<p>日本川崎 --（商業資訊）-- 東芝電子設備與存儲公司（&#34;東芝&#34;）今天開始發貨 “TW007D120E” 的測試樣品，這是一款 1200V 的溝槽柵 SiC MOSFET，主要用於下一代 AI 數據中心的電源系統，同時也適用於可再生能源相關設備。</p>
<p>本新聞稿包含多媒體內容。查看完整發布內容請點擊這裏：https://www.businesswire.com/news/home/20260520299135/en/</p>
<p>隨着生成式 AI 的快速擴展，數據中心的電力消耗問題日益嚴重。特別是高功率 AI 服務器的廣泛採用以及 800V 高壓直流（HVDC）架構的日益部署，推動了對具有更高電源轉換效率和功率密度的電源系統的需求。東芝通過開發 TW007D120E 來滿足下一代 AI 數據中心的這些需求，這將有助於降低電力消耗，並實現電源系統的小型化和高效化。</p>
<p>TW007D120E 基於東芝專有的溝槽柵結構 [1]，實現了行業領先的單位面積低導通電阻（RDS(on) A）；它通過降低導通電阻來減少導通損耗，同時實現更低的開關損耗。與東芝現有產品相比，TW007D120E 的 RDS(on) A 降低了約 58%[3]，並且在導通損耗與開關損耗之間的權衡指標——導通電阻 × 柵極 - 漏極電荷（RDS(on) × Qgd）上改善了約 52%[3]。這些特性將有助於實現數據中心電源系統的高效運行和減少熱量產生，從而提高整體系統效率。</p>
<p>新產品採用支持頂部冷卻的 QDPAK 封裝。這有助於在電源階段實現更高的功率密度和增強的熱性能，這對於下一代 AI 數據中心的電源轉換至關重要。</p>
<p>東芝計劃在 2026 財年準備 TW007D120E 的量產，並將繼續擴展其產品線，包括汽車應用的開發。通過溝槽柵 SiC MOSFET，東芝將有助於提高數據中心和廣泛工業設備的電力效率，減少 CO₂排放，支持實現脱碳社會。</p>
<p>TW007D120E 基於新興能源和工業技術開發機構（NEDO）資助的項目 JPNP21029 的結果。</p>
<p>備註：</p>
<p>[1] 一種在半導體基板上形成細溝槽並將柵極電極嵌入溝槽內的器件結構。</p>
<p>[2] 東芝研究，截至 2026 年 5 月。</p>
<p>[3] 新開發的 1200V SiC MOSFET 與東芝第三代 SiC MOSFET（TW015Z120C）的比較。東芝研究，截至 2026 年 5 月。</p>
<p><strong>應用</strong></p>
<ul>
<li>數據中心電源（AC-DC，DC-DC）</li>
<li>光伏逆變器</li>
<li>不間斷電源（UPS）</li>
<li>電動汽車充電站</li>
<li>能量存儲系統</li>
<li>工業電動機</li>
</ul>
<p><strong>特點</strong></p>
<ul>
<li>低導通電阻和低 RDS(on) A</li>
<li>低開關損耗和低 RDS(on) × Qgd</li>
<li>低柵極驅動電壓：VGS_ON=15V 至 18V</li>
<li>高熱性能 QDPAK 封裝</li>
</ul>
<p><strong>主要規格</strong></p>
<table>
<thead>
<tr>
<th></th>
<th></th>
<th></th>
<th></th>
<th></th>
</tr>
</thead>
<tbody>
<tr>
<td>（除非另有説明，Tvj=25°C）</td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>部件編號</td>
<td>TW007D120E</td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>封裝</td>
<td>名稱</td>
<td>QDPAK</td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>絕對最大額定值</td>
<td>漏極 - 源極電壓 VDSS（V）</td>
<td>1200</td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>漏電流（直流）ID（A）</td>
<td>Tc=25°C</td>
<td>172</td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>電氣特性</td>
<td>漏極 - 源極導通電阻 RDS(on)（mΩ）</td>
<td>VGS=15V</td>
<td>典型值</td>
<td>7.0</td>
</tr>
<tr>
<td>柵極閾值電壓 Vth（V）</td>
<td>VDS=10V</td>
<td>3.0 至 5.0</td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>總柵極電荷 Qg（nC）</td>
<td>VGS=15V</td>
<td>典型值</td>
<td>317</td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>柵極 - 漏極電荷 Qgd（nC）</td>
<td>VGS=15V</td>
<td>典型值</td>
<td>33</td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>輸入電容 Ciss（pF）</td>
<td>VDS=800V</td>
<td>典型值</td>
<td>13972</td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>二極管正向電壓 VSD（V）</td>
<td>VGS=0V</td>
<td>典型值</td>
<td>3.2</td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>注：開發中產品的規格和計劃可能會在沒有通知的情況下更改。</td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
</tbody>
</table>
<p><strong>有關東芝 SiC 電源器件的更多信息，請訪問以下鏈接。</strong> SiC 電源器件</p>
<p>* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。</p>
<p>* 本文件中的信息，包括產品價格和規格、服務內容和聯繫信息，在公告日期是最新的，但可能會在沒有事先通知的情況下更改。</p>
<p><strong>關於東芝電子設備與存儲公司</strong></p>
