科創芯片設計 ETF 浦銀 (589250）早盤漲 8.58%，

隔夜美股反彈，半導體暴力拉昇，存儲板塊集體大漲，費城半導體指數漲超 8%，閃迪漲約 26%，美光科技漲超 18%，SK 海力士漲超 17%，西部數據漲超 15%，AMD、Credo 漲逾 13%，英特爾漲逾 11%。

亞太市場方面，韓國 KOSPI 指數漲超 16%，存儲雙雄，SK 海力士、三星電子暴漲。

7 月 31 日，A 股三大股指高開，芯片板塊暴力反彈。

截至 9:33，科創芯片設計 ETF 浦銀 (589250）漲 8.58%；樣本股，普冉股份漲 17.81%、傑華特漲 15.57%、佰維存儲漲 12.85%、盛科通信-U 漲 11.33%、瀾起科技漲 11.3%。

Wind 數據顯示，截至前一交易日，科創芯片設計 ETF 浦銀 (589250）截至前一交易日，近一月合計淨流入 3168.48 萬元。

消息面上，日前，SK 海力士會長出手增持 3620 股 SK 海力士普通股。給出的理由是十分看好半導體行業的長期價值，並且認為近期 SK 海力士股價大幅下跌、估值嚴重偏低。

據報道，台積電正研發對標英特爾 EMIB 的先進封裝技術，以應對日益激烈的行業競爭。

傳統 2.5D 封裝（如台積電 CoWoS）需使用一整塊大尺寸硅中介層，而英特爾 EMIB 技術僅在芯片間嵌入微型 “硅橋” 實現高速互聯。這種架構不僅成本更低、良率更高，還能支持更大規模的封裝尺寸。憑藉這些優勢，EMIB 能完美適配集成海量計算單元與內存的 AI 芯片需求，因此備受業界關注。

中信證券研報指出，近期科技板塊波動較大，不改基本面下半年向好趨勢。國內自主可控閉環趨勢進一步明確，半導體設備、Fab、國產算力自主可控鏈上行趨勢均明確，同時全球 AI 趨勢下的電源相關、PCB、存儲也持續強勁，並向消費電子發散，疊加二季報電子公司業績強勁，同環比趨勢明確加速，看好板塊後續表現。

科創芯片設計 ETF 浦銀 (589250）緊密跟蹤上證科創板芯片設計主題指數（950162），高度聚焦 50 只科創板芯片設計上市公司，其中數字芯片設計權重佔比近八成。規避了半導體材料設備、製造、封測等環節，在芯片板塊環節中，相較半導體材料指數估值較低，更契合產業發展趨勢。

彈性方面，上證科創板芯片設計主題指數只包含科創板的芯片設計公司，成分股單日漲跌幅為±20%，彈性更大、進攻性更強。

成長性方面，科創芯片設計 ETF 浦銀 (589250) 跟蹤上證科創板芯片設計主題指數，在 2024 年 1 月 5 日-2026 年 3 月 30 日期間，標的指數累計上漲 141.86%，是漲幅第一的芯片行業主題指數，高於科創芯片（133.60%）、中證全指半導體（97.77%）和半導體材料設備（98.39%）。

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