用需求持續強勁，整個 MLCC 行業正進入明顯的供需收緊階段。
值得關注的是，即便是智能手機、PC 等需求較弱的客户，也開始主動尋求與 MLCC 廠商簽訂長期供應合同。
原因並非自身需求旺盛，而是擔憂未來在產能被 AI 服務器訂單佔滿後，將難以獲得充足供貨。這種&#34;防禦性搶單&#34;行為本身，正在進一步加劇供需緊張。
在產能方面，高盛認為 MLCC 行業每年產能增長上限約為 10% 多一點，受制於內部設備與材料的制約，擴產速度極為有限。
若這些有限的新增產能主要被 AI 服務器與汽車應用吸收，當前供需緊張格局可能將持續整個週期。
在定價層面，2026 年 4 月中旬中國台灣媒體報道了 MLCC 漲價消息。雖然真實性有待財報季確認，但高盛認為，2026 年同類產品的價格變動率從此前預估持平，上調至 0% 至 5%。
若平均漲價幅度達到 5%，高盛測算這將對相關頭部廠商 2027 財年的營業利潤，分別帶來 13% 和 37% 的上行影響。
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<h2 id="abf-ai-2027">ABF 基板：AI 芯片設計規格持續升級，2027 年前供應無望顯著擴張</h2>
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味之素堆積薄膜（ABF）基板是 AI 芯片封裝的核心材料。
高盛維持對 ABF 基板未來 18 至 24 個月供需前景的積極判斷，驅動力來自兩個方向：
<blockquote>
<ul>
<li>一是AI 芯片出貨量的擴大；</li>
<li>二是單顆芯片基板面積和層數的快速升級。</li>
</ul>
</blockquote>
2026 年的價格漲幅預期也從 20-30% 上調至 30-35%。
當前 AI 芯片主流基板設計規格為 75mm×85mm、14/16 層，高盛預測 2027 年將升至 120mm×150mm、20 層以上，至 2030 年進一步升至 200mm×250mm、20 層以上。
尺寸擴大不僅直接降低生產良率，還會增加面板利用損耗，相當於單位產能的實際有效供給在下降。
目前中國台灣主要 ABF 基板廠商的產能已基本被預訂至今年底，而高盛預計 ABF 基板供應商在 2027 年下半年之前不會有明顯的產能擴張。交貨週期延長意味着定價能力持續增強。
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<h2 id="pcb-ccl-ai-asp-30">PCB/CCL：技術規格持續躍升，AI 服務器拉動平均售價每年上漲 30% 以上</h2>
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在 AI 服務器對印刷電路板（PCB）和覆銅板（CCL）的需求方面，高盛觀察到兩條並行的升級路徑：
<blockquote>
<ul>
<li>一是 CCL 等級的提升：從 2023 年主流的 M7 級，升至 2025 年的 M8 級，預計 2027 年升級至 M9 級；</li>
<li>二是 PCB 層數的增加：從 2023 年主流的 22 層，升至 2025 年的 28 層，預計 2027 年將達到 36 層以上。</li>
</ul>
</blockquote>
高盛認為，上述趨勢主要由數據傳輸速度需求與計算性能提升共同驅動，預計 AI CCL/PCB 的平均售價在可預見的未來將保持每年 30% 以上的同比增長。
在供需平衡方面，高盛預計一線 PCB/CCL 供應商產能每年擴張約 20% 至 30%，但這一速度明顯慢於 AI 服務器需求增速，此前台積電曾預測增速將達 50% 以上的年複合增長率。
超額需求將溢出至二三線供應商，但根據 2025 年數據，這些低端供應商的生產良率普遍比一線廠商低約 20%，即使發動價格戰也難以真正搶佔市場份額。
因此，一線 PCB/CCL 供應商將持續享有供需與定價的雙重優勢。
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<h2 id="2026-dram-nand">存儲：2026 年供需缺口急劇擴大，高盛將 DRAM/NAND 價格預測大幅上調</h2>
