閃迪：彎道超車？深度解析高帶寬閃存 HBF 機會

HBM 之後的關鍵一躍

8 月 4 日，SK 海力士 + 閃迪（Sandisk）聯合發佈了 高帶寬閃存（HBF）的首個公開技術規範。聯盟成員還包括 $谷歌-A(GOOGL.US) 和 Tenstorrent。針對 HBM 新的替代方案正式提出，存儲板塊的價值分配正在被重寫

一句話概括這個技術："給 NAND 穿上 HBM 的衣服"——用 HBM 的 3D 堆疊和近端封裝思路重做 NAND，插在 GPU 旁邊當"近端內存"。

它解決的痛點是？

AI 的瓶頸遇到"內存牆"。推理階段 KV Cache 隨上下文長度線性膨脹，但 HBM 容量太小（HBM4 單棧才 36–48GB），權重和緩存被迫在遠端 SSD/主機內存反覆搬運，GPU 大量時間在等。

HBF 的賣點：接近 HBM 的讀帶寬 + 8–16 倍容量 + 成本相當。它不完全替代 HBM，而是補一箇中間層。

幾個硬指標：

• 首版標準：最高 512GB，帶寬 0.4–3.0 TB/s，用 UCIe 互聯
• 關鍵取捨：讀延遲約 10μs（HBM 是納秒級）、寫壽命約 10 萬次 → 只適合"寫一次讀多次"（正好匹配模型權重/預算好的 KV Cache）
• SK 海力士 H³ 混合架構模擬：超長上下文下 batch size 最高 提升 18.8 倍、吞吐/功耗比 提升 2.69 倍，原本 32 塊 GPU 的活可能 2 塊搞定

HBF 路線展望

短期（2026–27）影響可忽略（還在樣品階段，HBM 剛需不變）；估值主要靠敍事驅動，中期（2028–30）可能出現分流；長期（2030 後）可能改寫 HBM 增長曲線——"HBM 之父"金正浩預測 約 2038 年 HBF 需求規模可能超過 HBM。

風險點在：軟件棧適配、生態採用速度、共封裝散熱，工藝良率、壽命長期驗證