SK 海力士未來 30 年的 DRAM 內存芯片路線圖包括 4F2VG（垂直柵極）技術，以改進 DRAM 芯片並克服製造挑戰，3D DRAM 將成為未來增長的主要驅動力。
-4F2VG 通過垂直柵極結構最小化 DRAM 單元面積，實現高集成、高速、低功耗運行。它還將有助於將製造工藝縮小到 10 納米以下。-3D DRAM：創新將克服堆疊層帶來的成本上升問題。#SKhynix #DRAM #semiconductors #semiconductor來源：Dan Nystedt
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