<p>東芝電子設備與存儲公司是一家領先的先進半導體和存儲解決方案供應商，憑藉超過半個世紀的經驗和創新，為客户和商業夥伴提供卓越的分立半導體、系統 LSI 和 HDD 產品。</p>
<p>其全球 17400 名員工共同致力於最大化產品價值，並促進與客户的緊密合作，共同創造價值和新市場。公司期待為全球人民建設更美好的未來並做出貢獻。</p>
<p>瞭解更多信息請訪問 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://cts.businesswire.com/ct/CT/query-ZGlzdHJvPW54JmlkPWJ3bmV3cyZsYW5nPWVuJnNpZD1hY3FyOCZzdHk9MjAyNjA1MjAyOTkxMzVyMQ?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://cts.businesswire.com/ct/CT/query-ZGlzdHJvPW54JmlkPWJ3bmV3cyZsYW5nPWVuJnNpZD1hY3FyOCZzdHk9MjAyNjA1MjAyOTkxMzVyMQ"/></p>
<p>在 businesswire.com 上查看源版本：https://www.businesswire.com/news/home/20260520299135/en/</p>
<p>來源：東芝電子設備與存儲公司</p>

標普半導體 ETF - SPDR

半導體 3 倍做多 - Direxion

費城交易所 半導體 ETF - iShares

半導體 ETF - VanEck Vectors

動態半導體 ETF - Invesco

<p>東芝已開始發運其 1200V 溝槽柵 SiC MOSFET 的測試樣品 TW007D120E，該產品專為下一代 AI 數據中心和可再生能源應用的電源系統設計。該新產品提高了電能轉換效率，降低了功耗，與之前的型號相比，導通電阻減少了 58%。計劃於 2026 財年開始量產，應用於數據中心、光伏逆變器和電動車充電站</p>

<p>KAWASAKI, Japan--(BUSINESS WIRE)-- Toshiba Electronic Devices &amp; Storage Corporation (&#34;Toshiba&#34;) today started shipping test samples of “TW007D120E,” a 1200V trench-gate SiC MOSFET primarily intended for power supply systems in next-generation AI data centers that is also suitable for use in renewable energy-related equipment.</p>
<div class="lb-trans"><p>日本川崎 --（商業資訊）-- 東芝電子設備與存儲公司（&#34;東芝&#34;）今天開始發貨 “TW007D120E” 的測試樣品，這是一款 1200V 的溝槽柵 SiC MOSFET，主要用於下一代 AI 數據中心的電源系統，同時也適用於可再生能源相關設備。</p>
</div><p>This press release features multimedia. View the full release here: https://www.businesswire.com/news/home/20260520299135/en/</p>
<div class="lb-trans"><p>本新聞稿包含多媒體內容。查看完整發布內容請點擊這裏：https://www.businesswire.com/news/home/20260520299135/en/</p>
</div><p>With the rapid expansion of generative AI, increasing power consumption has become a pressing issue for data centers. In particular, the widespread adoption of high-power AI servers and the growing deployment of 800V high-voltage direct current (HVDC) architectures are driving demand for power supply systems with higher power conversion efficiency and power density. Toshiba has addressed these requirements for next-generation AI data centers by developing TW007D120E, which will contribute to lower power consumption and to the miniaturization and higher efficiency of power supply systems.</p>
<div class="lb-trans"><p>隨着生成式 AI 的快速擴展，數據中心的電力消耗問題日益嚴重。特別是高功率 AI 服務器的廣泛採用以及 800V 高壓直流（HVDC）架構的日益部署，推動了對具有更高電源轉換效率和功率密度的電源系統的需求。東芝通過開發 TW007D120E 來滿足下一代 AI 數據中心的這些需求，這將有助於降低電力消耗，並實現電源系統的小型化和高效化。</p>
</div><p>TW007D120E is built around Toshiba’s proprietary trench-gate structure[1], which achieves industry-leading[2] low On-resistance per unit area (RDS(on) A); it reduces conduction loss through lower On-resistance while simultaneously achieving lower switching loss. Compared with Toshiba’s current products, TW007D120E reduces RDS(on) A by approximately 58%[3] and improves the figure of merit, On-resistance × gate-drain charge (RDS(on) × Qgd), which represents the trade-off between conduction loss and switching loss, by approximately 52%[3]. These characteristics will help to realize highly efficient operation and reduced heat generation in data center power supply systems and contribute to improved overall system efficiency.</p>
