韓國半導體股票經歷了多年來最嚴重的拋售，投資者重新評估中國快速發展的內存芯片行業所帶來的競爭威脅，此次拋售引發了以內存為重點的 ETF 的震盪，尤其是在 長鑫存儲科技（CXMT） 在中國市場的首次亮相後。

基準 KOSPI 指數暴跌 10.8%，創下近五個月以來的最大單日跌幅。內存芯片領軍企業 SK 海力士 Inc (NASDAQ: SKHY)、美光科技公司 (NASDAQ: MU) 和 閃迪公司 (NASDAQ: SNDK) 週一分別下跌了 7.5%、2.2% 和 11%。此次拋售是由於投資者對 CXMT 在上海成功上市可能加速中國在 DRAM 製造領域的擴張以及加劇對韓國主導內存生產商的競爭感到擔憂。

市場情緒進一步受到影響，報道稱一家中國國有企業已開始生產浸沒式深紫外（DUV）光刻設備，提升了人們對中國正在穩步縮小與全球半導體領導者之間技術差距的預期。

“市場的擔憂不在於 CXMT 當前的收益，而在於其加速擴張產能的潛力，”未來資產證券 的分析師 金石煥 告訴路透社，並補充説，投資者越來越關注這家中國公司的長期競爭威脅，而不是其當前的財務表現。

內存 ETF 面臨波動性考驗

週二的拋售使得市場重新關注集中於內存半導體行業的 ETF。

Roundhill Memory ETF (BATS: DRAM) 是今年表現最好的主題 ETF 之一，受益於對 AI 基礎設施和高帶寬內存（HBM）芯片的需求激增。SK 海力士作為 Nvidia Corp (NASDAQ: NVDA) AI 加速器中使用的 HBM 的主要供應商，一直是該基金最大的持倉之一，並對其今年的強勁收益做出了重要貢獻。

然而，韓國內存巨頭的急劇下滑突顯了集中投資的風險。任何對內存價格或市場份額的持續壓力都可能對重倉該行業的基金造成影響，特別是在投資者重新評估長期收益預期的背景下，隨着中國競爭的加劇。

週一 DRAM 下跌了 1.5%，週二盤前下跌超過 8%。

槓桿 ETF 放大波動

對內存行業的槓桿產品影響更為明顯。

Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF (BATS: RAM) 旨在提供 DRAM 每日表現的 200%，放大收益和損失。週二拋售後，RAM 的日波動幅度顯著大於其基礎基金，顯示出在高波動時期與槓桿投資相關的風險加大。週一 RAM 下跌近 4%，週二盤前暴跌近 18%。

相反，Roundhill T-REX 2X Short DRAM Daily Target ETF (RAMZ)，有趣的是，它在週二推出，旨在從基礎內存行業的下跌中獲益。

更廣泛的槓桿半導體基金，包括 Direxion Daily Semiconductor Bull 3X Shares (NYSE: SOXL) 和 Direxion Daily Semiconductor Bear 3X Shares (NYSE: SOXS)，也預計將受到關注，因為投資者在本週晚些時候 SK 海力士和三星的財報發佈前進行佈局。週一，SOXL 暴跌超過 6%，週二盤前下跌超過 13%。

監管審查加劇

市場動盪也加劇了對韓國槓桿 ETF 產品的審查。

該國最高金融監管機構表示，如果波動性持續，可能會考慮對單隻股票槓桿 ETF 的投資設限。這些產品僅在 5 月推出，吸引了強勁的零售參與，並越來越被視為放大重量級股票的劇烈波動。

週二，外國投資者淨賣出 5 萬億韓元（34 億美元） 的韓國股票，而零售投資者購買了 4 萬億韓元，突顯出市場的劇烈波動。

隨着 SK 海力士和三星將在本週晚些時候公佈季度財報，ETF 投資者將密切關注有關 AI 內存需求、價格趨勢和管理層對中國競爭的展望的更新。這些結果可能決定此次拋售是短期修正還是內存芯片 ETF 普遍重新定價的開始。

另請閲讀： 閃迪拋售推動 100% ETF 起飛，中國內存恐慌翻轉局面

照片來源：Kittyfly / Shutterstock