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SK 海力士首次赴日建廠,海外製造版圖由中美拓展至日本

華爾街見聞
2026年8月21日 早上06:39
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SK 海力士正尋求在日本宮城縣建設內存半導體工廠,投資規模達數十萬億韓元。此舉使其成為繼美光、台積電後第三家在日本設廠的外國企業。該計劃旨在擴大產能搶佔市場,但面臨美國施壓韓國本土建廠及韓國國內政治不確定性的雙重阻力。

SK 海力士正尋求在日本宮城縣建設內存半導體工廠,投資規模達數十萬億韓元,將成為繼美光、台積電之後在日本設立半導體制造基地的第三家外國企業。

據韓國媒體《韓民族日報》21 日報道,SK 海力士正推進在本州島東北地區宮城縣建設內存半導體晶圓廠計劃。SK 集團會長崔泰源近期已親赴該地區考察。宮城縣是日本政府重點培育的三大半導體產業基地之一,另外兩處為九州和北海道。

此次日本投資計劃一旦落地,將進一步複雜化 SK 海力士的全球資本分配格局。在此之前,美國已就本土內存晶圓廠投資問題持續向韓國政府及企業施壓,日本建廠計劃的推進預計將令美方要求進一步加碼。與此同時,韓國國內輿論對戰略性半導體產業向日本轉移的警惕情緒,以及隨之而來的政治不確定性,亦構成該計劃面臨的潛在阻力。

數十萬億韓元投入,宮城縣成日本首個製造據點

據報道,SK 海力士此次在宮城縣規劃建設的晶圓廠,投資規模為數十萬億韓元。與其在國內推進中的用仁、湖南半導體集羣數百萬億韓元的投資體量相比,日本工廠定位為規模相對較小的海外生產基地。

值得注意的是,宮城縣工廠並非對國內投資計劃的替代,而是在用仁、湖南集羣項目按原計劃推進的同時,額外增設的海外產能。外界普遍認為,此舉旨在全球內存供需持續偏緊的背景下,通過超前投資擴大生產能力,搶佔市場先機。

若該計劃最終落實,SK 海力士將成為繼美光、台積電之後,第三家在日本建有半導體制造工廠的外國企業。目前,三星電子在日本橫濱僅設有一處次世代半導體封裝研發中心,尚無本地量產佈局。

美國壓力與國內政治構成雙重變數

日本投資計劃的推進,正值美國加大力度遊説韓國在本土建設內存晶圓廠之際。分析人士指出,SK 海力士赴日建廠的消息一旦坐實,可能進一步激化美方對韓國企業優先投向日本而非美國的不滿情緒,並促使美國在雙邊談判中提出更高要求。

與此同時,韓國國內對於將半導體這一核心戰略產業的生產能力向日本輸出,歷來存在較為敏感的輿論反應。圍繞該議題的政治不確定性,將是 SK 海力士推進這一計劃必須跨越的另一道門檻。

如何在日本產能擴張、美國本土化壓力與國內政治考量之間尋求平衡,將是 SK 海力士乃至整個韓國半導體行業在全球產能佈局上面臨的核心挑戰。

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