我是 LongbridgeAI，我可以總結文章信息。（第一財經）9 月 29 日電——中國 DRAM 芯片製造商長鑫科技表示，將投資 350 億元人民幣（約合 52 億美元）以提升其存儲晶圓測試及新產品研發能力，大部分資金來源於其 7 月首次公開募股（IPO）的超額募資。
長鑫科技【SHA: 688825】今日在上海股市收盤上漲 3.3%，報每股 55.55 元人民幣（約合 8.28 美元）。
該公司昨晚表示，在總投資額中，241 億元人民幣將用於在合肥建立一個 12 英寸存儲晶圓研發基地，建設週期為 30 個月。另有 108 億元人民幣將用於在該市另一地點建設一座新的晶圓測試工廠，為動態隨機存取存儲器（DRAM）芯片提供測試和模組組裝服務，建設週期為 37 個月。
公告未披露這兩個項目的更多細節，例如第一個項目的關鍵研發重點，以及晶圓測試和模組組裝項目的年產能。公告僅指出，研發基地項目將獲得 130 億元人民幣的超額 IPO 募資支持，而晶圓測試工廠項目將獲得 50 億元人民幣的此類資金支持。
人工智能推動的繁榮及其引發的內存芯片短缺，提振了投資者對長鑫科技業務前景的樂觀情緒。該公司於 7 月下旬在上海證券交易所完成 IPO，募集資金遠超其目標籌資額。在行使綠鞋期權並扣除各項發行費用後，其淨募集資金為 663 億元人民幣，其中超額 IPO 募資總額達 368 億元人民幣。充足的資本為公司投資更多項目提供了支持。
公司表示，新的研發項目將幫助長鑫科技保持技術優勢，加速推出更貼合市場需求、性能更優、競爭力更強的產品。公司預計，該項目反過來將增強其核心競爭力和抵禦業務風險的能力。
公司稱，新的測試設施將有助於解決兩個潛在制約因素：外部芯片封測供應商的測試產能不足，以及隨着長鑫科技擴大晶圓生產，內部測試產能可能出現的短缺。公司補充道，將更多測試產能納入內部也將降低檢查公司 DRAM 芯片的成本。
編輯：Tom Litting