我是 LongbridgeAI，我可以总结文章信息。Navitas Semiconductor 已获授美国陆军 ALATTIS 项目，用于开发下一代 10kV 碳化硅 (SiC) 功率半导体。该项目由陆军研究实验室赞助，旨在验证超高压 SiC IGBT 和 PiN 二极管的本土制造工艺。Navitas 凭借其在超高压 SiC 领域的创新、国防级可靠性以及扎根美国的供应链而入选，标志着在推进关键国防应用的高功率电子技术方面迈出了重要一步
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Navitas 获授美国陆军 ALATTIS 项目，开发 10kV 功率半导体
位于美国加利福尼亚州托伦斯的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半导体公司 Navitas Semiconductor Corp 已获授 ALATTIS（加速、大面积、10kV SiC IGBT）项目，以开发下一代 10kV 碳化硅 (SiC) 功率半导体技术。
Navitas 表示，经过竞争性评估，美国陆军从领先的美国碳化硅技术公司中选择了该公司，以表彰其在超高压 SiC 创新方面的表现、提供国防级性能和可靠性的经证实的能力，以及为先进功率半导体技术提供的具有韧性的、扎根美国的制造生态系统。
ALATTIS 原型项目由在美国陆军战斗能力发展司令部 (DEVCOM) 旗下运营的陆军研究实验室 (ARL) 赞助，旨在通过迭代设计、制造和测试，开发、执行并验证一种新颖且目前尚不可用的超高压 (≥10kV) SiC 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率半导体器件的本土制造工艺。ALATTIS 得到联合实验与技术加速器 (JETX) 的支持，旨在推进用于关键国防和基础设施应用的高功率电子技术。该项目将加速下一代 10kV SiC IGBT 及相关 PiN 二极管技术的开发，以满足武装部队任务关键系统的需求。
在其旗舰沟槽辅助平面 (TAP) MOSFET 架构的引领下，Navitas 的 GeneSiC 碳化硅功率半导体产品组合涵盖从 650V 到 6.5kV 的电压等级，并由具有韧性的、扎根美国的供应链进行工程设计、制造和支持，从而为下一代国防和关键基础设施应用实现先进功率半导体技术的安全本土生产。Navitas 表示，其在超高压 SiC 领域开创了多项行业先河，包括：
- 2010 年推出 6.5kV SiC 晶闸管（荣获 2010 年 R&D 100 奖）；
- 2012 年推出 10–15kV PiN 二极管；
- 2021 年商业化发布 6.5kV SiC MOSFET。
Navitas 高级副总裁兼首席技术官 Siddarth Sundaresan 表示：“获授 ALATTIS 项目标志着在推进超高压碳化硅 (SiC) 功率器件方面迈出了重要一步，同时也认可了 Navitas 在提供可靠、超高压、高功率 SiC 技术方面超过 20 年的创新历程。该项目使 Navitas 能够基于我们独特的专利沟槽辅助平面 (TAP) 架构，并结合先进的 PiN 二极管技术，开发下一代 10kV SiC IGBT，从而将其领导地位从 SiC MOSFET 进一步拓展。”
Navitas 发布第五代 SiC 沟槽辅助平面 MOSFET 技术
Navitas 提供 3300V 和 2300V 超高压碳化硅产品组合样品
功率电子
www.navitassemi.com