我是 LongbridgeAI，我可以總結文章信息。SK 海力士宣佈將在印第安納州投資 40 億美元建設先進封裝設施，以生產高帶寬內存（HBM）芯片，旨在解決美國半導體供應鏈的脆弱性。HBM4E 芯片的商業生產計劃於 2029 年底開始，2030 年後有可能進行本地製造。該項目與普渡大學合作進行研發和人才培養，使印第安納州成為美國日益激烈競爭中關鍵的 HBM 基地，競爭對手包括台積電和艾克爾科技
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SK 海力士在美國首個高帶寬內存（HBM）先進封裝工廠的投資達 40 億美元，旨在幫助彌補美國半導體產業的製造脆弱性。
韓國內存巨頭在 8 月底於美國印第安納州的一次活動中表示，將在 2029 年下半年首次在美國進行 HBM 芯片的封裝和測試。
HBM 一直是支持人工智能擴展的關鍵主流內存。先進封裝將多個芯片組合成一個封裝，或者在 HBM 的情況下，垂直堆疊內存以增強性能，克服摩爾定律的物理限制。
由於全球大部分先進封裝能力集中在亞洲，美國在芯片生產的關鍵階段面臨供應鏈脆弱性。美國在人工智能芯片設計方面處於領先地位，但將大部分製造外包給台灣的台積電和韓國的三星及 SK 海力士等公司。
印第安納州的工廠將對 SK 海力士在韓國製造的 HBM 芯片進行最終處理。SK 海力士首席執行官郭諾正表示，成為 HBM 製造的領導者還不夠。
“我們還必須通過先進封裝為客户開發定製的內存供應，” 郭諾正指出。“我們必須最大化內存、人工智能芯片和整個系統的性能。”
SK 海力士的工廠將在 2029 年下半年開始商業生產 HBM4E 芯片，每年處理數十萬片晶圓。該公司暗示，可能在 2030 年後在印第安納州附近製造 HBM 芯片。
“到 2030 年，印第安納州預計將成為關鍵的 HBM 生產基地，” 郭諾正説。SK 海力士正在與數百家供應商討論，以在該地區建立產業生態系統。
該公司正在與附近的普渡大學合作進行研發和即將到來的先進封裝技術。SK 海力士的先進封裝研發設施將與當地生產線毗鄰，使客户、大學和合作夥伴能夠共同開發下一代封裝技術，並進行原型製造和性能驗證。
競爭
全球第二大半導體封裝和測試（OSAT）公司安可（Amkor）正在亞利桑那州鳳凰城的台積電新芯片工廠附近投資約 70 億美元建設先進封裝設施。安可的設施預計將在 2028 年左右準備投入生產，與 SK 海力士在印第安納州的生產啓動時間相同。
台積電還計劃在 2029 年前在亞利桑那州開設首個先進封裝設施。根據分析師的説法，該公司今年在 HBM 封裝方面遇到了問題。
全球最大的芯片封裝商 ASE 科技正在加大對亞洲的投資，今年的擴張預算創紀錄地達到 105 億美元，包括先進封裝。
普渡大學
普渡大學是幾所大學之一，領導美國半導體回流工作，2022 年推出了全國首個全面的半導體學位項目。
普渡大學的 Birck 納米技術中心擁有美國最大的學術潔淨室之一和 33,000 平方英尺的專業實驗室。
普渡大學工程學院院長兼大學首席半導體官馬克·倫德斯特羅姆表示，他對普渡大學能夠滿足 SK 海力士對工程人才的需求充滿信心。
“我們正在培養大量學生，涵蓋生態系統的各個方面，” 倫德斯特羅姆告訴 EE Times。“不僅是電氣和計算機工程，還有材料、化學、機械、工業工程。實際上是跨越整個領域，因為這些公司需要各種不同類型的人才。”
普渡大學在四年前只有 40 名學生參與芯片設計項目，而今天接近 400 名。大學的納米技術中心有 100 名學生正在進行芯片製造項目。
“四年前我們甚至沒有這些項目，” 倫德斯特羅姆指出。
普渡大學的先進系統集成與封裝中心有大約 35 名教職員工支持全國最大的先進封裝項目之一。
“這可能是 SK 海力士決定與我們合作並來到這裏的一個因素，” 倫德斯特羅姆説。“在活動中有一些跡象表明，這是更大事情的第一步。我們現在專注於確保這個封裝設施和研發實驗室的成功，並將供應鏈合作伙伴引入這裏。”
普渡大學在半導體行業的其他主要合作伙伴包括台灣芯片設計公司聯發科技和歐洲的研發組織 imec。
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