<div class="lb-trans"><p>TW007D120E 基於東芝專有的溝槽柵結構 [1]，實現了行業領先的單位面積低導通電阻（RDS(on) A）；它通過降低導通電阻來減少導通損耗，同時實現更低的開關損耗。與東芝現有產品相比，TW007D120E 的 RDS(on) A 降低了約 58%[3]，並且在導通損耗與開關損耗之間的權衡指標——導通電阻 × 柵極 - 漏極電荷（RDS(on) × Qgd）上改善了約 52%[3]。這些特性將有助於實現數據中心電源系統的高效運行和減少熱量產生，從而提高整體系統效率。</p>
</div><p>The new product is housed in a QDPAK package that supports top-side cooling. This contributes to both higher power density implementation and enhanced thermal performance in the power stage, which are essential for power conversion in next-generation AI data centers.</p>
<div class="lb-trans"><p>新產品採用支持頂部冷卻的 QDPAK 封裝。這有助於在電源階段實現更高的功率密度和增強的熱性能，這對於下一代 AI 數據中心的電源轉換至關重要。</p>
</div><p>Toshiba will prepare for mass production of TW007D120E during fiscal year 2026 and will continue to expand its lineup, including development for automotive applications. Through the trench-gate SiC MOSFET, the company will contribute to improved power efficiency and reduced CO₂ emissions in data centers and a wide range of industrial equipment, supporting the realization of a decarbonized society.</p>
<div class="lb-trans"><p>東芝計劃在 2026 財年準備 TW007D120E 的量產，並將繼續擴展其產品線，包括汽車應用的開發。通過溝槽柵 SiC MOSFET，東芝將有助於提高數據中心和廣泛工業設備的電力效率，減少 CO₂排放，支持實現脱碳社會。</p>
</div><p>TW007D120E is based on results obtained from JPNP21029, a project subsidized by the New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO).</p>
<div class="lb-trans"><p>TW007D120E 基於新興能源和工業技術開發機構（NEDO）資助的項目 JPNP21029 的結果。</p>
</div><p>Notes:</p>
<div class="lb-trans"><p>備註：</p>
</div><p>[1] A device structure in which fine trenches are formed in the semiconductor substrate and gate electrodes are embedded within the trenches.</p>
<div class="lb-trans"><p>[1] 一種在半導體基板上形成細溝槽並將柵極電極嵌入溝槽內的器件結構。</p>
</div><p>[2] Toshiba research, as of May 2026.</p>
<div class="lb-trans"><p>[2] 東芝研究，截至 2026 年 5 月。</p>
</div><p>[3] Comparison of the newly developed 1200V SiC MOSFET with Toshiba’s 3rd-generation SiC MOSFET (TW015Z120C). Toshiba research, as of May 2026.</p>
<div class="lb-trans"><p>[3] 新開發的 1200V SiC MOSFET 與東芝第三代 SiC MOSFET（TW015Z120C）的比較。東芝研究，截至 2026 年 5 月。</p>
</div><p><strong>Applications</strong></p>
<div class="lb-trans"><p><strong>應用</strong></p>
</div><ul>
<li>Power supplies for data centers (AC-DC, DC-DC)</li>
<li>Photovoltaic inverters</li>
<li>Uninterruptible power supply (UPS)</li>
<li>EV charging stations</li>
<li>Energy storage systems</li>
<li>Industrial motors</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>數據中心電源（AC-DC，DC-DC）</li>
<li>光伏逆變器</li>
<li>不間斷電源（UPS）</li>
<li>電動汽車充電站</li>
<li>能量存儲系統</li>
<li>工業電動機</li>
</ul>
</div><p><strong>Features</strong></p>
<div class="lb-trans"><p><strong>特點</strong></p>
