我是 LongbridgeAI，我可以總結文章信息。Navitas Semiconductor 已獲授美國陸軍 ALATTIS 項目，用於開發下一代 10kV 碳化硅 (SiC) 功率半導體。該項目由陸軍研究實驗室贊助，旨在驗證超高壓 SiC IGBT 和 PiN 二極管的本土製造工藝。Navitas 憑藉其在超高壓 SiC 領域的創新、國防級可靠性以及紮根美國的供應鏈而入選，標誌着在推進關鍵國防應用的高功率電子技術方面邁出了重要一步
新聞：微電子
Navitas 獲授美國陸軍 ALATTIS 項目，開發 10kV 功率半導體
位於美國加利福尼亞州託倫斯的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半導體公司 Navitas Semiconductor Corp 已獲授 ALATTIS（加速、大面積、10kV SiC IGBT）項目，以開發下一代 10kV 碳化硅 (SiC) 功率半導體技術。
Navitas 表示，經過競爭性評估，美國陸軍從領先的美國碳化硅技術公司中選擇了該公司，以表彰其在超高壓 SiC 創新方面的表現、提供國防級性能和可靠性的經證實的能力，以及為先進功率半導體技術提供的具有韌性的、紮根美國的製造生態系統。
ALATTIS 原型項目由在美國陸軍戰鬥能力發展司令部 (DEVCOM) 旗下運營的陸軍研究實驗室 (ARL) 贊助，旨在通過迭代設計、製造和測試，開發、執行並驗證一種新穎且目前尚不可用的超高壓 (≥10kV) SiC 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率半導體器件的本土製造工藝。ALATTIS 得到聯合實驗與技術加速器 (JETX) 的支持，旨在推進用於關鍵國防和基礎設施應用的高功率電子技術。該項目將加速下一代 10kV SiC IGBT 及相關 PiN 二極管技術的開發，以滿足武裝部隊任務關鍵系統的需求。
在其旗艦溝槽輔助平面 (TAP) MOSFET 架構的引領下，Navitas 的 GeneSiC 碳化硅功率半導體產品組合涵蓋從 650V 到 6.5kV 的電壓等級，並由具有韌性的、紮根美國的供應鏈進行工程設計、製造和支持，從而為下一代國防和關鍵基礎設施應用實現先進功率半導體技術的安全本土生產。Navitas 表示，其在超高壓 SiC 領域開創了多項行業先河，包括：
- 2010 年推出 6.5kV SiC 晶閘管（榮獲 2010 年 R&D 100 獎）；
- 2012 年推出 10–15kV PiN 二極管；
- 2021 年商業化發佈 6.5kV SiC MOSFET。
Navitas 高級副總裁兼首席技術官 Siddarth Sundaresan 表示：“獲授 ALATTIS 項目標誌着在推進超高壓碳化硅 (SiC) 功率器件方面邁出了重要一步，同時也認可了 Navitas 在提供可靠、超高壓、高功率 SiC 技術方面超過 20 年的創新曆程。該項目使 Navitas 能夠基於我們獨特的專利溝槽輔助平面 (TAP) 架構，並結合先進的 PiN 二極管技術，開發下一代 10kV SiC IGBT，從而將其領導地位從 SiC MOSFET 進一步拓展。”
Navitas 發佈第五代 SiC 溝槽輔助平面 MOSFET 技術
Navitas 提供 3300V 和 2300V 超高壓碳化硅產品組合樣品
功率電子
www.navitassemi.com