据媒体报道，SK 海力士计划利用台积电的 3 纳米工艺生产其下一代 HBM4E 内存芯片的基础芯片，以在性能上超越三星。报道补充称，SK 海力士将使用其 10 纳米级第六代（1c）DRAM 生产工艺来制造堆叠在 HBM4E 中的 DRAM。其将用于英伟达鲁宾 GPU 的 HBM4 芯片，采用其第五代 10 纳米级工艺制造，并使用基于台积电 12 纳米工艺制造的基础芯片。$台积电 (TSM.US) $SK 海力士 (HXSCL.US) $英伟达 (NVDA.US) $美光科技 (MU.US) #SK 海力士 #三星 #半导体

来源：Dan Nystedt