据媒体报道，三星电子已开始向客户运送下一代 HBM4e 内存芯片样品，该芯片为 12 层高带宽内存 4e。新芯片采用三星 1c DRAM 制造技术，速度较 HBM4 提升超过 20%，并搭载由三星代工 4 纳米工艺制造的逻辑基础芯片。$HXSCL $SSNLF $美光科技(MU.US) #三星 #SK 海力士 #半导体 #HBM
来源：Dan Nystedt
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