<p>新聞：微電子</p>
<p>英飛凌擴展 XHP 2 CoolSiC MOSFET 功率模塊產品線</p>
<p>德國慕尼黑的英飛凌科技公司擴展了其 XHP 2 功率模塊產品線，新增了採用 2300V CoolSiC MOSFET 的新變體，旨在滿足高壓電力系統的需求。這些新的 2300V 級設備支持高達 1500V 的直流鏈接電壓，符合行業向更高系統電壓發展的趨勢。</p>
<p>這些模塊提供多種變體，導通電阻（RDS(on)）值範圍從 1mΩ到 2mΩ，絕緣電壓為 4kV 或 6kV。</p>
<p>通過利用碳化硅（SiC）技術，這些設備相比傳統的硅基解決方案減少了開關和導通損耗。這使得逆變器能夠實現更高的效率和功率密度，或在更高的開關頻率下運行，以減少諧波和系統體積。新的 XHP 2 CoolSiC MOSFET 模塊非常適合可再生能源應用，包括風能、光伏和電池儲能系統。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/gip-igbt-xhp2-aisic.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="1200" height="621" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/gip-igbt-xhp2-aisic.jpg"/></p>
<p><em>圖片：英飛凌的 XHP 2 功率模塊產品線。</em></p>
<p>這些模塊採用 XHP 2 封裝，具有對稱的開關特性，便於在大型功率轉換器中並聯，並提供一個標準化平台，使開發人員能夠根據應用需求平衡效率和性能。所有變體都集成了英飛凌經過驗證的.XT 互連技術，增強了可靠性並延長了使用壽命。這些模塊還提供預塗熱界面材料，簡化了組裝，同時支持一致的熱性能。</p>
<p>英飛凌表示，這些特性轉化為可測量的系統級收益。在一個風能演示系統中，達到了 300kW/L 的功率密度，而在電池儲能系統的測試中，半導體損耗低於輸出功率的 0.7%。</p>
<p>通過此次產品線擴展，英飛凌支持下一代高壓電力系統的可擴展解決方案，涵蓋廣泛的可再生能源應用。</p>
<p>英飛凌現已推出額定 2300V 的 XHP 2 CoolSiC MOSFET 模塊，型號為 FF1000UXTR23T2M1、FF1300UXTR23T2M1、FF2000UXTR23T2M1 和 FF1000UXTR23T2M1_B5，現已通過英飛凌及其分銷合作伙伴提供。</p>
<p>英飛凌在 XHP 2 封裝中新增了使用 3.3kV MOSFET 的 CoolSiC 功率模塊，目標是牽引應用。</p>
<p>英飛凌</p>
<p>www.infineon.com/products/</p>

英飛凌(ADR)

