韓國 3 倍做多 ETF - Direxion

專家要點：內存

> 2026 年下半年供需缺口至少為 20%。

> 主要供應商剛剛開始預測，因為 2027 年的需求尚未確定。

> 2027 年的供需缺口可能在 10% 左右。這是一種悲觀看法，認為到明年年底將達到平衡。

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羣聯電子 CEO 不認同關於長江存儲（CXMT）的內存恐慌，稱其為 “市場的鬼故事”。他表示明年除了訂單之外，什麼都會出現短缺。他更擔心的是原材料短缺導致無法按時交貨，而不是訂單的可預見性。

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美銀關於長鑫存儲（CXMT）4F2 架構的分析：

受美國製裁影響，無法進口 ASML 的 EUV 光刻設備，長鑫存儲（CXMT）可能比 “三大” DRAM 製造商更快地推進 4F2 架構。

儘管前三大生產商已在低到中 10nm 節點轉向基於 EUV 的 6F2 設計，並研究 4F2 超過十年，但他們一直避免量產。

這種猶豫源於製造良率低、成本高昂以及技術挑戰——例如在緊湊芯片中塞入數十億晶體管和電容器時面臨的極端高温和結構脆弱問題。

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SK 集團會長崔泰源希望加速芯片工廠擴建，以避免在韓國存儲市場份額流失。他表示："如果中國公司或美國美光（Micron）擴張得更快，韓國的市場份額將會萎縮。"他補充道："需求巨大，但如果我們無法擴建工廠，那就是問題所在。"他還指出，"長江存儲（CXMT）和 ymtc 正在以令人恐懼的速度推進"，暗示僅靠美國的半導體限制措施難以遏制中國企業的增長。

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專家觀點總結：三星

> 三星的生產與採購調整：到 2027 年，三星正將其 1c 節點產能的 10% 以上從 LPDDR5X 重新分配至 HBM，而其移動部門則依賴多供應商策略，而非優先內部供應內存。

> NAND 產品細分與銷售渠道：SSD 佔三星 NAND 出貨量的約 62%（主要面向數據中心），代理渠道處理整體 NAND 出貨量的 30%–40%，以及三星移動 UFS 銷量的 60%。

> 2026 年第三季度漲價：三星（企業級 SSD 約 18%–19%）和 SK 海力士的漲價推動長江存儲（YMTC）對國內雲服務商（CSPs）的 2026 年 Q3 合同價漲幅高達 25%。DRAM 漲幅更為陡峭，中國數據中心合同價格上漲 30%–40%。

> 與長江存儲的技術差距：長江存儲的 Xtacking V8（232 層）落後於韓國同行，後者已量產 296 層（V9）和 400 層（V10）芯片，導致長江存儲的企業級 SSD 在數據中心市場的滲透率低於 10%。

> HBF 與代工預測：HBF 被視為中低端 GPU 的成本降低工具——擴大產能但帶寬減少約 17%；而三星代工的利用率預計將從 2026 年的 73% 增長至 2027 年的約 85%。

日期：2026 年 10 月 7 日

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在與主要存儲芯片製造商舉行會議後，美銀對存儲超級週期在 2028-2030 年間持續且無衰退的信心依然堅定，因為高 ASP、強勁需求以及供應緊張局面仍在繼續。

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滙豐銀行：在 AI 和通用服務器強勁需求的推動下，服務器 DRAM 價格應將繼續上漲。

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KB 證券：隨着 HBM4 出貨量增加，我們預計三星電子的 HBM 市場份額將從 2026 年二季度的 33% 躍升至 2026 年四季度的約 40%。

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初步出口數據 | 2026 年 9 月 10 日

基於每月 1 日至 10 日的統計數據

DRAM：同比增長 529%，環比增長 79%

MCP（HBM）：同比增長 293%，環比增長 87%

MLCC：同比增長 38%，環比增長 65%

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MIC 報告對各類 AI 組件進行了供需評估。

HBM/商用 DRAM：2027-2028 年持續緊張

高端 MLCC：2027 年緊張；2028 年需觀察

ABF 基板：2028 年可能緩解

ABF 積層膜：2027 年緊張；2028 年可能緩解

高端 CCL：2027 年緊張；2028 年可能緩解

T-Glass：2027 年下半年可能出現拐點

NAND：2027 年底至 2028 年可能緩解

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