</div><ul>
<li>Low On-resistance and low RDS(on) A</li>
<li>Low switching loss and low RDS(on) × Qgd</li>
<li>Low gate drive voltage: VGS_ON=15V to 18V</li>
<li>High thermal performance QDPAK package</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>低導通電阻和低 RDS(on) A</li>
<li>低開關損耗和低 RDS(on) × Qgd</li>
<li>低柵極驅動電壓：VGS_ON=15V 至 18V</li>
<li>高熱性能 QDPAK 封裝</li>
</ul>
</div><p><strong>Main Specifications</strong></p>
<div class="lb-trans"><p><strong>主要規格</strong></p>
</div><table>
<thead>
<tr>
<th></th>
<th></th>
<th></th>
<th></th>
<th></th>
</tr>
</thead>
<tbody>
<tr>
<td>(Unless otherwise specified, Tvj=25°C)</td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>Part number</td>
<td>TW007D120E</td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>Package</td>
<td>Name</td>
<td>QDPAK</td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>Absolute maximum ratings</td>
<td>Drain-source voltage VDSS (V)</td>
<td>1200</td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>Drain current (DC) ID (A)</td>
<td>Tc=25°C</td>
<td>172</td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>Electrical characteristics</td>
<td>Drain-source On-resistance RDS(on) (mΩ)</td>
<td>VGS=15V</td>
<td>Typ.</td>
<td>7.0</td>
</tr>
<tr>
<td>Gate threshold voltage Vth (V)</td>
<td>VDS=10V</td>
<td>3.0 to 5.0</td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>Total gate charge Qg (nC)</td>
<td>VGS=15V</td>
<td>Typ.</td>
<td>317</td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>Gate-drain charge Qgd (nC)</td>
<td>VGS=15V</td>
<td>Typ.</td>
<td>33</td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>Input capacitance Ciss (pF)</td>
<td>VDS=800V</td>
<td>Typ.</td>
<td>13972</td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>Diode forward voltage VSD (V)</td>
<td>VGS=0V</td>
<td>Typ.</td>
<td>3.2</td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>Note: Specifications and schedules for products under development are subject to change without notice.</td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
</tbody>
</table>
<div class="lb-trans"><table>
<thead>
<tr>
<th></th>
<th></th>
<th></th>
<th></th>
<th></th>
</tr>
</thead>
<tbody>
<tr>
<td>（除非另有説明，Tvj=25°C）</td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>部件編號</td>
<td>TW007D120E</td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>封裝</td>
<td>名稱</td>
<td>QDPAK</td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>絕對最大額定值</td>
<td>漏極 - 源極電壓 VDSS（V）</td>
<td>1200</td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>漏電流（直流）ID（A）</td>
<td>Tc=25°C</td>
<td>172</td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>電氣特性</td>
<td>漏極 - 源極導通電阻 RDS(on)（mΩ）</td>
<td>VGS=15V</td>
<td>典型值</td>
<td>7.0</td>
</tr>
<tr>
<td>柵極閾值電壓 Vth（V）</td>
<td>VDS=10V</td>
<td>3.0 至 5.0</td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>總柵極電荷 Qg（nC）</td>
<td>VGS=15V</td>
<td>典型值</td>
<td>317</td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>柵極 - 漏極電荷 Qgd（nC）</td>
