
据报道,SK 海力士和三星电子预计都将采用混合键合作为下一代高带宽内存(HBM)芯片的先进半导体封装工艺。三星预计将在明年初的 HBM4 中开始使用该技术,而 SK 海力士可能会等到 HBM4 的升级版 HBM4e。1/2 $HXSCL $SSNLF #半导体 #半导体
来源:Dan Nystedt
本文版权归属原作者/机构所有。
当前内容仅代表作者观点,与本平台立场无关。内容仅供投资者参考,亦不构成任何投资建议。如对本平台提供的内容服务有任何疑问或建议,请联系我们。

据报道,SK 海力士和三星电子预计都将采用混合键合作为下一代高带宽内存(HBM)芯片的先进半导体封装工艺。三星预计将在明年初的 HBM4 中开始使用该技术,而 SK 海力士可能会等到 HBM4 的升级版 HBM4e。1/2 $HXSCL $SSNLF #半导体 #半导体
来源:Dan Nystedt
本文版权归属原作者/机构所有。
当前内容仅代表作者观点,与本平台立场无关。内容仅供投资者参考,亦不构成任何投资建议。如对本平台提供的内容服务有任何疑问或建议,请联系我们。