<p>新聞：微電子</p>
<p>國際貿易委員會確認 Innoscience 侵犯英飛凌 GaN 專利的初步裁定</p>
<p>德國慕尼黑的英飛凌科技公司表示，美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會確認了 2025 年 12 月 ITC 的初步裁定，認為中國的 Innoscience（蘇州）科技控股有限公司侵犯了英飛凌關於氮化鎵（GaN）技術的專利，並對 Innoscience 下達了進口和銷售禁令。委員會的最終決定和禁令需經過美國總統的 60 天審查期。</p>
<p>“這一決定再次突顯了英飛凌知識產權的強大。它強化了我們積極保護英飛凌專利組合和維護行業公平競爭的承諾，” 英飛凌 GaN 系統業務線高級副總裁兼負責人 Johannes Schoiswohl 表示。“憑藉我們行業領先的 300mm GaN 製造能力，我們在規模創新和提供客户加速脱碳和數字化所需的性能、質量和成本優勢方面具有獨特的優勢，” 他繼續説道。</p>
<p>在德國的平行爭議中，英飛凌在慕尼黑地區法院 I（Landgericht München I）主張侵犯三項專利和一項實用新型。早在 2024 年 8 月，慕尼黑法院就已發現 Innoscience 侵犯了第一項英飛凌專利。另兩項專利和一項實用新型的審判定於今年 6 月進行。</p>
<p>北京知識產權法院維持 Innoscience 的 GaN 專利有效性</p>
<p>美國 ITC 初步裁定發現 Innoscience 侵犯英飛凌專利</p>
<p>GaN-on-Si</p>
<p>www.innoscience.com</p>
<p>www.infineon.com</p>

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<p>美國國際貿易委員會（ITC）確認了其初步裁定，認為 Innoscience 侵犯了英飛凌的氮化鎵專利，這導致對 Innoscience 實施進口和銷售禁令。英飛凌強調其知識產權的強大以及對公平競爭的承諾。該決定需經過美國總統的 60 天審查。此外，英飛凌還在德國對 Innoscience 提起了進一步的專利侵權訴訟，審判定於 6 月進行</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新聞：微電子</p>
</div><p>ITC affirms initial determination that Innoscience infringed Infineon GaN patent</p>
<div class="lb-trans"><p>國際貿易委員會確認 Innoscience 侵犯英飛凌 GaN 專利的初步裁定</p>
</div><p>Infineon Technologies AG of Munich, Germany says that the Full Commission of the US International Trade Commission (ITC) has affirmed the ITC’s initial determination from December 2025 that China-based Innoscience (Suzhou) Technology Holding Co Ltd, which manufactures GaN-on-silicon power chips on 8” silicon wafers, infringed an Infineon patent concerning gallium nitride (GaN) technology and ordered import and sales bans against Innoscience. The Commission’s final decision and the bans are subject to a 60-day review period of the US President.</p>
<div class="lb-trans"><p>德國慕尼黑的英飛凌科技公司表示，美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會確認了 2025 年 12 月 ITC 的初步裁定，認為中國的 Innoscience（蘇州）科技控股有限公司侵犯了英飛凌關於氮化鎵（GaN）技術的專利，並對 Innoscience 下達了進口和銷售禁令。委員會的最終決定和禁令需經過美國總統的 60 天審查期。</p>
</div><p>“This decision once again highlights the robustness of Infineon’s intellectual property. It reinforces our commitment to actively protect Infineon’s patent portfolio and uphold fair competition in the industry,” says Johannes Schoiswohl, senior VP &amp; head of Infineon’s GaN Systems business line. “With our industry-leading 300mm GaN manufacturing, we are uniquely positioned to scale innovation and deliver the performance, quality and cost advantages that our customers need to accelerate decarbonization and digitalization,” he continues.</p>
<div class="lb-trans"><p>“這一決定再次突顯了英飛凌知識產權的強大。它強化了我們積極保護英飛凌專利組合和維護行業公平競爭的承諾，” 英飛凌 GaN 系統業務線高級副總裁兼負責人 Johannes Schoiswohl 表示。“憑藉我們行業領先的 300mm GaN 製造能力，我們在規模創新和提供客户加速脱碳和數字化所需的性能、質量和成本優勢方面具有獨特的優勢，” 他繼續説道。</p>
</div><p>In a parallel dispute in Germany, Infineon is asserting infringement of three patents and one utility model in the Munich District Court I (Landgericht München I). Already in August 2024, the Munich court found infringement of the first Infineon patent by Innoscience. Trials for another patent and a utility model are scheduled this June.</p>
<div class="lb-trans"><p>在德國的平行爭議中，英飛凌在慕尼黑地區法院 I（Landgericht München I）主張侵犯三項專利和一項實用新型。早在 2024 年 8 月，慕尼黑法院就已發現 Innoscience 侵犯了第一項英飛凌專利。另兩項專利和一項實用新型的審判定於今年 6 月進行。</p>
</div><p>Beijing Intellectual Property Court upholds validity of Innoscience’s GaN patents</p>
<div class="lb-trans"><p>北京知識產權法院維持 Innoscience 的 GaN 專利有效性</p>
</div><p>US ITC preliminary determination finds violation of Infineon patent by Innoscience</p>
<div class="lb-trans"><p>美國 ITC 初步裁定發現 Innoscience 侵犯英飛凌專利</p>
</div><p>GaN-on-Si</p>
<div class="lb-trans"><p>GaN-on-Si</p>
</div><p>www.innoscience.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.innoscience.com</p>
</div><p>www.infineon.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.infineon.com</p>
</div>

ITC 確認初步裁定 Innoscience 侵犯了英飛凌的 GaN 專利