AMAT（纪要）：半导体设备年增超 20%，强劲势头至 2027 年
以下是海豚君整理的关于应用材料 AMAT2026 财年第一季度财报电话会纪要，财报解读请移步《应用材料 AMAT：Capex 大周期驾到，设备股春天来了！》
应用材料 AMAT 交流核心信息：
1）2026 年展望：半导体设备业务预计本自然年增长超过 20%，需求偏向下半年；NAND 与 ICAPS（持平）增长较慢。服务业务低双位数增长率（11-15%）。客户洁净室空间可用性是投资节奏调整的关键因素。基于客户长期可见性，强劲增长势头预计延续至 2027 年。
2）NAND 市场：2026 年设备需求预计适度增长，NAND 在晶圆厂设备支出中占比预计保持在 10% 以下。
3）存储扩产：目前 DRAM 领域的投资，绝大部分都集中在全新产能扩建上；而在 NAND 闪存领域，当下的投资则更多聚焦于产线升级。
整体来看，应用材料 AMAT 本次不仅给出了超预期的 “下季度指引”，更是明确给出了 2026 年全年展望。其中半导体设备业务全年在增长超 20%，这也是大幅好于市场期待的。
结合公司给出的下季度指引来看，第二财季（2-4 月）半导体设备业务收入 58 亿美元，那么公司在 2026 年财年下半年的平均单季度收入有望达到 70 亿美元以上。未来两年都将是 Capex 扩张期，公司明确的展望将公司总收入两年复合增速预期从原来的市场预期（10%）上调至 15% 左右。
公司收入中有将近 3 成来自于中国大陆地区，受中美半导体摩擦的不确定性，市场一直给公司相对同行较低的 PE 估值。在业绩预期上修后，公司股价对于 2027 财年的 PE 仅为 23 倍左右，远低于 ASML、拉姆研究的 30 倍以上 PE。
虽然中国大陆地区收入仍有一定风险，但当前存储市场对设备的需求是大幅超出市场预期的，而公司估值依然还是相对偏低的。在本轮 Capex 大周期下，公司的业绩和估值都有望得到向上修复的机会。
一、$应用材料(AMAT.US) 财报核心数据回顾
2026 财年第二季度指引：
- 公司营收：76.5 亿美元（±5 亿美元），环比增长约 9%。
- Non-GAAP 每股收益：2.64 美元（±0.20 美元）。
- 半导体系统营收：约 58 亿美元。
- AGS 营收：约 16 亿美元。
- 其他营收：约 2.5 亿美元。
- Non-GAAP 毛利率：约 49.3%。
- Non-GAAP 运营费用：约 14.15 亿美元。
- Non-GAAP 税率：约 11%。
公司 2026 年增长展望：半导体设备业务预计本自然年增长超过 20%，需求偏向下半年；客户洁净室空间可用性是投资节奏调整的关键因素。基于客户长期可见性，强劲增长势头预计延续至 2027 年。
二、应用材料 AMAT 财报电话会详细信息
2.1 高层陈述核心信息
各业务板块进展与展望
先进制程逻辑
- 客户正增加 FinFET 节点产能，并行推进全环绕栅极节点。
- 公司为先进制程逻辑明确的第一大工艺设备供应商，在材料沉积、改性及处理、导体刻蚀、电子束技术方面拥有强大领导地位。
- 全环绕栅极节点显著扩大公司可用市场，并为多个市场份额增长点提供催化剂。
DRAM 与 HBM
- 客户积极增加 6F²节点产能，并行开发下一代 DRAM 器件架构。
- AI 计算推动 HBM DRAM 巨大需求：HBM 芯片尺寸更大，每比特美元所需晶圆投片量为标准 DRAM 的 3-4 倍。
- HBM 堆叠芯片数量正从 12 个增至 16 个，未来将达 20 个或以上，进一步拉动晶圆投片与先进封装需求。
- 公司为内存领域第一大工艺设备供应商，在 DRAM 布线/图案化材料沉积、导体刻蚀及电子束技术方面为明确领导者。
先进封装
- 2026 年增长最快细分市场为 HBM 及 3D 芯粒堆叠。