英飛凌

半導體 3 倍做多 - Direxion

半導體 ETF - VanEck Vectors

費城交易所 半導體 ETF - iShares

標普半導體 ETF - SPDR

<p>英飛凌科技股份公司已擴展其 XHP 2 功率模塊產品線，推出新的 2300V CoolSiC MOSFET，專為高壓電力系統設計。這些模塊支持高達 1500V 的直流鏈接電壓，提供從 1mΩ 到 2mΩ 的導通電阻值。利用碳化硅技術，它們提高了效率和功率密度，使其適用於風能和電池儲能系統等可再生能源應用。新模塊現已上市，支持下一代高壓電力系統的可擴展解決方案</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新聞：微電子</p>
</div><p>Infineon expands XHP 2 CoolSiC MOSFET power module portfolio</p>
<div class="lb-trans"><p>英飛凌擴展 XHP 2 CoolSiC MOSFET 功率模塊產品線</p>
</div><p>Infineon Technologies AG of Munich, Germany has expanded its XHP 2 power module portfolio with new variants incorporating CoolSiC MOSFETs 2300V, designed for high-voltage power systems. The new 2300V-class devices support DC-link voltages of up to 1500V, addressing the industry trend toward higher system voltages.</p>
<div class="lb-trans"><p>德國慕尼黑的英飛凌科技公司擴展了其 XHP 2 功率模塊產品線，新增了採用 2300V CoolSiC MOSFET 的新變體，旨在滿足高壓電力系統的需求。這些新的 2300V 級設備支持高達 1500V 的直流鏈接電壓，符合行業向更高系統電壓發展的趨勢。</p>
</div><p>The modules are available in several variants, offering on-resistance (RDS(on)) values ranging from 1mΩ to 2mΩ and isolation voltages of 4kV or 6kV.</p>
<div class="lb-trans"><p>這些模塊提供多種變體，導通電阻（RDS(on)）值範圍從 1mΩ到 2mΩ，絕緣電壓為 4kV 或 6kV。</p>
</div><p>By leveraging silicon carbide (SiC) technology, the devices reduce both switching and conduction losses compared to conventional silicon-based solutions. This enables inverters to achieve higher efficiency and power density, or to operate at higher switching frequencies to reduce harmonics and system size. The new XHP 2 CoolSiC MOSFET modules are well suited for renewable energy applications, including wind, photovoltaic and battery storage systems.</p>
<div class="lb-trans"><p>通過利用碳化硅（SiC）技術，這些設備相比傳統的硅基解決方案減少了開關和導通損耗。這使得逆變器能夠實現更高的效率和功率密度，或在更高的開關頻率下運行，以減少諧波和系統體積。新的 XHP 2 CoolSiC MOSFET 模塊非常適合可再生能源應用，包括風能、光伏和電池儲能系統。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/gip-igbt-xhp2-aisic.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/gip-igbt-xhp2-aisic.jpg"/></p>
<p><em>Picture: Infineon’s XHP 2 power module portfolio.</em></p>
<div class="lb-trans"><p><em>圖片：英飛凌的 XHP 2 功率模塊產品線。</em></p>
</div><p>Implemented in the XHP 2 package, the modules feature symmetrical switching behavior for easy paralleling in large power converters and offer a standardized platform that enables developers to balance efficiency and performance according to application requirements. All variants integrate Infineon’s proven .XT interconnection technology, enhancing reliability and extending operational lifetime. The modules are also available with a pre-applied thermal interface material, simplifying assembly while supporting consistent thermal performance.</p>
<div class="lb-trans"><p>這些模塊採用 XHP 2 封裝，具有對稱的開關特性，便於在大型功率轉換器中並聯，並提供一個標準化平台，使開發人員能夠根據應用需求平衡效率和性能。所有變體都集成了英飛凌經過驗證的.XT 互連技術，增強了可靠性並延長了使用壽命。這些模塊還提供預塗熱界面材料，簡化了組裝，同時支持一致的熱性能。</p>
</div><p>These characteristics translate into measurable system-level benefits, says Infineon. In a wind power demonstration system, a power density of 300kW/L was achieved, while tests in battery storage systems showed semiconductor losses of less than 0.7% of the output power.</p>
<div class="lb-trans"><p>英飛凌表示，這些特性轉化為可測量的系統級收益。在一個風能演示系統中，達到了 300kW/L 的功率密度，而在電池儲能系統的測試中，半導體損耗低於輸出功率的 0.7%。</p>
</div><p>With this portfolio expansion, Infineon supports scalable solutions for next-generation high-voltage power systems across a wide range of renewable energy applications.</p>
<div class="lb-trans"><p>通過此次產品線擴展，英飛凌支持下一代高壓電力系統的可擴展解決方案，涵蓋廣泛的可再生能源應用。</p>
</div><p>The XHP 2 CoolSiC MOSFET modules with a 2300V rating, FF1000UXTR23T2M1, FF1300UXTR23T2M1, FF2000UXTR23T2M1, and FF1000UXTR23T2M1_B5, are available now from Infineon and its distribution partners.</p>
<div class="lb-trans"><p>英飛凌現已推出額定 2300V 的 XHP 2 CoolSiC MOSFET 模塊，型號為 FF1000UXTR23T2M1、FF1300UXTR23T2M1、FF2000UXTR23T2M1 和 FF1000UXTR23T2M1_B5，現已通過英飛凌及其分銷合作伙伴提供。</p>
</div><p>Infineon adds CoolSiC power modules using 3.3kV MOSFETs in XHP 2 package, targeting traction applications</p>
<div class="lb-trans"><p>英飛凌在 XHP 2 封裝中新增了使用 3.3kV MOSFET 的 CoolSiC 功率模塊，目標是牽引應用。</p>
</div><p>Infineon</p>
<div class="lb-trans"><p>英飛凌</p>
</div><p>www.infineon.com/products/</p>
<div class="lb-trans"><p>www.infineon.com/products/</p>
</div>

英飛凌擴展了其 XHP 2 CoolSiC MOSFET 功率模塊的產品組合