美光（纪要）：HBM4 已送样，HBM3E 12Hi 顺利量产

美光（MU.O）于北京时间 2025 年 6 月 26 日早的美股盘后发布了 2025 财年第三季度财报（截止 2025 年 5 月），要点如下：

以下为美光 2025 财年第三季度的财报电话会纪要，财报解读请移步《HBM 放量在即，美光能否乘胜追击？》

一、$美光科技(MU.US) 财报核心信息回顾

1. Q4 指引（non-GAAP）:

a. 营收：107 亿美元（±3 亿美元），环比预计增长 15%。

b. 毛利率：42%（±100 个基点），受益于 DRAM 定价、产品组合及成本改善。

c. 运营费用：约 12 亿美元（±2000 万美元），环比增加因 HBM 及未来技术研发投入。

d. 每股收益：2.50 美元（±0.15 美元），基于 11.5 亿股股本。

e. 税率：约 13%（2026 财年预计升至高 teens%，因新加坡全球最低税政策）。

2. 资本支出：2025 财年资本支出维持 140 亿美元，主要用于 HBM、工厂建设及研发。预计年末 DRAM 库存紧张，NAND 库存大幅减少，整体库存周转天数接近目标。

3. 业务调整：启动以市场领域为中心的业务部门重组，Q4 起按新部门披露营收、毛利率等指标。

二、美光财报电话会详细内容

2.1 高管陈述核心信息

1. Q3 业绩核心

a. DRAM 因 HBM 环比增长近 50% 创新高，为数据中心 LPDRAM 独家供应商；

b. NAND 在数据中心及客户端固态硬盘 SSD 市场份额创纪录，首次跻身数据中心 SSD 市场第二。

2. 技术进展：

a. 1-gamma DRAM：良率提升速度超 1-beta 节点，已完成基于该节点的 LP5 DRAM 首批合格样品出货；相比 1-beta，位密度提升 30%、功耗降低 20% 以上、性能提升 15%，将应用于全 DRAM 产品线。

b. NAND：QLC 占比创历史新高；基于 G9 2Tb QLC NAND 的高性能 SSD 进入认证阶段，G9 节点产能按需求稳步提升。

3. 全球投资计划：美国投资 2000 亿美元（未来 20 余年），含 1500 亿制造、500 亿研发，额外增投 300 亿：建第二座爱达荷州晶圆厂、扩建弗吉尼亚工厂、布局美国先进封装能力，纽约工厂预计 2025 年晚些时候启动场地准备。

4. 终端市场表现：

a. 数据中心：2025 年服务器市场单位出货量预计增长中个位数（5% 左右），主要由 AI 服务器驱动。

- HBM：HBM3E 12 层堆叠良率 / 产能提升顺利，FQ4 出货突破；2025 年下半年份额有望接近整体 DRAM 的份额（20-25%）；已向 4 家客户（含 GPU/ASIC 平台）大批量供货，HBM4 样品交付多家客户，2026 年量产（带宽超 2TB/堆栈，性能升 60%+，功耗降 20%）。

- DRAM：高容量 DIMM 和低功耗服务器 DRAM 营收创新高，2025 财年已创收数十亿美元（同比增 5 倍）。

- SSD：9550 SSD 入 NVIDIA 推荐名单，6550 ION 60TB SSD 加速认证。

b. PC 市场：2025 年预计低个位数增长，依赖 AI PC 普及和 Windows 11 升级。客户端 SSD Q1 份额创新高；即将发布基于 G9 QLC 2TB 的 SSD（写入速度提 4 倍，性能接近 TLC）。

