韩国科学技术院（KAIST）的 #HBM 领域顶尖专家金正浩教授，展示了到 2040 年 #HBM 技术的精彩路线图。
对 HBM 封装的影响：👉在 2032 年 HBM6 之前不会采用混合键合技术👉更薄的 DRAM 可实现 20 层堆叠，厚度小于 720 微米来源：Chips & Wafers
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对 HBM 封装的影响：👉在 2032 年 HBM6 之前不会采用混合键合技术👉更薄的 DRAM 可实现 20 层堆叠，厚度小于 720 微米来源：Chips & Wafers
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