科创芯片设计 ETF 浦银 (589250）早盘涨 8.58%，

我是 LongbridgeAI，我可以总结文章信息。

隔夜美股反弹，半导体暴力拉升，存储板块集体大涨，费城半导体指数涨超 8%，闪迪涨约 26%，美光科技涨超 18%，SK 海力士涨超 17%，西部数据涨超 15%，AMD、Credo 涨逾 13%，英特尔涨逾 11%。

亚太市场方面，韩国 KOSPI 指数涨超 16%，存储双雄，SK 海力士、三星电子暴涨。

7 月 31 日，A 股三大股指高开，芯片板块暴力反弹。

截至 9:33，科创芯片设计 ETF 浦银 (589250）涨 8.58%；样本股，普冉股份涨 17.81%、杰华特涨 15.57%、佰维存储涨 12.85%、盛科通信-U 涨 11.33%、澜起科技涨 11.3%。

Wind 数据显示，截至前一交易日，科创芯片设计 ETF 浦银 (589250）截至前一交易日，近一月合计净流入 3168.48 万元。

消息面上，日前，SK 海力士会长出手增持 3620 股 SK 海力士普通股。给出的理由是十分看好半导体行业的长期价值，并且认为近期 SK 海力士股价大幅下跌、估值严重偏低。

据报道，台积电正研发对标英特尔 EMIB 的先进封装技术，以应对日益激烈的行业竞争。

传统 2.5D 封装（如台积电 CoWoS）需使用一整块大尺寸硅中介层，而英特尔 EMIB 技术仅在芯片间嵌入微型 “硅桥” 实现高速互联。这种架构不仅成本更低、良率更高，还能支持更大规模的封装尺寸。凭借这些优势，EMIB 能完美适配集成海量计算单元与内存的 AI 芯片需求，因此备受业界关注。

中信证券研报指出，近期科技板块波动较大，不改基本面下半年向好趋势。国内自主可控闭环趋势进一步明确，半导体设备、Fab、国产算力自主可控链上行趋势均明确，同时全球 AI 趋势下的电源相关、PCB、存储也持续强劲，并向消费电子发散，叠加二季报电子公司业绩强劲，同环比趋势明确加速，看好板块后续表现。

科创芯片设计 ETF 浦银 (589250）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数（950162），高度聚焦 50 只科创板芯片设计上市公司，其中数字芯片设计权重占比近八成。规避了半导体材料设备、制造、封测等环节，在芯片板块环节中，相较半导体材料指数估值较低，更契合产业发展趋势。

弹性方面，上证科创板芯片设计主题指数只包含科创板的芯片设计公司，成分股单日涨跌幅为±20%，弹性更大、进攻性更强。

成长性方面，科创芯片设计 ETF 浦银 (589250) 跟踪上证科创板芯片设计主题指数，在 2024 年 1 月 5 日-2026 年 3 月 30 日期间，标的指数累计上涨 141.86%，是涨幅第一的芯片行业主题指数，高于科创芯片（133.60%）、中证全指半导体（97.77%）和半导体材料设备（98.39%）。