c. 移动市场：2025 年智能手机预计增长低个位数，AI 推动 DRAM 容量提升（更多机型将搭载 12GB + 内存）。

- DRAM：基于 1-gamma 节点的 LP5X DRAM 样品已出货（2026 年旗舰机用，​​AI 应用推荐速度提升 25%+，功耗降 20%）；

- NAND：G9 工艺 UFS4.1 产品获关键客户订单并量产，获 7 家手机厂商质量奖项。

d. 汽车、工业与消费嵌入式市场

- 汽车：L2/L3 ADAS 和 AI 车载系统推动存储需求，1-beta 双通道 LP5 DRAM（支持 9.6Gbps）已量产就绪。

- 工业：AI 投资恢复增长（如工厂自动化），D4/LP4 供应受限 + 渠道库存低，推动价格改善。

5. 市场展望：

a. 供需关系：2025 年 DRAM 位需求预计增长高 teens%（18% 左右），NAND 位需求增长低 double-digit%（12% 左右）；美光非 HBM DRAM 和 NAND 的位供应增长将低于行业需求。中期（DRAM 和 NAND）位需求预计增长中 teens%；2025 财年末 NAND 晶圆产能较 2024 财年降 10%（因节点转换效率提升）。

b. D4/LP4：已向大客户发送 EOL 通知（停产通知），最终出货将在未来 2-3 季度完成（主要产线为 1-alpha 节点，与 1-beta/1-gamma 无关）。短期内 D4 供应短缺加剧，实行配额制；LP4 短缺可能跟进；长期将继续为汽车、工业等领域的低容量需求客户供货。

2.2 Q&A 问答

Q：如何看待 HBM 的 TAM 随加速器 TAM 的增长情况？这些 GPU 和定制 ASIC 所搭载的 HBM 是否存在某种限制？

A：增长情况：HBM 需求将持续上升，2025 年市场规模预计从 180 亿美元增至 350 亿美元；2026 年位需求增长远超整体 DRAM 行业，且技术迭代（8 层转 12 层、HBM4 及后续版本）提升价值，与加速器平台需求匹配，是业务增长和价值的重要驱动力，公司已做好准备维持领先。

限制：未提及明确限制。

Q：毛利率环比增长的驱动因素是什么？这是否会成为毛利率的新基准？展望第四季度之后的未来几个季度，有哪些推动或抑制因素？

A：驱动因素：定价好于预期，是关键因素；成本控制良好；产品组合优化（DRAM 增长超 NAND，数据中心产品占比提升、消费类占比下降）。

新基准：未提及。

展望：市场环境向好，将聚焦定价。尽管第一季度面临较大供应限制，但会转向更高价值的 DRAM 和 NAND 产品。

Q：23%-24% 的 HBM 市场份额是否与 350 亿美元的年度规模相关，是否受季节性影响？从位数增长和下一代产品带来的更高 ASP 来看，二者对 HBM 年度增长的贡献应如何考量？结合市场份额在下半年达成及 23%-24% 的占比，HBM 的营收规模大致如何？