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存儲內存是本次報告中預測調整幅度最大的品類，也是對整個產業鏈影響最為深遠的環節之一。
高盛將2026 年 DRAM 價格漲幅預測從此前的約 150% 大幅上調至 250% 至 +280%；NAND 價格漲幅預測從約 100%上調至 +200% 至 +250%。
供需緊張的三大驅動因素是：
<blockquote>
<ul>
<li>服務器應用需求強勁；</li>
<li>全行業產能新增有限，且新增產能優先供給高帶寬內存（HBM），壓縮了傳統內存的供給增量；</li>
<li>整個行業庫存水位極低，進一步限制供給彈性。</li>
</ul>
</blockquote>
更值得警惕的是，高盛已將供需緊張的預期從 2026 年延伸至 2027 年。
此前高盛預計存儲供需將於 2027 年恢復平衡，但最新判斷認為供給緊張局面在 2027 年難以緩解，整體供需將在 2027 年繼續維持偏緊格局。
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<h2 id="in-p-ai">磷化銦（InP）襯底：AI 光互聯核心材料，供需緊張延續，產能擴張需跨越多年</h2>
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磷化銦（InP）襯底是本次報告中頗受關注的新興緊缺材料。
高盛預計 2026 年磷化銦襯底的供需緊張格局將持續，並預計價格將上調約 15%。
從擴產動向來看，相關主要供應商已分別於 2025 年 7 月、10 月及 2026 年 2 月多次宣佈擴產計劃，並持續加碼投資。
儘管各方擴產意願明確，但高盛指出，新產能的實質性落地最早也要到 2028 財年前後才能開始分階段釋放，產能瓶頸在中短期內難以得到根本緩解。
與此同時，業界普遍反映磷化銦基板的市場需求旺盛，來自多家公司的供給均已無法滿足下游需求，供不應求的局面預計將延續至下一財年。
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<h2 id="2027">晶圓代工：台積電先進製程供不應求將持續至 2027 年及以後</h2>
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在晶圓代工領域，高盛對台積電的判斷是：受持續增長的 AI 推理需求驅動，先進製程供給將至少在 2027 年前保持供不應求的狀態。
而當前台積電資本開支週期帶來的新增產能預計要到 2028 至 2029 年才能落地。高盛預測台積電 2026 至 2028 年的美元收入將分別同比增長 35%、30% 和 29%。
對於中國大陸晶圓代工廠商，高盛的判斷則有所不同。
儘管當前產能利用率處於高位，但中國晶圓代工廠正在持續擴張產能，供需並不緊張。
高盛預計，受高利用率、工業設備終端市場需求回暖、AI 相關產品需求增長、原材料成本上升以及較為健康的競爭格局等因素共同驅動，2026 年中國大陸晶圓代工廠的同類產品價格將上漲約 10%。
綜合高盛此次報告的全部判斷，對投資者而言，存儲價格的大幅上調預期、ABF/BT 基板的持續緊俏、InP 襯底的多年擴產週期，均指向同一個方向——供給端的物理約束將在相當長時間內支撐整個算力硬件產業鏈的盈利能力與定價權。

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高盛

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高盛認為，多層陶瓷電容（MLCC）需求 2025-2030 年將增長 4.3 倍，漲價預期上調至 0-5%；味之素堆積薄膜（ABF）基板今年漲幅預期升至 30-35%，供應緊張延續至 2027 年；PCB/CCL 平均售價年增 30% 以上；DRAM/NAND 存儲價格預測大幅上調至 250-280% 和 200-250%。

- 高盛報告顯示，AI 服務器需求正加劇電子元器件產業鏈供需緊張。  
- 預計到 2027 年，供需缺口將持續擴大，特別是 MLCC 和存儲領域。  
- 價格預測上調，存儲市場將面臨顯著漲幅，影響整個行業盈利能力。

從存儲、MLCC、ABF 到磷化銦，關於 AI 算力鏈的 “瓶頸”，這是高盛的最新看法