據報道，SK 海力士和三星電子預計都將採用混合鍵合作為下一代高帶寬內存（HBM）芯片的先進半導體封裝工藝。三星預計將在明年初的 HBM4 中開始使用該技術，而 SK 海力士可能會等到 HBM4 的升級版 HBM4e。1/2 $HXSCL $SSNLF #半導體 #半導體

來源：Dan Nystedt