<td>VGS=15V</td>
<td>典型值</td>
<td>33</td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>輸入電容 Ciss（pF）</td>
<td>VDS=800V</td>
<td>典型值</td>
<td>13972</td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>二極管正向電壓 VSD（V）</td>
<td>VGS=0V</td>
<td>典型值</td>
<td>3.2</td>
<td></td>
</tr>
<tr>
<td>注：開發中產品的規格和計劃可能會在沒有通知的情況下更改。</td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
<td></td>
</tr>
</tbody>
</table>
</div><p><strong>Follow the link below for more on Toshiba’s SiC Power Devices.</strong> SiC Power Devices</p>
<div class="lb-trans"><p><strong>有關東芝 SiC 電源器件的更多信息，請訪問以下鏈接。</strong> SiC 電源器件</p>
</div><p>* Company names, product names, and service names may be trademarks of their respective companies.</p>
<div class="lb-trans"><p>* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。</p>
</div><p>* Information in this document, including product prices and specifications, content of services and contact information, is current on the date of the announcement but is subject to change without prior notice.</p>
<div class="lb-trans"><p>* 本文件中的信息，包括產品價格和規格、服務內容和聯繫信息，在公告日期是最新的，但可能會在沒有事先通知的情況下更改。</p>
</div><p><strong>About Toshiba Electronic Devices &amp; Storage Corporation</strong></p>
<div class="lb-trans"><p><strong>關於東芝電子設備與存儲公司</strong></p>
</div><p>Toshiba Electronic Devices &amp; Storage Corporation, a leading supplier of advanced semiconductor and storage solutions, draws on over half a century of experience and innovation to offer customers and business partners outstanding discrete semiconductors, system LSIs and HDD products.</p>
<div class="lb-trans"><p>東芝電子設備與存儲公司是一家領先的先進半導體和存儲解決方案供應商，憑藉超過半個世紀的經驗和創新，為客户和商業夥伴提供卓越的分立半導體、系統 LSI 和 HDD 產品。</p>
</div><p>Its 17,400 employees around the world share a determination to maximize product value, and to promote close collaboration with customers in the co-creation of value and new markets. The company looks forward to building and to contributing to a better future for people everywhere.</p>
<div class="lb-trans"><p>其全球 17400 名員工共同致力於最大化產品價值，並促進與客户的緊密合作，共同創造價值和新市場。公司期待為全球人民建設更美好的未來並做出貢獻。</p>
</div><p>Find out more at https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html</p>
<div class="lb-trans"><p>瞭解更多信息請訪問 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://cts.businesswire.com/ct/CT/query-ZGlzdHJvPW54JmlkPWJ3bmV3cyZsYW5nPWVuJnNpZD1hY3FyOCZzdHk9MjAyNjA1MjAyOTkxMzVyMQ" alt="" original-src="https://cts.businesswire.com/ct/CT?id=bwnews&amp;sty=20260520299135r1&amp;sid=acqr8&amp;distro=nx&amp;lang=en"/></p>
<p>View source version on businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20260520299135/en/</p>
<div class="lb-trans"><p>在 businesswire.com 上查看源版本：https://www.businesswire.com/news/home/20260520299135/en/</p>
</div><p>Source: Toshiba Electronic Devices &amp; Storage Corporation</p>
<div class="lb-trans"><p>來源：東芝電子設備與存儲公司</p>
</div>

東芝開始出貨 1200V 溝槽柵 SiC MOSFET 測試樣品，以提高下一代 AI 數據中心的效率