SK 海力士未来 30 年的 DRAM 内存芯片路线图包括 4F2VG（垂直栅极）技术，以改进 DRAM 芯片并克服制造挑战，3D DRAM 将成为未来增长的主要驱动力。
-4F2VG 通过垂直栅极结构最小化 DRAM 单元面积，实现高集成、高速、低功耗运行。它还将有助于将制造工艺缩小到 10 纳米以下。-3D DRAM：创新将克服堆叠层带来的成本上升问题。#SKhynix #DRAM #semiconductors #semiconductor来源：Dan Nystedt
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