据报道，英特尔与 Saimemory 旨在挑战 SK 海力士、美光、三星的 HBM 芯片，作为首选 AI 内存的新型 Z-Angle Memory（ZAM），将由台湾力积电（PSMC）制造，目标是在 2029 年实现大规模生产。日本新光电气将负责封装这些先进的内存芯片。$英特尔(INTC.US) $英伟达(NVDA.US) $美光科技(MU.US) $SSNLF $HXSCL $6770.TW $6967.T #PSMC #新光电气

来源：Dan Nystedt