- 公司在材料沉积与去除技术领域拥有领导地位，正扩大先进封装整体领先优势。
NAND
- 2026 年设备需求预计适度增长，NAND 在晶圆厂设备支出中占比预计保持在 10% 以下。
ICAP 市场（物联网、通信、汽车、电源、传感器）
- 全球及中国晶圆厂设备支出预计同比基本持平
技术创新与产品路线图
冷场发射电子束技术（CFE）：预计本自然年收入翻倍至超过 10 亿美元，为 2026 年增长最快业务之一；该技术加速下一代芯片架构学习速度及公司工艺设备组合采用。
2026 年新产品规划：计划推出十多款新产品，包括本周宣布的 3 款：
自由基处理系统：提供纳米片表面单品级精密工程，实现更高速度的下一代全环绕栅极晶体管。
刻蚀平台最新变体：为全环绕栅极晶体管及先进 DRAM 关键边缘步骤提供埃米级精度，扩展导体刻蚀市场领导地位。
光谱 ALD 系统：选择性沉积单晶新材料，将先进逻辑器件接触电阻降低高达 15%。
材料过渡：公司引领逻辑接触形成从 ALD 钨向 ALD 钼的过渡；随着晶体管数量及布线层数增加，铜 PVD 步骤将继续显著增长，规模保持比 ALD 钼大一个数量级。
EPIC 平台与联合创新
EPIC 联合开发协议：本周宣布与三星电子的首个 EPIC 协议；全球 Epic 平台旨在支持与客户及研发伙伴的高速联合创新。
进展：Epic 将于今年晚些时候上线。
服务业务（AGS）与 AI 赋能
先进服务需求：客户在大批量制造中提升复杂新设备产量，对先进服务需求加速，支持服务业务低双位数增长率（11-15%）。
AIX 软件功能：超过 30,000 个腔体连接至 AIX 服务器，采用 AI 驱动监控、诊断与分析；连接工具响应时间缩短 30%，增加客户晶圆产出并提高公司服务工程师生产力。
物流自动化：所有主要配送中心已采用最先进 AI 驱动机器人系统，显著提升零件交付速度、准确性及库存优化。
产能、供应链与运营
客户可见性：云服务提供商计划资本支出水平上升，所有器件类型半导体工厂利用率提升，先进制程代工逻辑及 DRAM 产能基本满载、价格上涨。客户正提供显著更长的可见性，并增加计划未来数年完成的新工厂及晶圆厂扩建项目。
制造能力：过去几年系统制造能力几乎翻番，供应链运营加强。近期已向直接供应商提供更长需求可见性，使其能在供应链中扩散需求信号，确保材料与劳动力支持。
库存准备：主动增加库存近 5 亿美元以满足生产计划，处于有利地位应对客户增长需求。
2.2Q&A 问答
Q：如何看待 2026 年 WFE？同行预测低双位数至 22%，公司预期半导体设备业务增长超 20%，相对 WFE 如何判断？增长驱动力和份额来源？
A：公司预期本自然年半导体设备业务增长超 20%，以下半年为主；洁净室空间限制增长速率，2027 年也将是强劲年份。
AI 是核心驱动力。能效计算由先进制程逻辑、DRAM（含 HBM）及先进封装赋能，预计这些将是 2026、2027 及未来数年 WFE 增长最快细分市场。公司在上述高增长市场均为第一，且具备延续领导地位与获取份额的条件。
先进制程逻辑：第一，有望在环绕栅极及布线（含背面供电）中占据服务市场超 50% 份额；沉积、导体刻蚀、封装均为第一。DRAM：标准 DRAM、HBM DRAM、HBM 封装均为第一；HBM 晶圆需求增长，客户需投 3-4 倍晶圆达相同比特；布线/图案化材料沉积领导者，导体刻蚀及电子束快速成长；2026 年增长强劲，在 6F²及 4F²领域有望获取份额。
先进封装：整体第一，HBM 第一；封装为 2026 年及未来数年高增长业务；2026 年增长最快为 HBM 及 3D 芯粒堆叠，公司凭借材料沉积与去除技术领导地位占据高份额。