A：规模与季节性：未直接提及与 350 亿美元规模的关联及季节性影响。仅表示有望提前达成 HBM 市场份额与自身 DRAM 份额持平（20-25%）。

贡献：未直接回应二者贡献占比，强调 12 层堆叠 HBM 良率提升快于 8 层，产能提升显著，是 HBM 业务强劲表现的重要支撑。

营收规模：第三财季 HBM 年化营收已超 60 亿美元（表明第三财季为 15 亿美元），且产量持续提升，结合份额目标，营收规模将随产能和份额增长进一步扩大。

Q：HBM 方面，明年达成份额目标后，明年的正常化份额如何？若竞争对手资质问题持续到明年，公司是否有扩产计划？扩产后份额可能如何？

A：份额：未明确具体数值，仅提及 HBM 将成为整体产品组合一部分，份额会随终端市场变化调整，重点关注 ROI 和盈利能力。

扩产：公司已在新加坡投资扩建 HBM 后端封装产能（2027 年投产），且 HBM 产能与其他产品可替代，具备灵活性；未直接提及竞争对手问题对份额的影响。

Q：NAND 方面，目前利用率如何？明年利用率计划是怎样的？取决于市场，还是因毛利率压力需提高利用率？

A：目前利用率：总产能较 2024 财年末结构性下降 10%，利用率用率不足问题缓解，但部分产能仍未充分利用，领先制程已完全饱和。

计划：未明确具体计划，产能调整与 G9 节点过渡等结构性转型相关，未提及受市场或毛利率压力直接驱动。

Q：2026 年 HBM 供应及定价谈判进展如何？明年供应是否已完全确定？考虑到 HBM3E 和 HBM4 12 层堆叠的认证周期可能较长，客户 2026 年的 HBM 需求预测是否超过公司的供应能力？

A：谈判进展：正与客户合作推进中（因客户加速平台快速迭代，需规划 HBM3E 12 层堆叠及 HBM4 的供应链与产品组合），尚未完全确定供应；HBM4 已送样，聚焦客户认证，HBM3E 12 层堆叠已量产且良率提升良好。

需求预测：未直接提及需求是否超供应，仅强调 2026 年 HBM 位需求增长强劲

Q：长期资本支出计划中，占营收 35% 的水平对 2026 财年是否仍适用？ 因存在机遇，是否需要超此比例提前投资？

A：适用性：未直接提及该比例是否适用，仅明确当前维持约 140 亿美元全年资本支出，未来将继续扩大新增产能（含新节点设备安装），支出时间可能因建设、补贴等因素波动。

提前投资：正推进新产能建设以应对 HBM 等需求，强调凭借灵活资产负债表保障投资（维持技术领先），未明确提及需超 35% 比例。

Q：HBM4 因硅通孔使 I/O 容量翻倍，预期的 trade ratio（单位晶圆产能能转化为实际可用存储容量的效率比例）是多少？ 向 GPU 客户与 ASIC 客户销售的 HBM 在位数及利润率方面是否存在差异？

【trade ratio 的核心含义：假设生产 1 片传统 DRAM 晶圆，能产出 100GB 的有效存储容量；而生产 HBM 时，由于堆叠、封装等步骤的良率损耗，同样 1 片晶圆可能只能产出 30GB（即 trade ratio 为 3）】

A：HBM4 预期 trade ratio：大于 3，高于 HBM3E（约 3）；从 HBM3E 到 HBM4 再到 HBM4E，贸易比例将从 3 逐步升至 4 左右。

HBM 差异：两者均为高价值，且未来 HBM 容量（如从 200-288GB 向更高水平提升）和价值定位均会增长。

Q：客户因关税提前备货的情况具体如何？客户库存水平是否已趋合理？这对下半年位需求量有何影响？

A：提前备货：部分客户存在一定程度的关税相关备货，但影响相对有限。

库存水平：整体健康，已趋合理。

对下半年位需求量的影响：需求环境向好，受 AI 驱动的数据中心、汽车、工业等领域需求增长推动，预计保持增长态势。

Q：HBM4 的认证进展如何？在 HBM4 上，是否能延续 HBM3E 的功率性能领先优势？

A：HBM4 认证进展：已向多家客户提供样品，客户认证工作尚未完成，计划 2026 年满足客户需求（作为 2026 年量产爬坡产品，契合客户下一代平台时间线）。

功率性能领先优势：计划延续在功耗上的优势，且对 HBM4 量产爬坡有信心（基于 HBM3E 12 层堆叠良率、产量超预期的经验，及采用成熟 1-beta 技术和自研先进 CMOS 逻辑芯片）。

Q：聚焦 AI 服务器，是否也带动了对 SSD 的需求？

A：未直接提及 AI 服务器对 SSD 需求的带动，但提到数据中心 SSD 在近期发布的加速器平台中占据有利地位，这将为其未来增长贡献力量；同时2025 年下半年数据中心 SSD 表现预计好于上半年（上半年受库存消化影响），且公司正聚焦向 NAND 市场高价值部分转移产品结构。

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