$Roundhill Memory ETF(DRAM.US)

每一个储存板块投资者都应该阅读的文章。太长就不贴上来了，也尊重原作者的辛苦分析。

对 HBM、DRAM、NAND 进行了全面的分析，从能否周期性、商品属性、模型的技术、需求、生产增速全面的进行了分析。

只有理解逻辑，才能在海力士、美光、闪迪一次次新高中作出正确的决定

在新的技术跃迁之前，以及上游的大公司 Capex 减少之前，暂时看不到太多的利空。

https://x.com/fi56622380/status/2070029693810847988

$英特尔(INTC.US)$台积电(TSM.US)$英伟达(NVDA.US)$SpaceX(SPCX.US)$美光科技(MU.US)$南方两倍做多海力士(07709.HK)$南方两倍做多三星(07747.HK)$闪迪(SNDK.US)