NAND 与 ICAPS：受 AI/高性能计算驱动较少；NAND 今年增长但较慢，仍低于 WFE 总量 10%；ICAPS 市场今年整体及中国均持平，因近年支出已高。综上，公司本自然年半导体设备业务增长超 20%，在高速增长市场占据第一，为 2027 年及后续数年奠定良好基础。
Q：如何考虑上升周期中的毛利率？尤其考虑销量上升、价值定价及客户下游利润率显著改善。
A：自 CEO 上任以来，毛利率已提升 7%，现处于 25 年来最高水平。公司战略为聚焦转折点创新，瞄准增长最快的价值池——数据中心 AI 计算所驱动的逻辑、DRAM（含 HBM）及封装。这些是公司拥有明确领导地位且增长最快的 WFE 细分市场，可驱动强劲营收与利润率增长。
公司拥有更高价值产品管线，并通过 EPIC 平台将高速度联合创新推至新阶段。EPIC 可提供多节点可见性以指导研发投资，同时提升研发生产力、价值共享及产品/先进服务技术被设计采纳的能力。顶尖客户研发创新者将与公司创新者同地协作，客户可更早接触关键创新，在芯片及封装技术竞争中抢占市场先机。创新不仅限于工艺设备，还包括电子束及 AIx（AI 驱动软件平台），以加速学习周期、更快将创新推向市场。
Q：关于 WFE。公司提到今年中国及全球 ICAPS 将持平。过去三个月观点如何演变？三个月前共识预期中国 2026 年下降，现预期持平，变化原因是什么？
A：上季预期 2026 年为强劲年份，由 AI 驱动市场（先进制程逻辑、DRAM 含 HBM）主导，该观点不变。当时认为中国及全球 ICAPS WFE 本自然年将小幅下降，主因产能消化。目前 ICAPS 调整为整体持平（全球及中国）。长期看，ICAPS 半导体市场仍将增长中高个位数，但显著低于 AI 数据中心驱动的市场（先进制程逻辑、DRAM、先进封装）。
Q：关于先进封装。HBM 封装与 3D 芯粒堆叠强劲，能否量化今年与去年的对比？在 20% 半导体设备增长中，先进封装如何定位？
A：今年先进封装 WFE 支出增长，主要体现在 HBM 与 3D 芯粒堆叠。公司在该市场位居第一且份额极高，驱动先进封装成为今年增长最快业务之一，并延续整体领导地位。
展望未来，AI 能效计算驱动客户需求：封装基板趋于最大化，以最高密度连接更多 GPU、内存及高速 I/O，实现更高性能与更低功耗。未来数年新基板、新架构将进入上量阶段。公司在这些转折点拥有强大创新管道，封装业务预计将持续领导行业，并以高复合年增长率增长多年。
Q：关于超 20% 设备增长。Q1 设备营收指引 58 亿美元，若全年 20% 增长，则 Q2-Q4 平均需达约 65 亿美元，且全年似乎更强。此计算是否正确？应如何理解全年增长轨迹及退出率？
A：计算框架正确。信号是全年增长超 20%，下半年更高。Q2 指引已给出，中间季度未填补，因具体进度仍在确认。确有对应需求支撑 20% 增长信号，思考方向在合理范围内，但无确切轨迹。
Q：增长动力是否仅受洁净室空间限制？若空间更多，增长率是否更高？2027 年初与年底相比如何？
A：今年先进制程与 DRAM 增长确由洁净室空间计量，限制了可达成规模。客户已基本耗尽可用空间，多个新工厂将于 2027 年上线，产能每季度增加，明年仍处受限状态。
与最大客户 CEO 及研发负责人沟通，AI 数据中心需求为长期大浪潮，将持续较长时间。客户提及极高复合年增长率，数据中心晶圆启动量将超越 PC、最终超越智能手机。现判断 2027 具体形态为时尚早，但基于客户对话，预期 2027 亦为非常强劲年份。
Q：半导体行业达万亿美元节点较预期大幅提前。此前认为 WFE 的资本投入度约 15%，对应 1500 亿美元市场。在 AI 数据中心收入加速驱动下，15% 是否仍是 WFE 资本投入度的正确思考方式？
A：WFE 资本投入度已增长至约 15%。但对公司而言，更关键的是聚焦赢得每个细分市场，尤其要在最大、增长最快的市场中确保领先。AI 数据中心增长使行业扩张提前到来。
