谷歌一项提升 AI 推理效率的算法突破，正在存储芯片行业引发结构性分化：闪存企业股价持续承压，而高带宽内存（HBM）相关标的则相对企稳。
美股存储芯片板块连续两个交易日承压，闪迪（Sandisk）周四美股收盘重挫 11%。周五，抛售情绪一度蔓延至亚太市场，韩国存储股延续下挫，SK 海力士盘中跌超 5%，三星电子跌幅逾 4%。
然而，得益于 HBM 业务在 AI 训练领域的核心地位，为英伟达 AI 加速器供应高带宽内存的三星电子与 SK 海力士迅速企稳，三星基本已收复全部跌幅，SK 海力士跌幅亦收窄至 1%，展现出优于闪存厂商的韧性。相比之下，铠侠等此前数月累计涨幅逾 600% 的个股则继续走低。
摩根士丹利分析师 Tiffany Yeh 在研报中指出，谷歌推出的 “TurboQuant”技术通过压缩内存占用与数据移动量显著提升 AI 推理效率，但 “并不会削弱对 HBM 等核心存储芯片的需求”。市场正逐步意识到，该技术对闪存企业构成的威胁远大于 HBM 领域。
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<h2 style="text-align: left">闪存板块首当其冲，此前涨幅已大幅回吐</h2>
在人工智能普及预期推动下，闪存及存储产品制造商近月吸引大量投资者涌入。自 8 月底以来，Sandisk 股价累计涨幅一度超过 1000%，铠侠亦上涨逾 600%，表现远优于三星电子、SK 海力士及美光科技等传统存储巨头。
然而，本周市场情绪发生逆转。投资者在意识到谷歌技术突破的深远影响后，率先抛售上述企业股票。谷歌宣布，其 TurboQuant 算法可将大语言模型运行中特定环节所需内存压缩至少六分之一，从而显著降低人工智能的整体运营成本。市场担忧，此举将削弱 Meta 等超大规模数据中心运营商对存储器的采购需求，进而拖累智能手机与消费电子领域存储芯片价格。
彭博智库分析师 Jake Silverman 在研报中指出：“由于模型权重需存储在 GPU 内存中，HBM 需求及美光所生产的 DRAM 大概率不受影响；相较之下，NAND 闪存需求将面临更为深远的长期冲击。”
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<h2 style="text-align: left">HBM 需求逻辑未受动摇，三星与 SK 海力士企稳</h2>
与闪存板块持续下挫形成对比，高带宽内存（HBM）相关标的在此轮抛售中展现出较强韧性。三星电子周五已收复全部跌幅，SK 海力士股价亦基本回到抛售前水平。
分析师认为，这一分化背后存在清晰的逻辑支撑。在 AI 大语言模型训练阶段，GPU 对 HBM 的需求高度集中，而 TurboQuant 所优化的是推理环节的内存效率，并未触及训练侧对 HBM 的核心需求。三星与 SK 海力士此前正是凭借 HBM 产品在 AI 投资热潮初期成为市场宠儿，目前这一优势地位尚未因本次算法突破而动摇。
<h2 style="text-align: left">分析师：市场短期波动难掩行业长期叙事</h2>
值得注意的是，本轮存储芯片抛售发生在科技股整体估值面临审视的宏观背景下。中东局势引发的通胀担忧令市场对高估值股票趋于谨慎，投资者对消息面高度敏感，获利了结行为随时可能触发。
SGMC Capital 首席投资官 Ed Gomes 表示，驱动 AI 技术落地与应用的硬件需求是长期结构性命题，“将在数年乃至数十年间持续演进，而非数日或数周”。他认为，围绕 TurboQuant 的抛售属于 “短期噪音，为优质标的提供了很好的买入机会”。
不过，分析师亦指出，在 AI 效率算法持续迭代的背景下，存储芯片行业内部的分化格局或将进一步加剧。闪存企业能否重现此前的高增长预期，仍有待观察。

半导体 ETF - VanEck Vectors

纳斯达克半导体 ETF - First Trust

动态半导体 ETF - Invesco

半导体 3 倍做多 - Direxion

三星电子

费城交易所 半导体 ETF - iShares

南方两倍做多海力士

标普半导体 ETF - SPDR

谷歌 TurboQuant 算法突破引发存储芯片行业分化：闪存企业股价连续承压，铠侠等前期涨幅大幅回吐；HBM 供应商三星、SK 海力士则迅速企稳。摩根士丹利指出，该技术主要优化推理环节内存效率，对 HBM 核心需求影响有限，而对 NAND 闪存构成更大威胁。彭博智库认为，推理环节的内存优化对 NAND 闪存冲击更大，而 GPU 所需的核心存储（HBM/DRAM）需求基本不受影响。

- 谷歌推出的 “TurboQuant” 算法提升 AI 推理效率，导致存储芯片市场分化。  
- 闪存企业股价持续承压，而高带宽内存厂商如三星与 SK 海力士企稳。  
- 市场预计闪存需求受影响，HBM 需求则保持强劲，结构性分化明显。

连续两天大跌后，存储板块开始 “分化”：三星海力士企稳，“闪存” 继续下跌