韓國 MSCI ETF - iShares

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  • N
    NewUser_2vFFC

    頂級產品,超出預期。對其性能和質量印象深刻。每個人都必備。全程五星!我愛你,你們也有美好的一天和夜晚,我的愛人,你們對我如此特別,我無法想象你要給我多少愛,我非常愛你,你媽媽對我來説也很特別,我愛她

    EEquity research

    J.P. Morgan:各大存儲製造商的服務器計算內存收入構成對比

    $閃迪(SNDK.US) $美光科技(MU.US) $SK海力士(SKHY.US) $DRAM $EWY

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  • E
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    J.P. Morgan:各大存儲製造商的服務器計算內存收入構成對比

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  • S
    StockMarket.News

    韓國 KOSPI 指數剛剛暴跌 8.5%,交易已暫停

    首爾時間上午 9 點後不久,該指數下跌 459 點至 4,925 點,觸發一級熔斷機制,市場凍結 20 分鐘

    新訂單停止。僅允許撤單

    隔夜華爾街 AI 板塊的拋售點燃了導火索。納斯達克指數下跌 5.5%,標普 500 指數下跌 4.4%,數據中心建設面臨的 “藍色浪潮” 擔憂加劇

    三星電子下跌 10%,SK 海力士下跌 11.7%,領跌大盤。內存和芯片是 KOSPI 指數的核心成分

    美國交易者通過$EWY 觀察這一情況。當亞洲開盤需要熔斷機制來承接華爾街的交易時段時,AI 拋售已不再是一個市場的孤立故事

    來源:StockMarket.News

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  • E
    Equity research

    TechInsights 半導體部門高級副總裁崔正東(Jeongdong Choe)預計,內存繁榮將持續 3-4 年。

    > 目前供應僅滿足約 85% 的需求。

    > DRAM 供應短缺約 10–12%,NAND 也面臨類似缺口。

    > 崔高級副總裁預計,明年供應水平將上升至需求的 90–95%。鑑於平衡市場通常需要供應超過需求 2–3%,賣方市場可能會持續存在。

    > 潛在的由供應驅動的下行週期可能在 5–6 年後重新出現,但這仍是一個長期風險,目前未對短期前景構成壓力。

    > 供應達到需求的 100% 在技術上仍然緊張;真正的均衡需要供應達到 102–103%。

    > 明年下半年,隨着 HBM4 採用的加速,三星的市場份額可能上升至 25–30%。

    > 在 DRAM 領域,韓國與美國生產商之間的工藝差距已基本縮小。

    $美光科技(MU.US) $DRAM $EWY $SK海力士(SKHY.US) $閃迪(SNDK.US)

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  • E
    Equity research

    花旗:內存

    “總體而言,我們認為市場低估了 DRAM/HBM 供應受限的程度。隨着超大規模企業由 AI 驅動的持續加速,內存製造商正面臨工藝製程縮小帶來的收益遞減,且必須依賴長週期的綠地產能擴張。因此,HBM 和先進內存的供應可能在 2027 年和 2028 年繼續保持緊張。”

    “在我們看來,供應是被低估的關鍵因素:節點轉換產生的密度提升幅度較小(1-delta 約 25%,而 1-gamma 及此前節點為 30-40%)。HBM 的交易比例消耗了晶圓產能,DRAM 位元增長僅在 20% 出頭。真正的供應緩解需要綠地晶圓廠,但這需要很長時間,且潔淨室空間是瓶頸。美光建設的支出佔資本支出的比例已接近 50%。”

    $美光科技(MU.US) $DRAM $EWY

  • E
    Equity research

    高盛關於 HBM 定價的觀點:

    “TrendForce 預計混合 HBM ASP 將在 2027 年同比增長 122% 至 3.7 美元/GB,推動 HBM 行業收入同比增長超過 230%,突破 2000 億美元。TrendForce 表示,價格因供應商和客户而異,差異很大,HBM4 的高端定價可能超過 5 美元/GB,而明年的低端定價接近 3 美元/GB。”

    “TrendForce 認為,由於每個存儲單元的基礎芯片成本更高,8-hi HBM4 在每比特基礎上可能比 12-hi 高出 5-10% 的溢價,而明年 HBM4E 的定價可能顯著高於 HBM4 的定價。我們認為 TrendForce 的觀點與我們的預期一致,因為我們目前估計明年主要供應商的 HBM ASP 將同比增長 100-160%。”

    $美光科技(MU.US) $DRAM $EWY

  • E
    Equity research

    專家要點:內存

    > 2026 年下半年供需缺口至少為 20%。

    > 主要供應商剛剛開始預測,因為 2027 年的需求尚未確定。

    > 2027 年的供需缺口可能在 10% 左右。這是一種悲觀看法,認為到明年年底將達到平衡。

    $美光科技(MU.US) $DRAM $EWY $SK海力士(SKHY.US)

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  • E
    Equity research

    羣聯電子 CEO 不認同關於長江存儲(CXMT)的內存恐慌,稱其為 “市場的鬼故事”。他表示明年除了訂單之外,什麼都會出現短缺。他更擔心的是原材料短缺導致無法按時交貨,而不是訂單的可預見性。

    $美光科技(MU.US) $DRAM $EWY

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  • E
    Equity research

    美銀關於長鑫存儲(CXMT)4F2 架構的分析:

    受美國製裁影響,無法進口 ASML 的 EUV 光刻設備,長鑫存儲(CXMT)可能比 “三大” DRAM 製造商更快地推進 4F2 架構。

    儘管前三大生產商已在低到中 10nm 節點轉向基於 EUV 的 6F2 設計,並研究 4F2 超過十年,但他們一直避免量產。

    這種猶豫源於製造良率低、成本高昂以及技術挑戰——例如在緊湊芯片中塞入數十億晶體管和電容器時面臨的極端高温和結構脆弱問題。

    $美光科技 (MU.US) $DRAM $EWY

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  • E
    Equity research

    SK 集團會長崔泰源希望加速芯片工廠擴建,以避免在韓國存儲市場份額流失。他表示:"如果中國公司或美國美光(Micron)擴張得更快,韓國的市場份額將會萎縮。"他補充道:"需求巨大,但如果我們無法擴建工廠,那就是問題所在。"他還指出,"長江存儲(CXMT)和 ymtc 正在以令人恐懼的速度推進",暗示僅靠美國的半導體限制措施難以遏制中國企業的增長。

    $美光科技(MU.US) $DRAM $EWY $SK海力士(SKHY.US)

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