增速最快的设备市场是先进制程逻辑、DRAM（含 HBM）及先进封装——因其赋能 AI 数据中心能效性能。公司多年投资于此，已建立强领导地位，今年终端增长最快，且将持续多年。
关于 WFE 资本投入度，长期组合模型已发生变化。此前模型为 1/3 先进逻辑、1/3 ICAPS、1/3 内存，各细分增长率相近，单一资本投入度数字对预测有用。但目前终端市场增速显著分化，需要新增长框架。公司在最快增长市场占据有利位置，先进逻辑与 DRAM 在总量中的占比将显著超过 ICAPS 及其他内存部分。
Q：基于此，是否意味着公司能够 “捕获更多价值”——对投资者而言即更高毛利率？这些市场的扩张是否将推动实现这一点？
A：自 2019 年预见 AI 浪潮起，公司已持续投入，成立集成材料解决方案小组，为 WFE 支出结构转变做准备。核心是创造高价值客户解决方案。AI 是各方竞速将新架构推向市场的竞赛。
在赋能 AI 数据中心的细分市场，公司具备提供高价值解决方案的强势地位，并将分享所创价值。过去多年已实现毛利率增长，对未来维持毛利率增长具高度信心。
Q：AGS 运营费用增长不大，但 200 毫米设备业务从 AGS 转移至 SSG 后，AGS pro forma 实际在增长？能否给出规模？
A：财报已提供重组后重述数据，200 毫米设备从服务业务移至设备业务。Q1 AGS 同比增长 15%，Q2 指引同比增长约 12–13%。未来 AGS 应保持低双位数或更高增长。
基础为 5.5 万台装机，每年增长 5% 以上；AGS 新产品（如 AIx）推出；全部为经常性收入，2/3 有合同覆盖，平均合同期 2.9 年，续约率 90%；服务业务现金盈利能力可覆盖股息支付。
Q：过去几年系统制造能力翻倍。若 2023 年半导体设备业务季度营收约 50 亿美元，是否意味着半导体设备业务季度收入有望达到 100 亿美元？
A：想法合理，但不给出具体数字。制造能力有显著上升空间，预置空间已部分扩建以支持当前增长，仍有更多预置空间可用，可轻松扩至更高。
核心是与约 2000 家供应商协同，需提供强信号并与客户合作获取两年可见性及具体物料清单，使供应商提前准备。输出能力充足。客户讨论中，挑战不仅是洁净室，更在于供应链与服务工程师培训。得益于客户理解，公司已获得显著更长可见性及具体配置信息，为前所未有。
Q：2026 年下半年加速的驱动力是什么？常规预期内存洁净室受限至明年下半年，因此不是内存，是代工/逻辑空间？
A：确实是洁净室。上季已预期下半年更高，基于 DRAM 与先进制程可用空间。客户已提升今年预期，空间仍在计量 DRAM 与先进制程。本季度新工厂项目持续宣布，全球工厂项目数逐季上升。明年 DRAM 与先进制程多个工厂计划上线，客户正全力加速推进。
Q： 当前 WFE 中由数据中心/AI 驱动的比例？去年是多少？以区分增长与非增长部分。
A：近期领先晶圆启动中超过 20% 用于数据中心。该比例正快速上升，今年数据中心在领先晶圆消耗上已超越 PC。预测数据中心将于 2029 年超越智能手机。传统数据中心部分增速 10%~20%，AI 相关组件增速 30%~40%，整体 WFE 增长率由此超 20%。
Q：AGS 过去 6 年 CAGR 约 11%，处低双位数目标区间。在当前系统业务增长、客户利用率提升、增值服务渗透及庞大装机基础下，AGS 本年会否超过 10-12% 的历史增速？已录得 13-15% 同比增长，是否有理由认为不可持续？
A：Q1 同比增长 15%，各项有利因素确为叠加。装机增长、新产品及价值提升，通常使 AGS 增速高于半导体业务。历史增速受贸易限制丢失部分客户影响，低于本季水平。展望低双位数有信心，高利用率季度可更高。
服务创新管道强劲。3 万腔体连接 AIx 服务器，可提升服务价值与工程师生产力。客户正爬升环绕栅极、背面供电等复杂新工厂及复杂内存架构，集成平台与集成步骤增加。未来 AGS 增长前景良好，有机会实现更快增长。
Q：过程诊断与控制业务在 DRAM、先进制程逻辑、先进封装中，需求最强的领域是哪里？今年是否接近或超过 20 亿美元年化运行率？
A：不设具体数字，但今年为增长最快业务之一。公司在电子束成像技术领域保持领导地位，拥有最高分辨率、10 倍更快成像速度。该技术对工艺设备业务及客户加速学习周期、更快将创新推向市场至关重要。将发布新材料表征新技术与新产品。今年增长率居公司前列，高度确信高增长将持续至 2027 年及以后。
Q：能否对 2026、2027 年逻辑与 DRAM 的相对增长率进行排序？未来几季是否一方持续高于另一方？
A：无法排序。客户需求受工厂可用性计量，难以从需求端判断。半导体业务整体增长超 20%；NAND 与 ICAPS（持平）增长较慢；先进制程、DRAM、先进封装为更快增长业务组，受 AI 拉动强度相似。三者均在快车道，增长率更高，但客户晶圆厂上线时间不同，难以区分，公司不以此方式考量。
Q：此前预期 2026 下半年毛利率随收入吸收而提升，该预期是否仍成立？无中国因素下，毛利率达或超 15% 需要什么条件？
A：预计毛利率温和改善，存在顺风与逆风。顺风：半导体业务超 20% 增长，其毛利率高于 AGS；逆风：中国业务持平，全年客户组合转向小客户。仍有持续改善机会，但全年进展将非常缓慢。
Q：未来几季度内存产能大幅扩产的情况，焦点是否在节点转换、从现有产能挤出更多比特？节点升级与新建产能场景下公司机会如何？主要是 AGS 故事，还是有其他？
A：目前 DRAM 领域的投资，绝大部分都集中在全新产能扩建上，这类投资的规模我们是能切实看到的。而在 NAND 闪存领域，当下的投资则更多聚焦于产线升级。公司参与较少，该业务规模较小。
高带宽内存 HBM 的晶圆投片量是普通内存 DRAM 的三倍。而从第三代高带宽内存升级至第四代后，这一投片倍数还会从三倍提升至四倍，且堆叠芯片数从 12 层向 16 层迈进，未来还会增加至 20 层。
Q：为产能爬坡提前备库 5 亿美元，库存天数及营运资本应如何预期？
A：当前库存天数约 153 天，预计不会大幅上升。过去一年增加 5 亿美元库存，已为更高产出做好准备，足以支撑预测收入。收入逐季上升，库存天数将保持在该区间附近。
Q：运营费用模型。现处更大增长路径，预计将加大投入。本季度是否已全部纳入？全年如何考虑？
A：Q1 运营费用控制良好，同比无显著增长。Q2 环比增长约 6%，正为投资组合中的增长项目（含 Epic 实验室相关早期项目）提供资金。大部分增长为有效投资。随 Epic 年底上线，投资水平将提升，但支出增速预期慢于收入增速。
Q：系统业务毛利率约 54%（实际 54.5%）。随着系统增长更快，毛利率改善是落在该水平还是整体？是否可见温和改善？
A：整体毛利率将延续温和改善。年内逆风来自客户组合，但产品组合持续向更高价值迁移。每个研发项目完成都在将组合向最有价值的转折点调整。长期毛利率有持续改善机会。
Q：DRAM 方面，客户正在开发 4F²。维持市场份额的信心如何？决策何时明朗？
A：过去十年 DRAM 市场份额显著增长，为公司最强业务。6F²将继续增长份额，4F²同样处于非常强势地位，对持续获取份额具高度信心。
Q：NAND 今年是否有产能增加？
A：NAND 闪存领域的晶圆投片量已有数年未出现增长。我们目前也在持续出货相关产品，而这些产品中绝大部分都用于 NAND 闪存产线的升级改造。
究其原因，是每一代制程节点的技术升级都能大幅提升存储位密度，仅凭当前的晶圆投片量，就足以满足市场的需求。。
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